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power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?

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发表于 2014-4-11 16:25 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别?
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发表于 2014-5-10 16:01 | 只看该作者
SPEED2000 Applications
4 n4 G- ]1 m  i" r # |1 H' w* p* d3 e
Performing time domain analysis to confirm designs meet specified targets/ d1 ]9 \- N6 ^4 ^2 P
SPEED2000可用来做时域分析,看波形在时域上的状况,如reflection等,快速又轻松的分析时域上的问题。
  B- ^% g) h: C" s# r: U) c5 h0 D! S0 IUnderstanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities. u; M, y, `6 }. O1 o% f
SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性,返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。/ P5 W$ r* {5 G  W. x
Assessing various decoupling capacitor implementations6 Y! _* u0 a& U# k  b( d
不同的去耦电容对于讯号有影响,而SPEED2000可针对不同的电容做模拟,找到最适合的电容。
( y, _+ ]+ P( ~* g; q: L# j- T! g/ USimulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options6 N7 T- [- H. K0 V, u
快速切换开关即会产生噪声,此噪声会影响到讯号质量,而在SPEED2000中,可模拟快速切换开关的问题。6 @3 b+ `7 k  I2 j+ j0 W
Identifying package and board resonance and radiation harmonics
7 z" O2 c; o/ N0 }$ Y- |. XSPEED2000可拟模共振与辐射问题,这些问题对于设计质量而言,是不可忽略的。, g9 ^0 ~. y4 T# G
==========================================================/ _# y4 m. {- ^7 r1 N7 l
PowerSI Applications- s3 L5 l( U* h( R6 L2 k

4 Q/ h6 c% ?3 f: eEstablishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards) g3 m( h1 a' Y' p7 P8 |# M# ]
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真,解决且优化电源质量,电源质量是最根本问题,将电源质量加强,将可使整个PCB达到稳定的状态。( C$ A& t5 m; G4 Y7 K
Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement, ~0 x% A9 p9 A7 z9 w3 B5 _
PCB板上会有很多的via与电容,但这此组件皆会有相互影响的问题产生,经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题,进而达到讯号质量稳定。  |  W5 `1 e# _1 a
Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation+ Y1 M* G, j* e$ _$ g
PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数,经由此参数可得知PCB板上的特性,进而找到问题的根源,解决问题。
8 x1 F0 I1 Y' w2 t) x" zAnticipating energy leaks with near-field ration display
5 h6 w$ C4 h# y/ m+ Z经由PowerSI可分析近场源的问题,进而修改layout走线降低近场问题。。
, ^- h: ]; L9 }Assessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
8 v# l3 I* T+ F1 j8 m$ \8 `4 L使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置,去耦电容的位置对于电源质量非常重要,使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。+ D( o+ X  ~2 d' t7 q" L) u
Broadband modeling including accurate DC performance characterization/ I7 m5 r3 V  i$ V- m5 {
使用PowerSI可建立宽带模块,此模块可达至DC状态且非常精准,对于分析电源质量非常重要。
, o) @' a- H$ R) H6 O4 `
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