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本帖最后由 Xuxingfu 于 2015-3-9 15:25 编辑
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2015年4月14-16日
) J6 p# w* @4 {+ n7 E8 ~0 s北京，国家会议中心 7 a V1 @0 x: s
EDI CON 2015移师国家会议中心以适应增长的需要, \% }4 S; `/ p8 C) r
EDI CON 2015将于2015年4月14-16日在国家会议中心4层举行。变更地点是为了满足明年参展商数量可能增长的需要。第二届会议的展览面积增加了近一倍使我们做出了转到更大和更新的场地的决定。
2 @4 x J/ N( n! ?征文开始——2014年6月1日 2014年6月1日开始提交EDI CON 2015技术报告会的论文。技术报告会具有教育性质，为电子设计师和工程师提供实用信息。作者应提交与射频、微波和高速数字电子器件或系统级设计工作相关的论文初稿和摘要。作者简历和摘要必须通过EDI CON会议管理系统（www.ediconchina.com/papers2015）提交。如果提交论文时还不能提供初稿，则需提供足以说明论文细节的较全面的摘要。
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" J0 r* f1 h# M. x技术报告会![]() 4 g# V. {2 S' t; _% @, ?2 G
技术报告会为与会者提供电子设计工具与技术知识。技术报告会按技术领域分为三个分会，每一节技术报告会含有两个20分钟的技术报告，报告内容或是来自受邀的业内专家，或是录用的论文。重点关注高频/高速电子设计中所涉及到的从元器件表征到系统集成等关键问题。 受邀和提交的论文都由EDI CON主办方和技术顾问委员会评审，评审委员均为EMC、电路和系统仿真、测试验证、RFIC、MMIC和高速半导体、无源元件和系统集成领域的主要专家。技术报告会包含如下主题：射频、微波与高速数字设计，射频/微波测量与建模，EMC/EMI、高速数字测量与建模，系统级测量与建模，系统工程，商业资源。
$ I" N1 K; c. z% P- h% t研讨会 研讨会为从业者提供一个论坛，共同探讨高频/高速电子设计面临的特定挑战和新兴话题。研讨会的赞助商根据EDI CON主办方的指南负责准备讨论内容。研讨会是互动的，允许给听众额外的时间来提问和参与，可以有演示，听众也有使用设计软件和/或测量设备的机会。 - e1 P8 M3 G3 `1 \( g2 m
专家论坛 在论坛中，由一个专家小组讨论一个特定的主题。开场先由每位专家阐述关于论坛主题的个人观点，然后由主持人引导专家进行更深入的讨论并回答听众提问。EDI CON主办者和论坛赞助商共同负责协调论坛主题、邀请专家和主持人。EDI CON 2014专家论坛的主题包括：中国的GaN技术发展状态，MIMO OTA测试，EDA设计流程，让RF半导体技术适合最终应用，电信系统未来发展趋势及面临的工程技术挑战。
& E8 o: Q1 G& X! c8 A展览![]()
3 y2 o! z7 ^1 m, a. HEDI CON展览汇集了射频、微波、高速模拟和混合信号器件、半导体、测试和测量设备、材料和封装、EDA/CAD和系统方案供应商。14年的展览面积和参展商数量都是13年的近两倍。西展厅主要聚集了测试测量设备和仿真软件（EDA）供应商，东展厅主要聚集了半导体、集成器件制造商、材料、器件分销商。会议和展览的日程安排能确保参展商和观众之间进行活跃的和有成效的交流。 , O% z9 {8 N; e
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《微波杂志》主办，第三届中国电子设计创新会议（EDICON China）将于2015年4月14-16日在北京奥运村国家会议中心（CNCC）举办。在过去的两年中，会议和展会规模逐渐扩大，本次会议增加了展会面积。在三天的会议日程中EDI CON包含了各种有关高频、高速数字和EMC / EMI设计专题。包括95场专题会议和35个研讨会。
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分为测试与建模专题，放大器设计专题，射频微波高速数字测量建模专题，系统测量建模专题，系统工程专题！
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, }5 U$ y2 [1 h5 E2 X! Z会议详细流程参见附件PDF！9 N( v; x8 _/ x
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微波展会.pdf
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发表于 2015-3-9 15:13
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发表于 2015-3-9 16:08
