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关于MOS管内部寄生二极管

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发表于 2016-8-31 15:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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大神们,请教下是否现在所有的MOS管内部都会有寄生二极管的存在?2 p4 k- b+ k2 ^& x
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发表于 2016-8-31 23:55 | 只看该作者
看图说话,MOS其实是四端器件,这个模电有说,但我们平时用到的没有4个端的啊,因为制作的时候把图中的沉底和S级连在一起了。很容易看得出,本来是完全对称的,因为BS连在一起了,就不对称了,途中的PN结本来有2个,结果只有一个了,这个就是body diode了。$ r. W/ i1 K9 [; w) Z
那也很容易知道,假如BS没有连接在一起,就有2个二极管,Vgb不够,DS是不会导通的,虽然有二极管但是2个背靠背就不用关心了反正没有Vgb不导通。当然此时DS是可以互换的。
' {# S) [( K( L6 N4 T3 z' H

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发表于 2016-9-1 10:25 | 只看该作者
应该是吧,画MOS管示意图上面都有寄生二极管的.
一朝英雄拔剑起,又是苍生十年劫
唯刀百辟 唯心不易

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发表于 2016-9-1 11:03 | 只看该作者
那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊?(带载能力,效率等?)图中这个是升压电源的 HMOS,输入20V,输出50V,测量时确实带载能力不够,,,还不知道原因。
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你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。  详情 回复 发表于 2016-9-1 20:08

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发表于 2016-9-1 20:08 | 只看该作者
hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
$ N: x3 F. W. d  ^. _那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊 ...

9 F; N7 A) Q5 H# `4 ~你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。
3 q- Q- s% o/ O: S% z

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就是这个,帮忙分析分析?  详情 回复 发表于 2016-9-2 09:44

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发表于 2016-9-2 09:44 | 只看该作者
kevin890505 发表于 2016-9-1 20:08
$ W* ]1 ~, S4 l; W% g8 R你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个 ...

1 G' e3 A/ i2 M5 x就是这个,帮忙分析分析?1 t' d. d* O, h% @; X

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pwr.png

点评

这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。 应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。  详情 回复 发表于 2016-9-2 11:02

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发表于 2016-9-2 11:02 | 只看该作者
hao2012 发表于 2016-9-2 09:44
2 r& V" M3 x+ H- z4 g0 ^& ?. ^! l就是这个,帮忙分析分析?

1 c% t4 |& q! x! U( O这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。4 o7 E6 v6 `/ d' v, j
应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。然后下一个Lmos关断,电感电压和电源电源叠加升压,同时Hmos打开,此时MOS就直通,相当于Rds把body diode短路了,而不靠二极管续流,那这个地方就没有二极管压降造成的那么大损耗。下一个周期反复。
9 m; A' B8 t' j# ~, `  k1 _可见,整个工作过程中,可能只存在MOS导通缓慢才会有大电流流过HMOS的寄生二极管的情况,但设计会避免出线此情况。完全关闭导通后都不会有。
* h$ V4 h& y# B) V; A
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