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STM32 AD采样问题?

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发表于 2015-3-25 15:48 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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     关于STM32 AD采样, 我们知道当AD输入采样值为3.3v以内时,MCU可以采样到,但如果高于了3.3V,MCU就采样不到! 针对于这种问题怎么解决,各位有没有什么办法解决,个人观点是不是可以用什么电路进行转换或者有什么IC可以识别高于电源电压的AD采样值!
! q6 a9 S# g# B+ j% |, a% c8 C
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发表于 2015-3-25 19:40 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-3-25 17:02$ _; I4 y# k; M- ]% ~& [2 |# \
楼主应该是做电池电压检测吧,哈哈,我也做过,,确实是要分压

& F/ m3 Q( T" R8 U8 @我做的和你不一样:我的是3.3V的MCU去检测电池,电池电压最大4.2V,所以我是分压后再接入MCU的,然后测得的数据再经过换算得到实际电池的电压。! ?4 g3 q8 g+ w' C
你的意思就是两个MCU(A和B)都需要对A点进行AD检测,而且两个MCU的ADC的参考电压不一样,假设分别A为3.3和B为5V,而你要测的点电压为4.5V,这样你如论如何都需要分压吧,要测的点经过分压后(3.3V内)再接入A,B则直接接测试点7 L7 m7 b9 k* W

7 h. c: Y: t5 E/ L; ?

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发表于 2015-3-25 18:45 | 只看该作者
i265 发表于 2015-3-25 17:30
  S* M* j* {4 \+ N1 }分压不会影响原来的采样点吗,方便加下qq,请教下兄弟!
. n3 _1 [9 F5 h  M+ v4 ^
明白你的意思了
" X. [& q% {1 f. G6 m) ^+ r你的意思是:A-B是固定的采样点,程序也是固定的,是吗?也就是不能修改,而你是要用STM32再接一路过去读取A采样点的信号,是这样吗?
- |& R# E# j+ t如果这样那就直接分压,再串电阻到STM32,影响的就是阻抗,如果你的阻抗够高,分压的级数与串联的电阻的数量级大于MCU的输入阻抗,即可看成不影响。
+ i# ]3 K+ ~/ N% n+ e) m. B

点评

是的 ,AB是固定的采样(不能动的),然后我另外一个STM32需要去读这个电压值有其他作用, 比如A点4.5V电压值,STM32直接串电阻不影响B的采样吗?  详情 回复 发表于 2015-3-25 18:49

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 楼主| 发表于 2015-3-25 16:07 | 只看该作者
bingshuihuo 发表于 2015-3-25 15:57
! }$ j1 ~/ w& W2 U你采用几个电阻
  t6 x& B' Z5 y+ o: ]& I5 @使用分压士式

" ^. X7 e7 W( m! y  L1 ^" u7 t. c% |   A为采样点,A与B MCU是一直采样的,电压有可能是3.3或者5V  ,现在STM32需要去读取A采样点, 但不能影响 A与B 直接的采样,( 比如A为3.5V的AD电压,怎样使B与STM32都可以读取3.5V  ) 0 T4 B% c& ]/ K# S  n

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发表于 2015-3-25 15:50 | 只看该作者
电阻分压

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是这样的 ,电路本事有A采样点与B MCU ,现在需要不影响AB直接采样(AB采样有可能是3.3V 或者5V的电平 ),我要并联一个MCU到A采样点  详情 回复 发表于 2015-3-25 15:55

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 楼主| 发表于 2015-3-25 15:55 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:50
% F/ l& O6 k7 g1 ]0 [8 `1 j- X' Y2 ~电阻分压
/ N' f5 A' I" B( V
是这样的 ,电路本事有A采样点与B MCU ,现在需要不影响AB直接采样(AB采样有可能是3.3V 或者5V的电平 ),我要并联一个MCU到A采样点 5 M: r& O6 e9 Q% G5 U( V# a

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发表于 2015-3-25 15:57 | 只看该作者
你采用几个电阻4 `8 v) S$ u0 P) E1 p
使用分压士式' e8 O1 q& b7 M5 L) D- C9 @% H& O
, p% b3 z- o1 [
只要采样不大于3.3V+ X! @; X% d2 K6 h4 H/ s. q
采样肯定没问题

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[attachimg]94715[/attachimg] A为采样点,A与B MCU是一直采样的,电压有可能是3.3或者5V ,现在STM32需要去读取A采样点, 但不能影响 A与B 直接的采样,( 比如A为3.5V的AD电压,怎样使B与STM32都可以读取3.5V )  详情 回复 发表于 2015-3-25 16:07

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发表于 2015-3-25 16:26 | 只看该作者
A采样点,分压,然后分别接电阻到STM32与MCU B
* N1 r4 b/ F3 Q: ^  e; a6 EA采样点的电阻分压的数量级小于串联到STM32与MCU B电阻的数量级。

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发表于 2015-3-25 16:27 | 只看该作者
我的建议是你使用分压电路
: `8 i& ]$ {) M- O* s6 z4 k6 e  U" b* t把整个电压降下去
0 x& s; C7 j' S( c* S使电压低于3.3V. f1 T2 g4 a4 d1 F: f  l
这样采样就不会有问题
5 k; t" y0 W" J% b4 }, c% v6 f$ ^* u/ G  U3 {( P6 S- O$ O, s
只是采样点的电压降了一些
+ d. X: V4 M% U. |- D, |. u/ V其他的没什么影响

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如果把采样点降点,这样会影响到B点MCU采样哦, 假设采样点为4.5V ,这是要降到小于3.3V ,B点MCU肯定会影响采样错误  详情 回复 发表于 2015-3-25 16:35

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 楼主| 发表于 2015-3-25 16:35 | 只看该作者
bingshuihuo 发表于 2015-3-25 16:27
! L. I+ `' k3 }. L. h5 J3 Q. U9 O我的建议是你使用分压电路
" Y% e  N$ a; K# ^把整个电压降下去
% @" \& _. l5 M8 k8 C8 N使电压低于3.3V
  C5 O7 ]& b6 L& `$ B1 P' q
如果把采样点降点,这样会影响到B点MCU采样哦, 假设采样点为4.5V ,这是要降到小于3.3V ,B点MCU肯定会影响采样错误
3 T/ j: e. t* u

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发表于 2015-3-25 17:02 | 只看该作者
楼主应该是做电池电压检测吧,哈哈,我也做过,,确实是要分压

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我做的和你不一样:我的是3.3V的MCU去检测电池,电池电压最大4.2V,所以我是分压后再接入MCU的,然后测得的数据再经过换算得到实际电池的电压。 你的意思就是两个MCU(A和B)都需要对A点进行AD检测,而且两个MCU的ADC  详情 回复 发表于 2015-3-25 19:40
分压不会影响原来的采样点吗,方便加下qq,请教下兄弟!  详情 回复 发表于 2015-3-25 17:30

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 楼主| 发表于 2015-3-25 17:30 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-3-25 17:022 ?* p  I  t. ^/ \. y
楼主应该是做电池电压检测吧,哈哈,我也做过,,确实是要分压

. t( T+ |$ A$ ]/ ?0 P2 g( N分压不会影响原来的采样点吗,方便加下qq,请教下兄弟! ( `2 s' c9 g+ F0 s

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明白你的意思了 你的意思是:A-B是固定的采样点,程序也是固定的,是吗?也就是不能修改,而你是要用STM32再接一路过去读取A采样点的信号,是这样吗? 如果这样那就直接分压,再串电阻到STM32,影响的就是阻抗,如  详情 回复 发表于 2015-3-25 18:45

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 楼主| 发表于 2015-3-25 18:49 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 18:45
* K3 T7 x# ~. `0 ~# U+ K1 z+ K明白你的意思了0 T" c" E" i: m; x/ w1 B6 K4 z
你的意思是:A-B是固定的采样点,程序也是固定的,是吗?也就是不能修改,而你是要用STM ...

' V" e* v6 d1 a, y1 Q. [是的 ,AB是固定的采样(不能动的),然后我另外一个STM32需要去读这个电压值有其他作用,    比如A点4.5V电压值,STM32直接串电阻不影响B的采样吗?
0 g7 k8 k2 n) {) J6 [2 i: }  g

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就是阻抗的问题,只要足够大,即认为不影响。  详情 回复 发表于 2015-3-25 19:55

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发表于 2015-3-25 19:18 来自手机 | 只看该作者
你怕影响的话,看直接从采样点拉一个跟随器是否可行,应该不会在影响前后了吧

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能具体点吗? 应该怎么做 ,谢谢!  详情 回复 发表于 2015-3-26 20:21

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发表于 2015-3-25 19:55 | 只看该作者
i265 发表于 2015-3-25 18:49, s% F. L% B+ N  @  V8 r
是的 ,AB是固定的采样(不能动的),然后我另外一个STM32需要去读这个电压值有其他作用,    比如A点4.5 ...
. s/ m8 o" |" ?% r- Z8 i0 ]
就是阻抗的问题,只要足够大,即认为不影响。
6 P) m2 D. }5 W, k, M. x) d
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