半导体器件的贮存寿命

# z) E% G  n9 d# @１ 引言 & V* l# @5 i" _! ^5 J

/ f- j9 }3 f4 Y" N4 I高可靠半导体器件在降额条件（Tj＝１００℃）下的现场使用失效率可以小于１０－８／ｈ，即小于10FIT，按照偶然失效期的指数分布推算，其平均寿命MTTF大于１０８ｈ，即大于１００００年。据文献报导，电子元器件的贮存失效率比工作失效率还要小
. S1 j6 A/ ^6 s, c9 n  u一个数量级，即小于１Ｆｉｔ。 : l* _5 X7 I% @9 f7 A3 B1 t

  m, G0 Q7 a* q, w9 Q" ^* P; l* [7 c国内航天用电子元器件有严格的超期复验规定，航天各院都有自己的相应标准，其内容大同小异［１］。半导体器件在Ι类贮存条件下的有效贮存期最早规定为３年，后放宽到４年，最近某重点工程对进口器件又放宽到５年，比较随意。同时规定，每批元器件的超期复验不得超过２次。
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5 o* N- F6 I1 d! \9 c; n- {$ {美军标规定对贮存超过３６个月的器件在发货前进行Ａ１分组、Ａ２分组以及可焊性检验［２］，并没有有效贮存期的规定。 2 u( f& K6 |8 j# z, s; b
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在俄罗斯军用标准中，半导体器件的最短贮存期一般为２５年，器件的服务期长达３５年，和俄罗斯战略核武器的设计寿命３０年相适应。 % _% r& P: F$ L2 ]+ p  U

6 Z+ U( y0 \& w; v! s. B8 ^然而，国内对于半导体器件的贮存寿命尤其是有效贮存期有着不同的解释，在认识上存在着误区。国内的超期复验的规定过严，有必要参考美、俄的做法加以修订，以免大量可用的器件被判死刑，影响工程进度，尤其是进口器件，订货周期长，有的到货不久就要复验，在经济上损失极大。
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5 }: d% @9 i/ c% f- j5 B２ 芯片和管芯的寿命预计
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" Y# D) m: G; A. }$ o! I, n9 U高可靠半导体器件通常采用成熟的工艺、保守的设计（余量大）、严格的质量控制、封帽前的镜检和封帽后的多项筛选，有效剔除了早期失效器件。用常规的寿命试验方法无法评估其可靠性水平，一般采用加速寿命试验方法通过阿列尼斯方程外推其MTTF，其芯片和管芯的寿命极长，通常大于１０８ｈ，取决于失效机构激活能和器件的使用结温。
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* a4 c2 i$ g) h5 \7 `) Y随着工艺技术的进展，半导体器件的激活能每年大约增长３％。据报道１９７５年的激活能为０?６ｅＶ，１９９５年增长到１?０ｅＶ，其MTTF每隔１５年增长一倍，加速系数每隔５年增长一倍。
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化合物半导体器件微波性能优越，可靠性高，自８０年代以来，在军事领域得到了广泛的应用。已报道的ＧａＡｓＦＥＴ，ＨＢＴ，ＭＭＩＣ电路的激活能一般都大于１?５ｅＶ，即加速系数非常大。MTTF的报道在１０９～１０１１ｈ，外推至沟道温度１００℃。   R$ q/ X) a6 f: ]' L
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加速寿命试验能暴露芯片或管芯的主要失效机理有：金属化条电迁移、氧化层中和氧化物与半导体界面上的可动电荷、电击穿、界面上的金属化与半导体的相互作用以及金属间化合物等。 8 a6 {. b# G2 @4 Z
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３ 超期复验和有效贮存期 " I0 E$ R% T0 v# R. t* }
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由于半导体器件的芯片和管芯的寿命极长，因此超期复验的重点应关注与器件封装有关的失效机理。例如器件的外引线在多年贮存以后，有的会产生锈蚀，影响到可焊性，在装机后易产生虚焊故障和密封性不良的器件。在长期贮存中，水汽会进入管壳，产生电化学腐蚀，使内引线键合失效或电参数退化。不过对于密封性良好的器件，如漏率小于１０-９Ｐａ;ｍ３／ｓ，其腔体内外９０％气体交换时间为２０年，可以忽略外部水汽的影响。
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在美军标MIL-M-38510微电路总规范中规定：对制造厂存放超过３６个月的微电路在发货前只要求重新进行Ｂ-３分组的可焊性试验，不要求重新进行Ａ组检验，也没有有效贮存期的限制。俄罗斯对电子元器件的贮存性评估方法已制定了标准［３］，其中有加速贮存和长期贮存两种试验方法，即使采用了加速贮存方法，也要积累多年的数据，也只能部分替代常规贮存试验。因此俄罗斯对其军用电子元器件最短贮存期限分档为１５，２０，２５，３０，３５年是有充分依据的。 % e# s- B! H' M2 K& o
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我国航天部门提出的有效贮存期的依据并不充分，其３～５年的规定比较保守，各部门提出的规定也大同小异，建议对电子元器件制定统一的超期复验标准。有必要吸收俄罗斯的经验，因其标准体系相当严密，基础工作非常扎实，俄罗斯“和平号空间站”设计寿命为５年，而实际服务期限已超过１５年，就是很好的例证。
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４ 半导体器件长期贮存实例 : P: j8 B7 q1 U8 k) A7 X2 e+ n) h

, _9 D  r# ]4 v% k４．１ 美国宇航级晶体管 : E7 D7 s- ?& L
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JANS2N2219AL为硅ｎｐｎ开关晶体管， ＰＣＭ为８００ｍＷ，采用ＴＯ?３９封装，该批器件的生产日期为１９８０年，数量为４２支。宇航级晶体管为美国军用半导体器件中最高的产品保证等级，它体现了当时半导体器件的最高质量水平。 + ]1 _, U1 k$ r5 F) _- i
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我们从１９９８年开始对该批器件进行了一系列的试验和检测，并于１９９９年进行了报道［４］。当时任抽１０支管子进行过６０００ｈ的全功率寿命试验，试验以后电参数变化极小， ｈＦＥ先略微变大，过峰值后又略微变小，相对变化幅度小于２％。当时这批器件已经贮存了１７年，可见长期贮存对它的使用可靠性无影响。 ! W* f5 k3 m- m
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２００６年又对全部样品进行了电参数复测，ｈＦＥ和１９９８年的参数全部吻合，没有明显的变化，证明了宇航级器件在实验室条件下贮存寿命极长，到目前为止已经贮存２６年没有发现电参数有任何退化，并且外引线镀金层厚度为３μｍ，气密性全部合格，内部水汽含量抽检２支为２１５６和２３４３×１０－６，均小于５０００×１０－６，管壳内９９.７％为氮气，氧含量仅为１００×１０－６。