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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?

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发表于 2010-11-24 08:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?: c7 I3 T/ G( _) [9 a
我今天到一个客户那里跳板子,原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的,客户处于某种原因的考虑,将这个1M电阻去掉了。+ G4 F8 A) j1 E# M5 E6 l
下完程序后,在有1M电阻的板子上面,马上就可以运行程序,而在没有1M电阻的板子上,要过很久程序才开始运行。6 D1 q' j. B8 @# b( m; \
看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。
# c' Y3 P! j( l9 `但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?: G" i8 L. W8 O- v/ {" K
有人说防止晶体停振,但到底是什么更有说服性的原因呢?
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发表于 2010-11-24 18:19 | 只看该作者
回复 m2866001 的帖子
- s8 S( a# T! Q' s7 W4 Z. |8 A. ]6 @6 f; t
增加了晶体的负载电阻R,根据品质因数的定义Q减小了,那么选频系数变大,相当于频带变宽吧,起振应该更容易

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 楼主| 发表于 2010-11-25 09:24 | 只看该作者
谢谢

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发表于 2017-1-21 09:24 | 只看该作者
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