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求助:关于mos管发热问题

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发表于 2012-6-19 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位:
, O* ]; n, L1 G, w4 ^1 ]/ ?& P4 w6 N5 ?' d
最近按照要求画了块板子,但调试时发现mos管烫的厉害,根本无法常时间工作。而且波形幅度值只有8V左右,请问如何解决发热问题,并提高波形幅度。
1 q3 s% }1 g% y) F3 I. j原理图如下
8 C: L" y2 d0 Q' J# Q

123.png (153.04 KB, 下载次数: 2)

123.png
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发表于 2012-6-19 17:57 来自手机 | 只看该作者
是贴片的吧!加大散热铜皮,如果是立体,在允许的情况下,加散热片吧!

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发表于 2012-6-20 11:10 | 只看该作者
加大散热铜皮同时多打地孔

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发表于 2012-6-20 12:31 | 只看该作者
本帖最后由 romantic878595 于 2012-6-20 12:34 编辑 : L. `. W' V3 a! v* z$ d

" T4 q% J  k: Q* Y1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应降到1M以下。* i1 d  j/ }: [% ^; T
2 ,选用低开启电压的MOS管,也就是所谓的逻辑电平MOS管。如果你用普通的MOS,要求10V的驱动,你的驱动IC只有5V,驱动不足,造成导通电阻大。
1 j+ D; c' V1 x7 L, R& D3 尽量选用低导通电阻,低Nc值的MOS管3 v- p( x  l7 k- X! o2 B+ ]; m
4 加强MOS的散热。, R5 d" D6 B9 f2 K) q2 w
5 在电感线圏处并上防止反向电动势的二极管。6 `* W8 t/ c, C
6 加强IC的电流驱动能力,HC00还有一个门没有使用,应把他们的输入并联,输出通过一个驱动电阻(约10R)后,然后并联.
* k! V& T2 n2 G% h

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发表于 2012-6-20 15:13 | 只看该作者
4楼说的全面!!

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 楼主| 发表于 2012-6-20 15:40 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 9 _% Y) \# I& j
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

0 i( N5 ~  I  J: ?十分感谢你如此详细的解说

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发表于 2012-6-20 21:43 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
; c- x& |4 I" N十分感谢你如此详细的解说
( f4 Q$ X9 ~5 ^# i5 H
不客气。论坛精神,我为人人,人人为我,相互学习,共同提高。感谢EDA365.

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发表于 2012-6-21 10:49 | 只看该作者
gsywm 发表于 2012-6-20 15:40
5 R: q1 d# Y1 S5 L* ?8 m* k十分感谢你如此详细的解说
" a6 C2 ~2 F% D0 I( e) G
问题解决没?
在交流中成长
Mail:xhymsg@gmail.com

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发表于 2012-6-23 00:22 | 只看该作者
xhymsg 发表于 2012-6-21 10:49 - @- n1 T; o1 U! V7 q/ t* c  a
问题解决没?
' n2 |4 m) _3 H) j+ w
就是啊,问题决解了
时常捡一点过期狗粮,勉强度日,毕竟生活总要继续

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发表于 2012-6-25 10:38 | 只看该作者
MOS极性接对了吗? 应该是个NMOS,图上画的却是个PMOS

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发表于 2012-6-26 23:16 | 只看该作者
romantic878595 发表于 2012-6-20 12:31 , l/ X- N+ H+ w
1,把驱动频率降下来,现在工作是11多M,MOS管开关频率越高,损耗越大,最好能降到500K以下。实在不行,也应 ...

4 o" [% b+ f4 s学习!
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