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主芯片推荐的过孔为：内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线，差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)
" Y2 E& D6 z" N* _( c采用T型的拓扑结构，在支点处接50欧姆的上拉电阻
. y$ b7 T+ }0 Y+ a R3 B! V保证分支线最短，至少小于主干线的1/2长度2 {4 [. t) w/ j R' b7 g5 x6 X* r
CLKP与CLKN要严格等长，偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil5 N# `& i# {( r: e. E
2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号)，DQSP与DQSN为差分等长线，+ B& g; ~6 x& Y' h: Y
严格等长控制在50mil之内，以CLK为参考，允许的走线偏差范围在500mil.
( j5 X- g, C) ^! pDQS差分阻抗要控制在100欧姆
, A9 M( v6 @, x/ N& M3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
& V y( d+ v9 s# ]8 A4 |7 ^ DQ(8:15)走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.& j- Q. U6 s% ~
DQ16:23)走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.; m5 b; f# i" e
DQ(24:31)走线以DQS3为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
9 T, M/ J* I6 W. s' J9 o' N4 DM0走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
/ \) h! ^0 H; q" I6 n: l) ^ DM1走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
2 b: Y, {5 V* f6 G/ V DM2走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.4 S5 i* p& t5 ^& J; r5 ^9 U6 X4 I2 H
5 ADDR(0：14)以CLK为标准，允许的走线偏差范围在100mil.
. a0 D- I, j' v" _) i6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准，允许的走线偏 / ?1 D4 k' P8 J: x; r
差范围在100mil.
! b# O* m$ [! q! F: ]阻抗控制50欧姆，单端串联接33R
0 F2 U) [" C1 L0 O8 H请问各位大神，是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗，还有DDR3仿真用的是什么软件？3 z. `' Y0 H; m/ w
, G9 Y& N1 y% `% n! ^" Z Q+ ` |
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发表于 2016-5-24 14:19
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