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如图所示滤波电容。

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发表于 2015-11-9 09:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一般芯片推荐滤波电容都是1UF1NF级别的并在芯片电源端口,如我画的这个图,四层板,电源端口在芯片边缘,芯片在顶层,滤波电容在地层,最后芯片中间肯定我要画一大块地的,请问像我这样可以么?还有这种情况最好的处理办法是什么?我也看过JIMMY的书,但是那种电容滤波都是最理想的情况下。很多板基本都不能达到多打孔。
0 d9 r4 _. n! }  v1 R2 {2 E* ?. ^还有就是假如电容命名为1,2,然后1,2是并联的,我是把1的电源端打一个过孔到电源层,然后在2的电源端打一个到电源层,然后还是1连到2然后在过孔练到芯片?6 \9 F& i$ l5 P9 l' T1 B

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 楼主| 发表于 2015-11-9 09:31 | 只看该作者
还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

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不用  详情 回复 发表于 2015-11-9 14:36

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发表于 2015-11-9 10:25 | 只看该作者
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发表于 2015-11-9 14:36 | 只看该作者
杨悦兮 发表于 2015-11-9 09:31: g  o: t7 A, g  {# A1 q; U
还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

3 d( `0 W. ]$ U. s; {$ X% E0 U不用
8 W) X% u! `  Q5 E9 z- ?
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发表于 2015-11-9 16:06 | 只看该作者
1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽量短到滤波电容。
$ t. G9 z) \( _$ M2 晶体下面的不需要隔离。
9 L4 J1 r& G: P3 你的泪滴太丑了。把那个CURVED点上。

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谢谢  详情 回复 发表于 2015-11-10 07:29

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 楼主| 发表于 2015-11-10 07:29 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-11-9 16:06
7 {- y9 q& P, R5 o1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽 ...
) u# e7 P* b3 K; n1 w5 l
谢谢

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发表于 2015-11-10 18:43 | 只看该作者
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