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你去华强北买电脑时 是否有人跟你说这是 用22nm,28nm 做的CPU, 老牛逼了。
. U* e) c1 l) F+ U你看资讯时,是否有被动接收到 A、B、C 公司已经量产 xx、yy nm的芯片了,老牛逼了。; x2 x6 Q- v3 N" F
nm , 中文 纳米,晶圆制造行业的基础单位。
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先看看行业的相关概念1 l- \; n" z, g- _. a& p
什么OEM, ODM IDM, FABLESS,FOUDNRY 等,刚入会的人总觉得ODM 好牛比,其实每个行业都牛逼,关键是你把它做好来。
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8 q5 M8 `9 ?) pIDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。
* o, |( `; b, D% X( Z! l就是全部都自己做,啥都操碎了心,就像老妈。
9 n+ Z* l- j2 E* [) g) Z' tFabless(无厂半导体公司)指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
( ~4 g0 U0 V: G& j就是做自己的idea, 让别人也做自己的idea,在很多少男心中,这是多么高达上的行业。! ~0 p( ]7 a( r2 g7 J( W; O! D
Foundry(代工厂)指台积电和GlobalFoundries ,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星,台积电、中芯国际。3 Z$ a( @, O Y S0 ^
就是干活的,把好的想法做出来的人,其实这才是最高达上的行业,高端制造业,没有这个行业,什么也做不了。肌肉型的男人才是最受女人欢喜的。
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制程6 ^3 z$ B/ ?3 k
在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值,这是什么呢? $ R) r' m* J5 t# `% ^
深圳你去华强北买电脑,人家会告诉你,这个电脑好牛逼哦,采用22nm的技术做的CPU,好高级的。擦,我一农村来的,22nm?这么猛,卖了。
+ P+ b/ H4 R4 E0 V. f. L5 M; l乘此机会向各位蒙娃科普下。。。, ]$ J4 ]; K$ H3 {7 P( \
这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,
( c( H% t: [$ O+ R* d常常与芯片性能的突破离不开关系。
1 l" y* t* M F- t- I% R骁龙835用上了更先进的10nm制程, 在集成了超过30亿个晶体管的情况下,体积比骁龙820还要小了35%,整体功耗降低了40%,性能却大涨27%。& c! e: T/ p7 W7 K2 @
深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。# B+ ?4 s1 _! m: z! L/ z' [6 X
得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上,用的是台积电16nm的制造工艺,集成了大约33亿个晶体管。
3 r3 [0 V8 y+ f* O, H5 R+ Q+ l8 X而一个晶体管结构大致如下:. i' i; l g n
# A/ r7 ?8 {) L图中的晶体管结构中,电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。
; T6 B9 l8 E* c0 w电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。
5 ]: c2 f3 B: Q/ w到这里才真正值得了啥是nm 了。8 E6 H; ]# a! ^3 T& G; F0 v! C
对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。
- S6 I$ Z% E' p: ^为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。( k' t4 e- j$ J% |$ X: H
一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,0 W8 B' ]+ ~; G, ]% H) l
功耗增加,陷入死循环。! Q8 V+ L) l7 O6 i. u
8 @5 r: f$ u, \0 x+ h8 o% W谁能制造,谁领风骚。6 h; w6 x/ z8 s- S
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