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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications
2 W3 q5 V6 O" ^# {. s2 `
& i; @7 R+ `% Y8 r( cPerforming time domain analysis to confirm designs meet specified targets
& D% K" j6 A* |+ k6 D/ l8 LSPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。
* _; O8 n) C+ b$ Q; ZUnderstanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
& p( A" \! l7 ~# MSPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。; e& s* z; |$ N9 g1 N8 F/ X2 C/ Y
Assessing various decoupling capacitor implementations
  `/ |  C6 `7 h9 H不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
4 M6 g1 k; {: i: e1 u$ xSimulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options, ^1 U$ b9 r1 B) Y& e' {6 J- [/ A" ?
快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。. B1 E3 c+ O, U0 i7 C* {6 ^) i% p
Identifying package and board resonance and radiation harmonics
0 n. ?. u5 f( E5 s4 @$ m6 f! ]' CSPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。
' ^: R/ `* B1 ^) ^/ O! t2 Z==========================================================
7 l$ G  M8 n4 R9 o# R8 }5 XPowerSI Applications
6 h" w6 s, |, |; `1 k
, e( O; @' Y  i) ~  X- Z  P8 D0 AEstablishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards# V; v4 W0 r) c( K7 j6 D; P+ U% W
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。
8 ]0 [& ]/ \& k; {, @Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement5 d4 I9 I+ d6 L" c- m9 I1 C( I# x
PCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。8 l/ l$ P0 f4 e- s% {
Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation
! C, L: Y# u. D" G2 n  w/ @PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。
( L, P, |" d- {! TAnticipating energy leaks with near-field ration display0 q6 o  E$ i1 k
经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。; b: Z; v8 \' v1 D8 S9 V1 _- `, ^* U' {
Assessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
% v, e* Y, k9 n! l# W8 W使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。& H' B- r3 _1 {) z
Broadband modeling including accurate DC performance characterization
, @& Z2 n# l* U7 K9 H0 i使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。% z1 R5 }+ N$ \! ?* d
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