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询问关于手机板的DDR2 的规则问题,谢谢

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发表于 2012-11-28 10:32 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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询问关于手机板的DDR2 的规则问题,谢谢
7 K5 Q: P* d0 L8 W  [1 w1.走线等长问题:7 K% v, S/ A4 A) J
每组11根线的等长误差:              与CLK误差:
" ~' [! T! M9 ~: ZCLK差分误差:6 G9 `1 N0 B0 ?6 s& C
地址线和其它线与CLK误差:
7 N* ]  M- {4 ~* a" n* P* {# F: n2、走线层问题 (主要是DQ) ?5 |8 V3 N7 g9 U8 i- R% R5 p9 {
1阶板:lay2 2 I( o  b/ _; A7 w6 n
2阶板:lay2 lay3
# D7 t2 Q  k# b3、阻抗需要控制问题(50欧),如需控制2阶板阻抗如何控制?1 z3 [5 o* H6 S1 d$ l- c

# K3 T* A7 L0 i+ j- p! I) `0 c& W+ z7 j因为手机板走线密面积小,所以请高手能给出参考,谢谢
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发表于 2012-11-28 13:05 | 只看该作者
DDRII数据线同组同层走线(DQS0/DQS0#、DMN0、DQN[7:0])组内等长围绕DQS差分做等长误差为20mil\10mil,不同lane组的等长范围为20mil\30mil,地址、控制、时钟线(远端分支结构)同组围绕时钟差分做等长,误差范围为50mil\100mil,所有差分线的等长范围为5mil,地址、控制、时钟组与数据组误差500mil;单端阻抗50欧姆,差分100欧姆;[数据低位、高位每组11根信号同层布线]
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