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DDR2嵌入式应用问题

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发表于 2010-8-31 11:58 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在DDR2嵌入式应用中,数据线(DQ,DQS,DQM)是一一对应而且有ODT,所以可以在源端加匹配电阻即可。而控制线和时钟线在多片DDR2芯片时,一般采用T型连接,在查看了一些PCB设计发现,一些设计仍然只在源端加匹配电阻,一些还在T型点加Rt上拉VTT。
& b0 ]1 y* `$ U现在有几个问题,希望高手给予指导:
$ r- K& _! R, I3 _' K2 ^+ d! a; g1:只在源端加匹配电阻,信号从驱动源输出后将在T型连接点反射,由于源端电阻吸收,不会产生影响。但是在T型分支到DDR2,将再次发生反射,是否只需分支足够短就可解决反射问题。0 d: P6 ^/ D% |3 C
2:加VTT的原理是什么?以及VTT是否有额外芯片提供或者可用VREF?
6 @* e& s- J( H  e3:感觉加VTT和菊花链终端匹配的原理相同,一些资料中将可以直接上拉到VCC终端匹配。应该上拉VTT还是VCC?9 ^2 ]( ^9 A, a- k) X
4:各位如果有菊花链匹配资料,希望上传一点。
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发表于 2010-9-3 16:53 | 只看该作者
1.匹配问题:阻抗匹配指的是传输线的匹配,只要保证传输线的特性阻抗不变就不会产生反射。源端匹配是由于芯片输出阻抗小,所以加一个匹配电阻。这里T型连接反射影响不大。% }* o" F* u/ b+ N' q. T' g5 J
2.VTT是为了增加驱动能力,所谓的拉电流和灌电流由VTT提供。VTT是外部电源提供的。数据线内部有ODT,所以不用加了。% L' ]6 {% W3 i* E/ |" o
3.没有见过上拉到VCC的。

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 楼主| 发表于 2010-9-3 18:52 | 只看该作者
谢谢给予回复!写了这么多问题,能看完并给予回复,非常感谢。
" x  ]" D* ?1 S/ i: n9 a: W! c我在这里将我这几天看到的资料整理一下,以给那些刚接触到和我一样想学嵌入式DDR2布线的。如有问题希望各位指正。
3 Y2 Y1 V2 D: _* c1.嵌入式应用比做内存模块(内存条)要求简单一些。有许多原因,例如频率不是太高,内存芯片数量较少,布线较短等。- l: N6 p! R) g4 ~6 {. D% o
2.数据线是一对一的,点对点拓扑应该是最简单的,只需要靠近处理器加匹配电阻即可。
) }& }- @" a: ?& ^: i+ E3.地址线是一对多的(两片以上),也选择源端串联匹配,同时要使T型连接点分支以后到各个DDR2的线尽量短和长度相等(走线的长度小于时钟上升沿时,可以忽略影响)。, T5 N4 H" A- z
4.时钟线为差分线,可以源端串联匹配,并在终端加差分终端电阻。, I3 ~1 W3 M. W1 p9 D9 T3 W+ _, M
以上为个人的一些浅见,希望高手补充。/ D* u/ |, }3 s0 C; O: |1 D/ x8 n
+ V+ u% m* c( o( `  o/ ]
我上面的问题关于上拉VCC,是想问在菊花链拓扑结构中(不是DDR2拓扑),看到有在终端上拉VCC,或地,或者RC匹配。一直感觉上拉或者下拉,电流应该会很大。RC终端匹配应该比较好,现在又有问题是,如果考虑整条线的匹配,电阻值应该50欧姆左右,电容比较小大概几十pF!但是看到一些设计中电阻采用几K电容为100pF?不知道那位有这样的设计经验,分享一下。
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