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[仿真讨论] ADS调用IBIS模型-DDR2数据信号仿真实例

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发表于 2016-2-2 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:24 编辑
/ `* T; ]# M" c# I( f  s0 @: V: U. G9 Y4 O1 X
ADS支持调用IBIS模型,本文以DDR2的数据信号为例,介绍了一下IBIS模型的调用。

2 |7 c1 j/ w! L  y/ N0 N2 d
2 u' q3 w. K# A6 s( d! u1 |
注释1:设定Vih和Vil的ac、dc电平特性及Vref电平。在判断波形的时候可以方便的调出来。
* w+ i2 I" E% I8 f) `
注释2:设置信号速率及电平大小。stoptime及step大小设置为变量,随信号速率变化。(也可以设置常量表示)

2 g- ?' J  a5 l  S8 I2 x% L
注释3:设置传输线类型、长度及宽度。这里需注意SLIN需配合SSub使用。选中SLin,然后在Tools-->LineCalc-->Send Selected Component To LineCalc
& Y3 F) w6 T2 K5 y
3 m" ?! b" _) B# G2 a4 F* F' T# k
注释4:Source如果设置为下图两种都可以。VtBitSeq可以自定义仿真码型,VtLFSR_DT采用随机码。

  {7 m# y8 i* [. J7 {
- x) R! B$ `/ k* F; i/ O* q. g
注释5:过孔的简单等效模型,可以用准确的S参数替代。
- G: p  ?$ X  i. F" g
注释6:pin的寄生电容
2 d. m9 Z# G$ `3 ^
     查看波形前需注意给需要查看的网络进行命名,命名后才可以查看到波形。

/ q, \( L, U( [5 B9 k1 `
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发表于 2016-2-27 22:48 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2016-4-13 12:25 | 只看该作者

2 r  `+ K( c+ g8 K" K8 O" D好东西,谢谢分享!

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发表于 2017-3-4 01:06 | 只看该作者
好东西,谢谢分享!

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发表于 2017-3-7 19:05 | 只看该作者
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