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DDR3走线规则

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发表于 2015-1-6 10:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 紫菁 于 2017-9-14 14:36 编辑
  f8 e4 T1 [) m0 f
) B! W5 o; J' q, O7 e
具体描述:
1SD-CLKO+(-N)差分自己长差《25miL
差分与地址线组,控制,命令差分《500miL
间距与自己间距》2倍线宽;     与其它线间距》16miL;
线长控制T1:1000MIL~1500MIL;  T2:500MIL~1000MIL:  T3:〈200MIL(如右图)
          
2地址线组,控制,命令差分要求两个分支的T1长度差《20miL  (如右图)
间距与自己和其它线间距 》 10miL
线长控制T0:500MIL~1500MIL;  T1:500MIL~1000MIL:  T2:〈200MIL(如右图)
    
3数据线组(4组)差分四组之间差分《50miL
间距每组间距是》 10miL
          
4SD-DQS(0~4)/+(-N)差分与 每组数据线(4组)差分《25miL
间距与自己间距》1.5倍线宽;  与其它线间距》16miL;
线长控制1000MIL~2500MIL

' s, A9 w/ s: u: @# a4 t$ R' k8 }7 e' j9 Z" f5 I( a; c2 Y; H
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发表于 2018-3-24 08:56 | 只看该作者
学习下                           ; G7 h/ m7 N' B( f. @' h& O

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 楼主| 发表于 2015-9-7 15:44 | 只看该作者
suguanhai 发表于 2015-8-18 12:297 E: v% \# E' {; Z3 Z. a+ l! L
请问所有的DDR3都是这么走的吗?
  @* w- E( m% P# k& F( X
嗯!都差不多!2 j  m, R5 Z/ L7 T

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发表于 2015-9-6 14:18 | 只看该作者
怎么样才能增加怎么样才能增加怎么样才能增加怎么样才能增加威望阿6 \& F0 y# T: c. A# B8 @4 I

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发表于 2015-1-10 13:45 | 只看该作者

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发表于 2015-3-20 17:50 | 只看该作者
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发表于 2015-3-21 08:13 | 只看该作者
谢谢分享!!!

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发表于 2015-3-22 21:00 | 只看该作者
看看先,学习一下!

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发表于 2015-3-23 11:20 | 只看该作者
谢谢了。

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发表于 2015-4-7 09:12 | 只看该作者
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发表于 2015-8-18 12:29 | 只看该作者
请问所有的DDR3都是这么走的吗?

点评

嗯!都差不多!  详情 回复 发表于 2015-9-7 15:44

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发表于 2015-8-19 14:33 | 只看该作者
谢谢分享

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发表于 2015-9-6 09:32 | 只看该作者
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发表于 2015-9-6 14:16 | 只看该作者
非常滴不错啊!!!!!! B, m# A& j+ p, n7 S

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发表于 2015-9-14 10:30 | 只看该作者
好资料  谢谢 分享

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发表于 2015-9-14 16:54 | 只看该作者
很好的资料 谢谢作者
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