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[仿真讨论] 有关DQ_HALF_ODT50和DQ_FULL_ODT50的区别?

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发表于 2012-12-24 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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现在做DDR2的仿真,遇到一个问题,IBSI模型中有很多标准,例如,数据管脚就有DQ_HALF_ODT50_667、DQ_FULL_ODT50_667等等,我想请教一下,“HALF”、“FULL”有什么区别?在什么场合使用呢,谢谢!
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发表于 2012-12-24 11:31 | 只看该作者
请把IBIS文件上传上来看看,大家分析。667MHz下的两种模式

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发表于 2012-12-24 11:33 | 只看该作者
“HALF”、“FULL”有什么区别?" Q& e: ?3 j1 f% w& F
半驱动及全驱动输出,HALF 输出阻抗较大,FULL输出阻抗较小,搭配你的PCB 阻抗设计,以终端信号振幅足够大,信号反射最小为原则。

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发表于 2012-12-24 13:06 | 只看该作者
驱动电流的大小区别,- l# p* V: w; M4 c( @$ M
如果你的负载多的话,可以使用FULL,
" o8 W: A% v& _  J2 W; b少的话使用HALF

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 楼主| 发表于 2012-12-24 17:03 来自手机 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-24 13:06  驱动电流的大小区别,  如果你的负载多的话,可以使用FULL,  少的话使用HALF
! B9 L" v3 p8 `* v! \" y1 V
DQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时,控制器发送数据,DDR2接收数据,这时DDR2的数据总线的IO模型用带ODT的;在读数据时,DDR2发送数据,IO模型不要带ODT的。这样的话,您说的就不对了吧。

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发表于 2012-12-27 09:19 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-24 17:03
* E7 p! j* {0 F; E. M0 PDQ_FULL_ODT和DQ_HALF_ODT是DDR2的IO模型,怎么谈到负载的问题了呢?DDR2是控制器的负载啊,在写操作是时 ...

; K" q5 ]% n. K
+ D6 W4 Y" N. S+ f3 Q不好意思,看错了!你说的对的。
$ z& ^+ h" t- `: H1 X" u8 M0 @4 |: l% |: T5 i2 _
一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ_ODT75  or DQ_ODT150, or DQ_ODT50.
4 i. L$ o3 D& J0 Q) n2 h" K# y你说的那个有点奇怪。+ F2 P" _& i; x3 W! h
要不告诉我们DDR2型号,我们去下载看看。
9 K0 W0 f/ g$ \, A- P. D一般IBIS文件里会对模型做简单说明的,你找找。

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发表于 2012-12-27 11:48 | 只看该作者
那家的,把模型传上来,分析一下。

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发表于 2012-12-27 23:17 | 只看该作者
hello
! h- y9 a# {% K$ SODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。& M+ M; Y! K+ h: ^( f5 n
HAFL.FULL的区分一般情况下是作为发送端进行区分的,就像3楼兄弟说的那样~
$ N) Z# H0 p, R. W6 t$ C( H
% r5 |# z' O9 D  w& u/ m9 u8 \9 `如果这个model是I/O就能说通了,即作为接收端口时是用ODT模式,作为发送端口时使用FALF.FULL模式进行区分。可以利用两个model做个简单的替换实验就能知道是不是这样了。

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:02 | 只看该作者
kaenii_nanjing 发表于 2012-12-27 23:17 4 z# f( [2 X: f8 P
hello- f, q' \- ?4 g. C9 k9 k! y* `
ODT是作为数据信号的端接匹配,通常情况下会按照端接阻抗的大小进行区分,不会进行HALF.FULL的区分。 ...
0 Z2 W5 K% p6 |3 Q! A
就像你说的DQ*是DDR2的数据总线是IO,当DDR2作为负载时,ODT功能有效;当DDR2为驱动源时,有HALF和FULL两种模式,不知道这两种模式怎么区分的,我查了下,好像是驱动力的强弱之分,不知道是不是?

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:13 | 只看该作者
qaf98 发表于 2012-12-27 09:19 ) x- }1 N5 e4 K  C# Q/ ~
不好意思,看错了!你说的对的。
* d+ ~6 A+ s6 W- `
9 K+ v2 h, _$ s8 X4 {9 S3 j: s" Q% x一般的DDR2 DRVIE model DQ_HALF  & DQ_FULL,   DDR2 RECRIVE是 DQ ...

* I) f% y; u/ V: i( o是美光的,MT47H64M16HR-3,顺便问一下,仿真地址和控制的时候,用的是哪一种模型。

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 楼主| 发表于 2012-12-31 15:17 | 只看该作者
willyeing 发表于 2012-12-27 11:48
0 O" z" o- j1 R6 F& a3 F那家的,把模型传上来,分析一下。

7 f# f% Z% ^. G1 a% [请分析一下!

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发表于 2012-12-31 17:52 | 只看该作者
这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看你DDR驱动对应寄存器的设置。
/ [$ r5 B/ p/ P; a$ }# k9 s' B3 y( C9 T) F0 `/ \9 |) S! G

+ X4 ?+ {( M- i" @0 t1 M6 j( T: I
) b0 c' E$ F( }3 f2 r0 f7 v; H7 b5 Q* {8 g; c3 Y/ f
" `. B8 ~' g6 V# V$ w" U( j

, S8 ~* @5 f( e2 l9 `2 E  S" w0 N  R8 }6 r, Y& I9 `+ N8 Q$ B
& @) ?8 O( D* L

; P, A% X# o5 Q9 x, O
" X: I  k; \: E7 m- G; p: k2 Z! p* V; z

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发表于 2013-1-4 10:50 | 只看该作者
yinning 发表于 2012-12-31 15:17
5 ]' {# r7 ^. X5 Z请分析一下!

/ U9 c! ^; _7 ^& s如果是hyperlynx的话有个model selector选择你要的模型就可以仿真了。

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 楼主| 发表于 2013-1-4 14:18 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-12-31 17:52
* \2 ^, p1 _$ k+ U4 W( s7 G& s这里的FULL和HALF就是指的buffer输出时不同的驱动电流强度,和ODT没什么关系,至于如何选择FULL还是HALF得看 ...

) z! T* g  c* u' W0 f谢谢,明白了!
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