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东芝发布16GB 3D闪存芯片 包含48层存储空间

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发表于 2015-3-27 08:59 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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今早一起床看新闻,结果发现一个振奋的信息,这些个技术,你还不得不服小岛国。) e5 A$ a; U! J
       东芝公司今天宣布,该公司已经开始提供非易失性存储器芯片(BICS)的样品,其中含有48层,每个cell当中包含2 bits,每个芯片容量16GB。新闻稿当中没有详细说明BICS闪存制造工艺,但值得注意的是,东芝堆叠层数多于同行其他厂商。三星和IMFT,英特尔与美光合资闪存企业,都使用32层的设计。三星目前实现在每个芯片当中提供10.8GB的MLC配置,而IMFT跃跃欲试,将于今年晚些时候出现推出32GB存储容量的3D闪存芯片。
, T; A9 I9 ]: i7 y* z        BICS闪存主要面向固态硬盘,东芝表示其中的3D结构可以提高写入可靠性/擦除次数,并提升读写速度。东芝预计年内不会开始批量出货这种3D闪存芯片,大规模出货要到2016上半年,该公司正在与SanDisk合作,建设一个新工厂专门生产3D闪存芯片。# }' ^/ {6 w3 ?- L0 `% a& M6 n6 {
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6 ?& M7 t5 o/ U( }, V. m5 b/ Q) ?- b( O! ~  [, |

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发表于 2015-3-27 09:38 | 只看该作者
这个3D是指的晶圆加工技术,不是封装吧

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发表于 2015-3-27 09:44 | 只看该作者
3D晶圆堆叠技术的出现,是不是意味着TSV封装技术该末落了。0 U4 N7 F' y7 E, A

- e; k% w9 P# I( ?+ E

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发表于 2015-3-27 09:56 | 只看该作者
跟intel的3D晶体管不懂有啥区别
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