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[仿真讨论] Via 对高速信号阻抗影响

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发表于 2015-9-1 09:39 | 只看该作者 回帖奖励 |正序浏览 |阅读模式

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关于Via对DDR3信号的影响;(1) 过孔等效长度影响     (时延)$ `* S6 N$ ^2 @4 N/ K5 y
(2) 寄生电容,电感影响(阻抗不匹配)) |4 W6 t  C7 R- v0 f

' {/ l. F/ ^% M  w以上两点,在设计时,要优先考虑哪点。- J, j! g1 N9 M& x0 x4 V! d

: L6 Z; |) H$ U9 k( p2 q
4 X! G, S. o" |& b1 ?$ I% u2 _
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 楼主| 发表于 2015-9-6 08:50 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-9-1 11:18
& c3 X( U7 H2 z3 ]第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。
! x( u( X. F# N4 c2 c! q0 n- T: @
感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。1 l2 ~3 g' X3 ^3 n# `: O3 U

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 楼主| 发表于 2015-9-6 08:48 | 只看该作者
True 发表于 2015-9-1 09:59
9 |& b% U4 _" A3 [这两点都不用担心。速率不是很高。
" _& @( \* t0 E4 A6 X$ P" O9 a$ w* k2 }
现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。

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发表于 2015-9-5 08:53 | 只看该作者
我只说一点,DDR3对时序要求很高,DDR4也是,这也是DDR4速率一直上不去的一个原因

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发表于 2015-9-2 08:54 | 只看该作者
各位版主回答很精辟呀

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发表于 2015-9-1 11:27 | 只看该作者
如果单从SI来考虑的话时延要求比较高,毕竟DDR3对时序要求很高,但是如true和cousins所说,DDR3没有那么严重,如果做到所有的同组线同时变化(打孔和换成),也可以多打个via。多考虑下EMC方面的措施。组可能方面的话,DDR3要求没有特别的严格。一般都能满足要求。

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发表于 2015-9-1 11:18 | 只看该作者
第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。

点评

感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:50

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发表于 2015-9-1 09:59 | 只看该作者
这两点都不用担心。速率不是很高。

点评

现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:48
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