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菜鸟提问,电路中EEPROM和FALSH的作用

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发表于 2010-7-11 00:34 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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很多电路中EEPROM和FALSH都会配合MCU使用,但一直不明白其作用,请大家帮忙解释下,谢谢
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发表于 2010-7-11 10:54 | 只看该作者
一些MCU片上不带程序存储器,可执行代码只能放在外面的EEPROM、FLASH中,另外,有时也可以用来存储一些参数,保存一些掉电后需要保存的数据等。

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发表于 2010-8-9 17:18 | 只看该作者
EEPROM可读可写,一般保存当前工作状态。例:电视机中用户改了音量值之后,这个值就是保存在这里的,当再次开机时,系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态,当用户再次更改音量时,这个值会被重新改写。
  W# `9 E8 B9 Y6 t如果没有EEPROM,就不能保存用户更改的值了,那每次开机都是最原始的数据,。
$ a2 e. G: t. j* I' yFLASH是只读,程序都是存在这里面。
多交流!多指教!谢谢!

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发表于 2010-8-10 14:40 | 只看该作者
EEPROM可读可写,一般保存当前工作状态。例:电视机中用户改了音量值之后,这个值就是保存在这里的,当再次 ...
+ U6 v, P2 O: V- Z! ]zangyongchang 发表于 2010-8-9 17:18

: ^5 H7 D5 v2 N7 W% d/ L, q9 ~
! {$ N1 f! r8 O. n1 q' e
( R0 {  S4 M" i( C* [    小心遭误导,EEPROM容量小,一般存储程序段,使用I2C通信协议,ROM都是指只读存储器,EEPROM是电可擦除可编程只读存储器,所以无法存储临时数据$ Q# n! W) ?; e! q$ x% K( a* C5 M
Flash分NOR Flash和NAND Flash,都可以用于SPI,容量较大,NOR Flash一般用来存储程序,速度不及NAND Flash,可以进行读写操作

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发表于 2010-8-10 15:30 | 只看该作者
容量大小,数据读写速率是主要的区别。9 D# w; `0 D  E. I
0 Z) Y! U7 K+ Y  \, u
举几个例子: 都可以做CPU/ASIC芯片的启动程序,比如PHY ,SW 常用EEPROM,因为代码小吗,256K之内就够了;但是CPU的起动代码通常EEPROM搞不定,而且CPU通常还有操作系统,可以存在EEPROM(BOOT)+FPASH(system)的模式,但是一眼看去,不如把FLASH分区,把2部分东西都装下。0 k. ?/ }5 ]0 y, m
, S8 s* B6 @. x& a3 W
EEPROM通常还有就是存单板信息,厂家信息,PCB信息,MAC地址这些,配置信息这些基本的东西,通常是在工厂烧入,然后焊接在单板上,就跟你在单板打丝印一样,就是个标识。

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发表于 2010-8-10 18:25 | 只看该作者
回复 4# lixc2008
- R( G$ g$ H$ u/ t, |7 _$ [5 N' M/ i% ^- J2 O
" N' R( p! Y9 }  ?/ m) t
    你才该去补习一下,容量大小跟能不能存临时数据有啥关系?保存一些状态只是一些16进制的数字,占用容量非常小。* U: f* I6 {( h4 B. X4 b) C
EERPOM绝大部分都是用来保存状态的。用的是IIC通信是对的。
) t8 u, N0 l5 F: x. m& g我做电视开发有5年了,电视机都是么用的,还有就是单片机也都是用EERPOM保存临时数据。9 t, Y9 t; O' Y, `1 P: y
你一定没做过单片机吧。

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发表于 2010-8-10 18:36 | 只看该作者
小心遭误导,EEPROM容量小,一般存储程序段,使用I2C通信协议,ROM都是指只读存储器,EEPROM是电 ...
* {  G# G4 K- L/ Q+ d, Ylixc2008 发表于 2010-8-10 14:40

8 {& |4 b& }' y3 f9 a5 J7 n8 ^" B; r5 F: B
! f8 |5 O' a/ L
    NAND FLASH分SLC和MLC现在很多程序也在用SLC的NAND FLASH。7 d1 M& e9 M: V. W2 K
什么是SLC和MLC/ X5 N5 l" G7 \; _8 T  d
    要认清问题,首先要搞明白什么是SLC和MLC,它们属于两种不同类型的NAND FLASH存储器,用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。SLC全称是Single-Level Cell,即单层单元闪存,而MLC全称则是Multi-Level Cell,即为多层单元闪存。它们之间的区别,在于SLC每一个单元,只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据,MCL的数据密度要比SLC大一倍。
1 s, A4 ?- i& p3 O* X; f* z    从名次解释上来看,当然MLC密度要大,自然有其优势,成本上来说,MLC也具有很大的优势。据了解,不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程,今年8月,三星正式从SLC转向MLC,今年10月份,三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。目前三星采用的芯片编号为K9G******   K9L*****的芯片为MLC芯片,而现代采用编号为:HYUU****   HYUV***芯片也是MLC芯片。
3 x1 s4 F+ x- U6 g    不过尽管MLC有其自身的优势,但是也掩饰不了其缺点。
" Y% H: B' [' D+ J. F1、读写效能较差! a# y2 R! V' {3 m. X- ^. ?
相比SLC闪存,MLC的读写效能要差,SLC闪存约可以反复读写10万次左右,而MLC则大约只能读写1万次左右,甚至有部分产品只能达到5000次左右。/ L" A6 a+ m: \6 a5 a
2、读写速度较慢, a# K; J. q  e6 y+ a
在相同条件下,MLC的读写速度要比SLC芯片慢,目前MLC芯片速度大约只有2M左右。9 [5 d( G7 |4 N" z/ ~: R
3、能耗较高
; J4 T$ V6 ?! \; T  x在相同使用条件下,MLC能耗比SLC高,要多15%左右的电流消耗。3 T# [, y6 P  l' G0 f; P# g+ y& Q% T" j
    这些原因,很大程度上是取决于MLC制式改变,需要新的控制芯片支持,而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计,MLC就会带来各种问题,包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。今年大批量SD卡被招回的风波,就是因为转用MLC芯片,没有新的主控芯片支持惹的祸,造成了很大的影响。
9 k6 ]( `) e/ s1 L$ m    随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产,MLC芯片应用也越来约广泛,由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大,对主控芯片的要求也越来越高。读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率,对于视频和音频这样的应用来说,必需具备控制芯片和ECC校验机制,目前有的主控芯片通过纯软件校验,这样,无形当中加重了主控芯片的负担。也有部分主控通过硬件的4bit ECC校验和软件校验相结合,从而减轻了主控负担,但是这只是在一定程度上减少出错的几率,MLC的芯片写入次数限制和传输速度等缺点是无法克服的。
7 M9 N/ i! w. {8 I. w; [6 A    MLC在架构上取胜SLC,很多厂商目前都MLC做了很多的优化和开发,未来可能将是一个主流方向,但目前来说技术还不是很成熟。而成本上来说,MLC要便宜SLC芯片,所以不少厂商在原有架构上选用了MLC芯片,但却没有增加控制芯片或者ECC校验,使得不少问题则由此而生,使得不少行业人士也惊呼MLC为“黑芯”。所以目前大家在选购MP3、闪存盘等数码产品的时候,不能一味的只看价格,而需要更多层面的去考虑。到底选择SLC还是MLC芯片好?我们欢迎大家在下面发表自己的评论。

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发表于 2010-8-20 15:34 | 只看该作者
支持3楼说法  正解!!!!!

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发表于 2010-10-25 11:05 | 只看该作者
支持楼上正解
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