红外信号的隔离电路求解

file:///C:/Users/HISI-13/AppData/Roaming/Foxmail7/Temp-4424-20150417075554/wpsEB.tmp(04-17-(04-17-12-59-04).jpg

1.正常工作时（非待机状态）,VDD-MCU及VDD-CPU同时供电，且电压相同，此时IR_out（高电平）=IR IN（高电平） , IR_out（低电平）=UD1=0.3V，符合标准接口电平需求，IR信号交由主芯片处理，R1、R2为偏置电阻，R1同时为IR信号接口提供上拉电流，R1、R2取值可为1K至10K欧姆。

2.待机状态下：主芯片断电，VDD-CPU=0V，IR_out被强制置低，二极管处于反向偏置状态，隔离主芯片端对IR IN信号的影响。此时，IR IN直接送入待机管理芯片，进行相应的控制管理。

3.为减少二极管正向偏压对IR_Out正常状态下低电平的影响，可采用正向压降小的肖特基二极管或锗类二极管，也可以是任何此类常用小信号二极管。如IN5817或MA700

正常工作状态下，IR_Out正常输出，IR信号送入主芯片进行控制管理；待机状态，本电路隔离IR_Out因接口断电的影响。IR信号直接送入待机管理芯片进行相应的控制管理。

. b+ z  X" s/ D