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你去华强北买电脑时 是否有人跟你说这是 用22nm,28nm 做的CPU, 老牛逼了。/ }$ f: o2 p5 `; W% V
你看资讯时,是否有被动接收到 A、B、C 公司已经量产 xx、yy nm的芯片了,老牛逼了。
: @9 X# [( ~4 _+ |nm , 中文 纳米,晶圆制造行业的基础单位。1 |( V: `5 i: B6 `
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先看看行业的相关概念( y; y* c o# K. H
什么OEM, ODM IDM, FABLESS,FOUDNRY 等,刚入会的人总觉得ODM 好牛比,其实每个行业都牛逼,关键是你把它做好来。, o2 `+ u5 z" x2 X" |. A# h
, Y2 B0 a% s& v$ cIDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。) k2 b1 ?! k: Z
就是全部都自己做,啥都操碎了心,就像老妈。$ e* u4 c j% t; O1 `
Fabless(无厂半导体公司)指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
) }$ r" K' T6 ?; j/ Q Q就是做自己的idea, 让别人也做自己的idea,在很多少男心中,这是多么高达上的行业。
- O$ d* e+ G! ~6 h2 hFoundry(代工厂)指台积电和GlobalFoundries ,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星,台积电、中芯国际。
2 E! X z6 ?' h3 N就是干活的,把好的想法做出来的人,其实这才是最高达上的行业,高端制造业,没有这个行业,什么也做不了。肌肉型的男人才是最受女人欢喜的。6 e, L* f, o+ e `/ p8 r
# h* q4 }! O* ]- v4 _2 `8 B) u制程$ q( c( g" k8 i# T/ T1 p
在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值,这是什么呢?
/ ~" S* n9 [1 L+ @ 深圳你去华强北买电脑,人家会告诉你,这个电脑好牛逼哦,采用22nm的技术做的CPU,好高级的。擦,我一农村来的,22nm?这么猛,卖了。
0 N7 i* V) _5 h0 g; m7 M& B3 j乘此机会向各位蒙娃科普下。。。
: T" p2 C9 \; \% l: r这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,
9 R; n" ]7 J' M0 [! s. ^, p/ l常常与芯片性能的突破离不开关系。
+ ~, _3 g& \5 W骁龙835用上了更先进的10nm制程, 在集成了超过30亿个晶体管的情况下,体积比骁龙820还要小了35%,整体功耗降低了40%,性能却大涨27%。- G8 T9 v- }$ P% W( Y! z
深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。
, I1 c! r; V7 F得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上,用的是台积电16nm的制造工艺,集成了大约33亿个晶体管。8 Z. n) z' z8 q$ Z- L5 Z
而一个晶体管结构大致如下:6 Z- n9 Y2 \8 V7 y6 Q( |
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图中的晶体管结构中,电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。
0 V- j( s$ E# T- ?( h0 |% a" [电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。/ z r1 M7 z' V3 v! F( U
到这里才真正值得了啥是nm 了。
) M) b* Q- i; {: M对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。
* u% @" h5 p! ` J+ l为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。
4 q. j( g* V/ G6 q' j+ i( l一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,
; f% ~. u0 c% n" G+ U功耗增加,陷入死循环。
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6 I, B; J2 A! P: i, k! A# s# o. d. C谁能制造,谁领风骚。, ~1 z4 z7 C' M$ ], t
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