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光耦控制MOSFET

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发表于 2013-1-4 20:59 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:04 编辑 1 e7 [, L- p8 [' `# d

9 S0 Y8 u4 ]" l0 m  设计了一个简单的电路,用光耦控制一个P沟道的MOSFET,大伙看看有没问题没?实际应用中,还需要考虑什么因素,多给些意见哪,参加工作后的第一次练手,{:soso_e100:}

控制开关.JPG (37.55 KB, 下载次数: 2)

电路

电路

控制开关1.JPG (34.27 KB, 下载次数: 2)

更改后电路

更改后电路
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 楼主| 发表于 2013-1-4 22:08 | 只看该作者
本帖最后由 liuhai2200 于 2013-1-4 22:12 编辑
5 F2 N2 z4 Y/ V- D5 C. c6 f7 S: P8 L# J; ^# |, H- {
第一张图有点问题,光耦导通后,G点电压是升高了,Vgs反而是变大了,如果将R3的值换为100K,R1的值改为1K,在光耦断开时,MOSFET导通,光耦导通时,MOSFET断开,有点不太符合习惯,更改一下见第二张图。: K8 C3 ^/ X  V" ?& C5 {2 E

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发表于 2013-1-4 22:59 | 只看该作者
呵呵,两个图都有问题啊
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 楼主| 发表于 2013-1-5 08:37 | 只看该作者
skatecom 发表于 2013-1-4 22:59
& w0 A: A) j" S, ?+ L呵呵,两个图都有问题啊
6 ]2 y  n) v5 T
嗯,说说问题,谢谢啊。

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发表于 2013-1-6 15:19 | 只看该作者

1 s* n: ^5 D/ |# t( s, m" t( e( p  o0 t- f" L% m/ i" o* Z  r
2 k; j# ?0 v+ ~/ a9 E/ h9 `( L! w  H
试试这个电路吧,如果负载电流比较大,就考虑换个MOS管。。% A8 w* L/ m3 ]) g# D# z
! D3 h4 D. I) j5 K
% ]3 p" l# Z  E9 g9 t- @0 ]

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 楼主| 发表于 2013-1-6 17:18 | 只看该作者
bluskly 发表于 2013-1-6 15:19 9 ^9 o" h2 x7 z) w/ H
试试这个电路吧,如果负载电流比较大,就考虑换个MOS管。。
* _5 q6 b1 M3 ~2 L
这个电路已经在实际中应用了吗,感觉Vgs太小了,接近-48V了,看了AO3401的datasheet,VGS范围是+/-12V。

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发表于 2013-1-6 21:06 | 只看该作者
liuhai2200 发表于 2013-1-6 17:18 " R+ R& V$ f( J) M7 l
这个电路已经在实际中应用了吗,感觉Vgs太小了,接近-48V了,看了AO3401的datasheet,VGS范围是+/-12V。

; W( y0 X, A4 P/ {3 p/ e8 O9 O哦 确实是的  改为N-MOS 光耦的C脚给过一个小的上啦电压吧 这样应该就好了 不要用P-MOS管吧

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发表于 2013-1-7 09:07 | 只看该作者
第二张图如果把R8去掉应该是可以的。

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发表于 2013-1-7 10:34 | 只看该作者
看不出LZ的目的是什么?

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 楼主| 发表于 2013-1-7 12:51 | 只看该作者
wudi20060501 发表于 2013-1-7 09:07
2 @+ d; v8 N9 c) J# p第二张图如果把R8去掉应该是可以的。

9 R; n7 W. ^( p. s7 kR8去掉,VSG会比较大。

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 楼主| 发表于 2013-1-7 12:51 | 只看该作者
no4ing 发表于 2013-1-7 10:34 5 g; I8 l4 Z( f/ q$ C  m
看不出LZ的目的是什么?
0 c: V1 U+ D. A
用外部的信号控制电源的通断。

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发表于 2013-1-8 21:13 | 只看该作者
个人建议,大电流负载还是用N管好一点,N管内阻都比价低,价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的,是因为,用来做开关的MOS  G极,要不就是直接拉地,低电平,要不就直接拉高,高电平。楼主的两个图,没有能做到这一点。
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 楼主| 发表于 2013-1-9 14:47 | 只看该作者
skatecom 发表于 2013-1-8 21:13 7 H/ M9 Q: o" G; p9 i% r0 {
个人建议,大电流负载还是用N管好一点,N管内阻都比价低,价格也比较便宜。我说楼主的两个图都是有问题的, ...
) l( I' f6 O5 _; k8 ~# z# D
哦,我用PMOSFET是IRF5210,它的VSG是有范围的,而我电源电压就达到了48V,所以控制栅极电压,就用了电阻分压。附件是IRF5210的手册。欢迎多提意见。
% ^6 n9 l3 S, o! f: }还有用NMOSFET做电源开关控制,不知道如何设计,提供下思路,谢谢啊!

IRF5210.PDF

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发表于 2013-1-9 16:36 | 只看该作者
楼主,第二个图没问题吧?人家VGS一般都控制在20V以内,再大容易损坏MOS管!
我的邮箱:xhcgy2003@yahoo.com.cn
我的QQ:232454936

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 楼主| 发表于 2013-1-9 20:38 | 只看该作者
xhcgy2003 发表于 2013-1-9 16:36 0 O- v# l5 g8 p
楼主,第二个图没问题吧?人家VGS一般都控制在20V以内,再大容易损坏MOS管!

7 s: J  |  f& p6 A. O$ e好的,谢谢提醒,实际设计中已经将电阻阻值设计好了,使得分压在VSG范围内,非常感谢。
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