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三星内存颗粒
) l, ?0 n2 J& J2 V编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X ( r/ K) Q/ }( z
; F" |/ s# \2 F+ A/ g
主要含义：
3 x0 d+ H' B& \! Z8 C l3 o1 `, ~0 C2 S6 D5 ~2 x- w
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 + m: E8 `+ e- e+ k5 L) ? t
i# s9 K$ a0 m# [$ M! n
第2位——芯片类型4，代表DRAM。 5 O0 K$ z: H1 ]. J1 w
0 s' a- t% e2 O3 Z1 r% V第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
% [+ l) i$ O1 R0 H/ T7 i3 }! |2 e* \( I! F
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。 1 j' q- _5 R7 W8 z( G& e0 I7 s9 @9 l
+ Q7 g7 E# F" P# j* W" e1 e第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 / p: u2 ?! g8 L2 A8 U/ F$ }" u
( k$ \$ r- _/ z+ ~* u8 q: d3 q: a第11位——连线“-”。 0 N K" D3 O: }" w
9 L7 W! i2 Y: B" r5 k/ @( q& O第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
' R4 q9 G! `! z5 e5 i9 R; U
" `; \, ]/ R; f知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。
! h- z2 F% f- E
+ x$ U) N' w# S3 \/ Z注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 : J j7 U( c9 _" Y7 _8 f' m$ Y8 r
* k" `7 f2 o( C/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
. ^6 g P* o5 A. c S. y# P) @# f! t% M( F
Micron内存颗粒
* G. L# P P3 e. }8 d6 a+ E
' l/ q u/ b6 @( \0 L. XMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
+ @1 W# N3 s0 S$ v) f) v$ ~8 F
2 r, w- @1 x" U" `6 [含义： 8 ?, \ l! K: R8 }# _
) Q/ l% Z6 @* \5 l( l/ KMT——Micron的厂商名称。 0 F4 e/ q: ?2 W, j
9 ?5 c& b+ \/ E; x' @48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
: T. C4 R* G; ]. ?9 A1 U5 z2 d! q* B- s! u0 A1 N( X
LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
* ]; ]6 K; a6 T7 E/ b) e; m- v6 ?2 C/ D6 M. D! \
16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。 $ f/ Q; L+ @3 w; U: g
! h" \5 w( `" {6 g! S6 M& h7 H- K
A2——内存内核版本号。 , J* I1 e7 U$ t1 C/ w( {
. a+ G( y* i" X$ i% q
TG——封装方式，TG即TSOP封装。 3 e9 w, `5 t2 U( d
* e, T8 a- S9 @: K% D& l9 ^-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。 . L" K9 B8 J5 F# R% A
. [4 X& O; r. R# V7 Q
实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。 $ h3 G, Q" o2 T3 M
6 [2 \1 K' K# D2 X( X
其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
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. l0 ?, D! Z3 y1 o: x7 c6 Q5 |西门子内存颗粒
: y3 M7 |5 L; I& ^
* t$ H7 S/ [/ e: ~, i目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
5 g0 K0 O- J6 A6 n1 _ l- m
* o/ [' Y7 H' Q; D; @: eHYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
6 x2 v( T- o+ _( T n+ i- [' M1 [$ _# m% a
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。 ) U& f6 u% g. f3 V
$ F& [, y8 f" x! O. _0 x
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； 5 r( K# I' j( e# o! `
+ c- H& R! {2 |-8——表示该内存的工作频率是100MHz。 1 Q! b7 ^9 p( G$ ?
8 H4 a7 g& u/ c例如： ) I' S4 |2 |6 n- v' `
1 n3 ^* \' O8 x4 S! g1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。
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1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。
4 s) z" p# Y& S8 p/ x; P7 n4 O2 {# r. J7 L4 ? c; ]4 C+ }
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7 a) I4 s9 ~4 ]) V1 F+ d, uKingmax内存颗粒 # P" s: p3 y+ i6 g+ \% ]0 M' u! F
: y8 L" q1 C( C6 x$ N3 t7 p; p+ k
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
* N5 I8 ~: f, W/ ?* ~# L! C$ z) i* W9 g0 e: p9 h1 U: ^' c
容量备注：
' y& Y3 Y! ^' L) K, V) b$ |1 r
2 T, ?# u: a( n2 Y9 o8 B6 K& N# KKSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； " N, P/ x$ t0 x2 d) |
9 ?1 i: j* K" o) ~( s
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； * P& ?/ T" b; G/ _; w. f& i; L
: D/ O: I& t% F
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
- W' S) \5 A H
' n5 i- R* `9 G3 Q8 X4 Y8 ^# K9 q: JKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； / X' U( Z3 T& z
r' \) e& @; K
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
* E) F$ L& K+ S5 ^% V; N$ h
. _) ?8 Y& I" {1 qKingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： % T0 u% Z, d. v
. `5 n- C) L: O0 n4 M- M6 }-7A——PC133 /CL=2；
$ _, T+ U4 ]" R# m2 O: @2 M; k: a8 U* C! r" G
-7——PC133 /CL=3； : ]6 n! r/ H& A& f, |5 \
* W' C" c( j/ B* T) q6 h
-8A——PC100/ CL=2；
. \( E& [1 H [4 }, x" A# Y! M( i7 r7 U
-8——PC100 /CL=3。
+ s7 A7 W% T( D [
& T) m4 O' G) g8 a5 R& i8 E例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。 2 [( C- M* d$ z4 |8 o
. ~* N; k9 e/ R5 W- `, T/ F内存颗粒编号与内存品牌知识介绍 ; Y8 o8 O% a6 f* [* n/ r* J
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量
* O8 E/ l$ \3 l- | B
C& d3 b, h0 B% `4 o+ A( J/ k, H g8 U///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// 8 l; @. g9 c, V& J% A
% r! u, q& K" b5 |- i
HY颗粒编号
# X& ^3 h0 U$ @2 ^, k0 x: M; X& x* |
3 f! \$ b; C7 g7 E- j. G
HY XX X XX XX XX X X X X X XX / J, q& l) t3 P @
) u) _8 G- H3 S, a: R
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 , i) M$ V1 ~: F4 f( v! n
O, S5 H# U$ D1、HY代表是现代的产品
' N4 _! n; z9 S; B
& o; r8 Q, H2 V" K% w! g 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； }" b! {$ Y; A% s8 c
$ Q8 g) C+ G- i: ^9 O
3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V ' O2 J4 ?3 y' m& q$ U+ d
/ U) W/ N) |! M7 V) }' W9 ]
4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
) a6 T& @2 a4 h5 |" Z4 J' t) c8 @6 e7 R% R& r
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 ; Y5 l* x6 D7 l$ k& b7 ~8 @
0 |9 o! z: L% U0 o
6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 s$ g T: ?* ^9 l+ B1 d8 B
& o8 h: \1 s( J! b 7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
t6 N& H3 q" J1 {
7 G% |* ?( z; ~ 8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
) V7 G8 j! E- W) M8 n, V3 O; ^9 i- D; N$ `! l# C
9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 1 t9 |- J/ [+ Z. R) N% u1 `3 M/ a
; E* X- x# k2 J d! g0 \0 M' A 10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ & N7 J2 U% T4 J
3 S+ F- t) O+ r4 w: f; ] 11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、 K DR266A
7 y$ n. f+ |5 A! b; w/ t# E$ N9 }
0 G0 Q) K- Q9 B2 ^///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////// " P: W2 i1 k; C* f" L. U; \
2 {3 u! z5 y8 K, |TOSHIBA DDR内存:
( {% T0 K9 |. o0 `$ c0 N" |) J$ k1 r0 ~
TC XX X XX XX X XX X XX ! P8 x8 m B" B% n1 y) h
6 T* Y$ |. c6 z" J1 2 3 4 5 6 7 8 9 $ J; _0 J6 M1 T
, v% [3 A6 Z/ M% A8 e
8 g. p/ n- z1 v
1、TC代表是东芝的产品
8 f; p. h/ F3 a* L3 F! s: T$ }; p0 F. v* A/ S
2、59代表SDRAM代表是SDRAM
. D% s) c: X# F9 {6 ?$ {6 }8 F2 @4 D% l: E5 m7 `
3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 5 a% G: b: B- ?0 E- J, L4 ^
( W: Y( }- P1 ~
4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb ( J! P1 S/ ^6 K# K* Z ?; }
5 N, ~: Y! g( q* v( R
5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
+ l- s; u L+ s9 u# @5 g# q% I& ^. `, R% `+ i8 T
6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新 1 b V& u, r" i6 i. m, ^4 w0 @
. G6 B5 n _- E$ \ a 7、代表封装：FT为TSO II封装
: a0 L# R6 S/ D$ t$ R% _
9 X, `, m4 J" N5 F* N" u 8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通
4 m" K/ a% i- M1 Q1 v- R' |; m+ X
1 X& u3 g" S6 a 9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3 1 b4 a6 A- E+ b$ b8 J+ d \* K
3 I8 n2 q1 o6 s4 `/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
/ a9 f: I2 ?1 S5 m) u, B" K* G8 r3 L! b9 ~/ o- v
宇瞻DDR内存:
# G& F8 U- P& B" d; n- x* g" V) y) z$ U& _/ q
W XX XX XX XX 9 d( J4 I4 g: Z" T* r, \
5 K- G/ Q# T) F3 |4 {1 2 3 4 5
2 a' u( A, }7 r, l
7 s/ Z9 }* T0 U% b `' W; O v4 \0 u7 Z/ g) m2 r$ V4 m
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产 4 q. H9 k! l. C7 T% @7 O
% `8 b1 I! R. W3 c
2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM # M+ ~2 L7 w& _6 c3 s$ p
7 Y8 ?8 R$ q5 h8 w0 q7 s' J
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
2 j" h! G1 g& k4 ]" [" c( m1 E* a8 X: O& B% \- J1 H
4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
0 f9 G: r( e3 m! T2 p+ i& e( ~/ a
+ ]5 {) X3 B) b 5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz |
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发表于 2010-4-29 17:47
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