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本帖最后由 cousins 于 2015-3-9 15:14 编辑 & V+ a+ J0 ^& S2 R' J- F1 M
; R( s0 r P( d) W; w# g1 m7 z
1.via的估算( {* H) R# b. z( |
Lvia / BGA pairs
/ K6 f# X6 V7 @; E5 @1 I8 ]$ T9 [Lvia = 0.032*Length/ （pi*Log(2 * B / OD)）. u# p$ n1 ]' z2 y
B为电源孔与地孔的中心距
7 B: a, ~7 _: j) T' c& FOD为钻孔外径+ M T$ `, ?4 ?+ y2 Y5 d' T9 c
Length为过孔长度5 Z: c ?0 S9 w1 R
pi为3.14
- H# @6 ?3 i+ s$ C. j. p L
+ n8 T; w/ ^' E. G2.扇出线的L估算为0.02nH/ _2 s j/ s" o' ~! y# \
! ^; V, X t |* i2 G: M, z1 M3.电容的esl依照封装对应估算为
4 x/ j7 s: j: F4 S4 O! n0201 0.2nH* K! [% a2 c( {8 ~8 ~
0402 0.3nH* o$ R/ ~! T6 Z5 a3 ~6 X$ V, M
0603 0.4nH
' |( X0 d- p: W+ x! ^+ }/ t0805 0.6nH
' u7 P4 n( l6 t3 @. C1206 1nH, k$ b; e- r+ I! `5 x3 M
电解电容 1nH以上$ l" x" d" U4 Y# z
8 w, V- L" i+ m1 z6 d8 r/ k
0 f0 ?5 n3 Z# U接下来就是估算整个电容对应的阻抗: r/ V, o1 a5 j9 r
环路的loop inductance为 扇出L+BGA的过孔L+电容焊盘L+电容过孔L+电容自身寄生L2 ?9 m" Q4 C; y
若电容的过孔和bga的扇出过孔是同一个过孔则只需算一个过孔L对就可以。) ^* N0 y6 ~, k3 z6 ^! K* n
然后阻抗就是r+j*omega*L+(1/j*omega*c)的估算桥段，可以看出C越大阻抗越小，然而C越大目前的工艺来讲L也会越大，同时，还会有电容直流耐压的可靠性设计要求，因此你要在其中选择一个均衡值，满足避开谐振的要求，同时又要满足直流耐压需求，另外还有一个成本的控制。当然电容并联使得esl减小是个不错的办法，但是要注意实际情况下，0402可靠的并联是6颗，更多的数量并联对esl的减小不再是明显的线性减小。
. |( w3 d8 Y+ r3 R/ N2 f6 T8 h, f! V, W7 l N: l* c* ]+ W
至于r，在1GHz以下环路的电阻相对于L的感抗很小，主要的电阻来源于VRM的esr，只关心1MHz以上的话，可以忽略，你一定要算，就算入环路走线带趋肤效应的esr+过孔的esr就好，个人觉得，估算没必要那么较真。除非你想自己编写前仿真函数库。
& f" U: W4 s: ]1 i+ l1 d' w) n7 ]4 E6 ?5 r5 m
/ A. l( ^) L D& g8 [' P" z
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发表于 2015-3-9 11:09
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发表于 2015-3-9 13:53
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