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本帖最后由 Cadence_CPG_Mkt 于 2018-2-7 09:38 编辑 1 }+ ]- _# {1 p$ K
r$ g; j8 O% \, @* g4 I4 _IBIS-AMI建模 " Y9 Z* l0 L; }8 ~
假设我们的PCIExpress Gen 4串行链路，使用初始的PCB走线和过孔模型，其余的缺失部分用于发射器的IBIS-AMI模型，“AMI”表示算法模型接口。正如其名，IBIS-AMI模型具有以传统IBIS (I/O 缓冲区信息规范) 格式定义的“电路”部分和以AMI格式定义的“算法”部分。两者都是完整模型所必需的。
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该模型的电路或IBIS部分用于描述发射器的电压摆幅、输出阻抗、寄生效应和上升/下降时间特性。这些信息应该在您SerDes发送器的数据表中。假设数据表显示，以50ohm作为参考阻抗，摆幅为1V，单端50欧姆输出阻抗，0.5pF范围内的焊盘电容，以及20ps左右的单端上升/下降时间。采用一个标准的IBIS模型作为开始，是最直接的做法。 $ p s* | t' Z# B- g. N; _8 }6 K! I
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该算法（或模型的AMI部分）用于描述发射器的均衡行为。在PCI Express Gen 4的情况下，这由前向反馈均衡（FFE）或“去加重”组成。FFE将包含多个“抽头”，表示产生去加重行为的main和boost驱动器，boost转换位（例如0到1的转换）和去加重稳定状态位（例如连续的多个1）。这些抽头的作用大小通常用系数来表示，表示与主抽头相比它们的比例系数。
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4 @6 W$ C9 c/ G9 S将上述信息作为输入，现在的IBIS-AMI仿真工具通常包括直接生成AMI模型的功能。同样，这些信息通常可以在SerDes发射器的数据表中找到。假如您感兴趣的发射器使用与PCIExpress规范中描述的类似的去加重设置，可以使用如前所述的自动化工具，利用上述的抽头系数快速直接地生成AMI模型。
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发表于 2018-2-7 09:38
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