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001__力科DDR2测试解决方案-Ethan》（百度文库）6 \, g k0 { E9 p9 ]
时序测试这部分中有段这文字，摘录如下：# _$ O0 j* \7 J3 ]
% N; g i( a- }1 G“时序测试部分主要对DDR2数据、时钟及控制线上各种时序进行测量，包括数据输入建立/保持时间、数据输出保持时间、数据读/写时DQS前导/后续时间、时钟半周期宽度、DQS输入高/低脉冲宽度等等二十余项参数。其中，在对数据输入建立/保持时间（tDS、tDH）进行测量时，JEDEC标准规定需要根据写数据时的DQ及DQS信号斜率对测得的建立保持时间进行修正。下表为JEDEC标准中对应DDR2 667/800的输入建立/保持时间修正参数表。例如，写操作时当DQ测得的斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时，测得的DQ – DQS建立/保持时间需要加上67ps的修正值之后方能与标准中规定的最小建立/保持时间相比较。”1 a0 V. z6 F( N% e( ^- ^' S
7 G$ X1 x2 M" n6 l2 v& N
按照这个思路：
3 r# m, d3 l) z' I/ ?: j+ V a1 i( m7 j2 z
标准里面规范DDR2 667/800时候的tDS(base)=100ps；tDH(base)=175ps
4 }( i" [* V* a$ ?2 y7 q对应DQ斜率为1.5V/ns，DQS斜率为3.0V/ns时的修正值分别为67ps与21ps/ ~, L2 E& M5 K* \- z6 b6 ^1 e- B
这时tDS=tDS(base)+67ps=100ps+67ps=167ps；tDH(base)=tDH(base)+21ps=175ps+21ps=196ps6 q' p, r5 N0 M k3 A0 g6 z: N, k
/ \7 X) {3 F* N" ` d
那么是不是就有：
' n9 v) `/ [" N6 w2 L测试到的建立时间+67ps>167ps时才能算符合标准
: F# L( D3 ?- ]( T' ~5 s! p# t测试到的保持时间+21ps>196ps时才算符合标准
1 v5 b0 V% H1 Y9 v1 l+ d+ U. l% \+ Q9 F1 L& {2 t
-------------------------------------------------------------------
) I8 Y! s" }8 s/ ^. Z y- M. F上面是差分的例子，现在在回到DDR2 400/533单端DQS下的情况，再重新梳理一下思路
8 o9 z4 _# w" K4 c4 ^' }; _3 p) O; ]2 d; e) F
（1）规范P89页内容中tDS(base)=tDH(base)=25ps5 P. ^( v s9 z. G( R, x* i
（2）规范P74页内容中“Specific Note 6 Timings are specified with DQs, DM, and DQS’s (DQS/RDQS in single ; u8 q; Y3 [" q- @3 B
9 Z; q( m: X, B$ n$ w {' d
ended mode) input slew rate of 1.0V/ns”是否就可以理解为不管是差分DQS还是单端DQS，被测的DQ的slew : E4 v$ `3 X0 w3 }
: y4 q, J8 `9 q8 C% zrate=1.0V/ns
0 ]2 D) ^. m% O（3）按照规范P95页内容“Specific Note 7 Timings are specified with CK/CK differential slew rate of 2.0 ' [$ n; V4 R6 A8 W1 ^+ p- N
3 t7 Y3 j- \: m, H
V/ns. Timings are guaranteed for DQS signals with a differential slew rate of 2.0 V/ns in differential
0 e* L3 k# s) X% _( p- e6 Z: D3 K% L$ ] G7 F3 P
strobe mode and a slew rate of 1 V/ns in single ended mode. See Specific Notes on derating for other slew
1 R; H7 q4 x; C
5 B2 c7 m3 n' t7 a; \rate values.”
1 I4 `% Z+ O6 e" Y i此时的DQS slew rate=1 V/ns; ?5 A$ O5 O6 z% g& M. J, ?0 x
（4）这样DQ slew rate=1.0V/ns；DQS slew rate=1 V/ns，查P96页Table 46可以看到修正值均为0
1 a _6 r3 b; q+ f（5）从P98图示的DQ与DQS之间下降沿tDS是VIL(ac) max至VIH(dc) min之间的这段时间/ N+ u* e' p% M4 F$ o
查P74页Table 20 — Input DC logic level与Table 21 — Input AC logic level* e$ P* f7 N3 \$ H
. L( d' y3 k+ `! t8 Y' a; o& sVIH(dc)min=VREF + 0.125V
% G" l3 N4 z# _# ]0 J' @VIL(dc)max=VREF - 0.125V) n+ z) l& Y0 X6 V) b2 l+ A2 w, u
VIH (ac)min=VREF + 0.250V (DDR2 400/533)
4 {" ^( c. p! D2 FVIL (ac)max=VREF - 0.250V (DDR2 400/533)9 [4 r/ t0 u U
3 N$ A, V9 O# {4 R& H
1 N! d) e( u! N# M
ΔTF=(VREF(dc) - VIL (ac)max)/(1 V/ns)=0.250V/(1 V/ns)=250ps
1 m7 x( c7 i' r8 }! O+ q6 {tDS=(VIH(dc)min-VIL (ac)max)/(1 V/ns)=(0.125V+0.25V)/(1 V/ns)=375ps+ V& m' V/ N( i$ r2 ^
, {) y1 Q2 h" d, Z2 A按这个时序图里面算出的时间比查表算出的25ps大, n. h) _: T1 E4 m3 U3 E$ a
5 k* a& X8 D. A8 _
“注意到上面的两种不同DQS形式的差异：对于单端，即使在补偿后，仍然还是"base",也就是说，单端信号仍然是建立时* `, f, N/ }& R% O8 e9 Y
! H8 p- \, `" s% B" p0 P+ l
间是参考dc，保持时间参考ac参考page97的table85，page98的table86.这个时候，我们需要加上DQ的边沿时间，将其换
6 d/ o" _+ m% \1 T8 X% ]& c: ?, p7 d+ A C
算到Vref的电压点。”2 k4 a$ L( R: r: p) N
' y! ]+ s& c6 H Q
其中“page97的table85，page98的table86”我在JESD79-2F没找到，是不是笔误？. E# n; I7 Y H, b
另外“我们需要加上DQ的边沿时间，将其换算到Vref的电压点。”这是加上了ΔTF或者ΔTR？
+ D0 E. M; {# z3 @1 H% S- c8 U* j3 ]! t2 X6 b
所以这块在理解上还是有一些困惑在里面( h) w% D% D- U8 j0 H9 l- [
- I5 R1 N6 f# }% ^ f8 O# @
因为在差分的时候也同样存在ΔTF或者ΔTR |
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发表于 2012-5-21 19:09
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发表于 2013-9-26 12:49
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