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其实你可以打开一个ibis模型+ c8 X- |+ S' y" e
查看一个IO buffer的[Ramp]波形1 H$ m) ?) \5 E& O% F9 @0 S7 [
你会发现有三个波形，对应这里的Typ、min、max6 v7 A/ E+ [: `* G( z, C( \
它的dV值是不同的，因为三根曲线的幅值就不同
* E& [1 c [2 l" O4 H1 P# N& |0 _所以它的20%～80%电压就不同7 l& ~* U2 ^# O% c) r/ m0 w0 q
当然三根曲线的斜率也不同
/ Y# \3 f! A2 m袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
谢谢这位兄弟，我对这个参数是这样理解，不知对不对. y1 s5 R0 t8 o3 Y8 X; Q
从[Ramp]参数可以得到四个信息：tr（20%-80%）；压摆率；输出电压稳态值；buffer的输出阻抗信息。
4 X) f4 T% {5 hbuffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压，因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同，因此稳态值也不同，从而dV=（20%-80%）*稳态值也不同。
, F& H7 ^1 m1 a/ A这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
, O' g- g5 C. m: r2 }" j
. r1 [0 d, ~" h7 Z3 a下面是IBIS spec中[Ramp]的说明，
4 c" l* n9 v" [" k* P7 I
) o1 P& `! P4 a1 S/ X! l) PKeyword: [Ramp]
/ I; R0 Q, P+ O* G=======================================================
. {" N" r& f3 Y1 _) ^| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
! V9 I: a4 M4 V# z% V| model types( U* Q/ _% t3 d. U6 E0 e$ z
| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
' O6 H& x2 l5 X, }+ z| does not include packaging but does include the effects of the
$ u* h$ |# I; x1 Z2 `| C_comp or C_comp_* parameters.
& a4 y1 k$ T; _/ W9 U$ ~( h7 A| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load6 a8 h1 w# C$ x8 c& c( ]! ?8 h& n
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the
& ?& K) `# f1 b" s| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp
. X ?/ E3 ^9 m" H% v6 o- b| rate is defined as:
+ S* I$ m/ p% A- m" h7 j7 @7 h, Q|
6 Q3 y( W+ k/ q# r| dV 20% to 80% voltage swing( q! E' h2 Q: u/ e
| -- = ----------------------------------------
; O2 i! L! F5 H$ O| dt Time it takes to swing the above voltage |
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发表于 2009-7-7 08:48
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