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[仿真讨论] DDR4详解....各种技术参数

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发表于 2015-4-13 14:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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第二波,DDR4详解....各种技术参数 ,有没有人顶!' }# J5 q1 w) J4 w4 |6 `( \" W1 ?7 J

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 楼主| 发表于 2015-5-5 14:59 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-5-5 15:24 编辑 * x: j' r# r+ S! n0 J

0 M$ o+ S5 z& B频率和带宽巨大提升
  @' W4 T$ e& V6 B' I. J) o使用Bank Group架构
" G, Z" G* O4 {7 z* L* y+ H * M- [( m( D- E( u
8 |5 x5 [# o- w- B* Q
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽,DDR4-3200那就是51.2GB/s,比之DDR3-1866高出了超过70%。在DDR在发展的过程中,一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代,数据预取的增加变得更为困难,所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况?
具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据,这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升,可以同时读取大量的数据,内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组,包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组,这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作,从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group,相当于每次操作16bit的数据,变相地将内存预取值提高到了16n,如果是四个独立的Bank Group,则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话,那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计,对于DDR3内存来说,目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中,访问机制已经改为了点对点技术,这是DDR4整个存储系统的关键性设计。

" R% e4 O8 N& X' ^7 l
在DDR3内存上,内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽,但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力,无论你怎么增加内存容量,性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管,但受制于主管道的大小,即便你可以增加注水管来提升容量,但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显,但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了,所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易,但却浪费了内存的位宽。
因此,DDR4抛弃了这样的设计,转而采用点对点总线:内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线,点对点相当于一条主管道只对应一个注水管,这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过,点对点设计的问题也同样明显:一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存,因此如果DDR4内存单条容量不足的话,将很难有效提升系统的内存总量。当然,这难不道开发者,3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。

* }1 O- k7 R, O9 v9 L- @3 h5 Z7 a

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 楼主| 发表于 2015-4-17 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-17 10:27 编辑
# I2 \: d, ^) C4 `; `
/ V% M7 i) ^* G* k+ Z+ i( _NO 6 关于DDR4的电压1 B* ^2 W! [: C2 r4 B4 [: ^1 o

8 P2 Z' C+ _3 }& |. fDDR4 不仅采用3DS的封装形式,而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。% t" E4 \3 t! P4 b6 R+ y+ P4 N
) D7 X  ~% M# }7 W
电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
* m* H$ d! e4 t5 E$ g# P
4 P& Z8 G6 {, w4 Y5 U+ G+ j. E移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。$ v. w; S( e' D9 n0 s

$ E# i1 S  v/ r! s& `: ?7 u, ~9 S+ J
0 A' a( q* C7 M, k) I0 S; B5 _9 d8 q' m& b4 a

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 楼主| 发表于 2015-4-16 14:04 | 只看该作者
NO 4 DDR4 封装
6 Z2 N* J: i& B' s' G4 K9 ^3 Y4 p/ d1 ?% W* q1 L# o! j

+ E/ y  ^0 X1 @+ a$ \, ADDR4在使用了3DS堆叠封装技术后,单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。9 Z. ?7 I) n2 U: q0 j
举例来说,目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB,共16颗),而DDR4则完全可以达到64GB,甚至128GB。
  W% S4 P# C" `4 u9 G+ ^3 B! y9 I! G2 H( j( c8 [. B

, _3 {8 t% ~; c
* t! b1 x0 s; K: d0 y8 b               3DS堆叠封装技术: S* {2 l( @8 Y2 _8 b$ l& a% E( Q
, t, m+ y: k+ v4 _* q
$ C; ?5 r2 D& v  L9 @0 i: I0 Y/ p2 y

0 ^6 R6 _& Z' u( g
, Q; ?7 ]" r; s1 U6 |

  a. y4 j( p4 F

! l; Q; u( t3 R
0 ]+ K( S* x1 N* s. x0 ?+ \  A

* f, P9 r7 ?8 A+ c3 R

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太高大上了  发表于 2015-10-21 17:34

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 楼主| 发表于 2015-4-13 14:37 | 只看该作者
NO1:查背景" z5 d2 F# F  S  p6 W0 h" p
3 \' {6 Z, Y; {' V# }
第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器
5 {2 N. K, t5 T% d  a2 o' ?7 Y* ]5 Q" S! z8 G0 Q3 |" F+ F
(英文:Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称为DDR4 SDRAM),
, h) u: _  a9 ~& s6 z, p9 S4 A% N8 j6 s8 B
是一种高带宽的电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品,是自1970年DRAM开始使用以来,
7 u+ d' x& b/ X5 Q# c# d( V
" X  X( m2 h# Q9 s4 a现时最新的存储器规格,旨在全面取代旧有的存储器规格.& l  ?9 I5 X7 H

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精华解除,资料已撤  发表于 2015-6-30 13:59

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发表于 2015-4-13 16:18 | 只看该作者
必须顶
专业服务(价格面议):
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发表于 2015-4-13 16:20 | 只看该作者
这个要顶,DDR4要学习下。
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-4-13 23:11 | 只看该作者
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一组VPP电源;电源实现了动态管理,功耗更低;信号速率更高啦,达到了3.2Gbps,后续会有6.4Gbps;比如prefetch的周期,比如RTT变得更加的多咯,有34,40,48,60,80,120,240;比如增加了DBI信号;比如DDR4的仿真,会比以前简单一些啦;。。。。。。省略1W字

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准备慢慢写。  详情 回复 发表于 2015-4-14 08:57

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 楼主| 发表于 2015-4-14 08:57 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-4-13 23:11+ O! C% C; i9 [* \0 m
老板,这DDR4的参数非常多呀,比如POD电压,电压比以前更低,仅仅只有1.2V,后续发展会更低;DDR4增加了一 ...

' @# {: {& p. A* B, J准备慢慢写。% A) T6 E) [2 F: _) z' p

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发表于 2015-4-14 09:16 | 只看该作者
恳请赐教

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发表于 2015-4-14 11:02 | 只看该作者
楼主的DDR4来啦!!顶楼主。加油!

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发表于 2015-4-14 11:12 | 只看该作者
楼主 不要停啊 不要停

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发表于 2015-4-14 11:45 | 只看该作者
科普贴,盖楼。。

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 楼主| 发表于 2015-4-14 15:51 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-4-14 15:54 编辑
* D& J9 |" F- {) H
/ \2 O2 b2 ~: i& ^! uNO 2 处理器的升级
: Q+ D: b* b* {1 S4 C( s, Z# p6 b: t; O$ n0 Z! ?- a
$ m  b6 D  D2 P5 x8 v& D/ K( b
        i7 Haswell-E架构图解
- m6 T0 M+ d( g' i  每次内存升级换代时,必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计,
& Z' t5 K7 A1 w$ }* \4 v& _/ b5 v; _* G5 p* y' U8 C
DDR4内存频率原生支持2133MHz,这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz,起始频率有不小的提升。Haswell-E
1 E, |7 X2 e9 T. G- d0 o8 ?: g( G/ d: T; R' J" L; r/ I
作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8核,另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高,
; d( k* I. W1 u9 @" h& m
( t/ ^; V+ c% w3 I( D并且不会同时支持DDR3和DDR4内存,所以增加了DDR4普及的门槛。
# v( U* J8 n! g+ J- z. P/ V4 q2 x# }  K! `) }

# n  Q* }  d% v6 U' H. }

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貌似这款处理器DDR4仅能支持到2133M,有没有支持更高的处理器呀?2133M太低了,DDR3也能达到这样的速率  发表于 2015-10-21 17:12

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 楼主| 发表于 2015-4-15 09:34 | 只看该作者
NO 3 DDR4 的速率9 [3 m  l  O. u" i2 S+ k
$ D/ A- H! @3 d# ?: d, Q0 o' o
DDR4-1600 MT/s/ s1 e7 D4 `, R6 C( E* I
DDR4-1866 MT/s$ @9 q8 c5 l) _; v& {& }0 l9 \. j9 x
DDR4-2133 MT/s
! J9 h" a& i* W6 E2 g1 ^: FDDR4-2400 MT/s- s9 R# e: E8 Y6 c
DDR4-2666 MT/s
2 B" e- N) f+ [, |3 LDDR4-3200 MT/s
% ~9 `7 K: [9 {: P& C4 S( q  Y2 b
: o% N4 R- ?  h5 {* L科学点以后都用MT/s的单位了。拿常见的
! G! R7 o: Y0 D- QDDR4-2133 来说,每根数据信号线,现在每秒传输的数据约为2.133 Gbps,
% C8 X4 u0 n9 d换算成常见的带宽是266MB/s,DQS,CLK的频率就到1.3Ghz
: M8 |# _( f4 t0 l) D: P) m% Y9 y

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2.133Gbps速率对应的频率不应该是1.066G吗?  详情 回复 发表于 2015-7-21 09:43

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