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[仿真讨论] DDR3布线 Break in 和Break out区域,怎么理解??

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发表于 2015-3-10 13:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR3内存布线的时候,DG中分了好几个区域,region A region B region C region D,文中反复提到Break in Break OUT,8 d+ P- A* T0 `" \+ W/ F0 e

5 I" x# G4 n4 C1 y5 R不知道怎么去理解这两个意思,通常我们break指的是线散出,难道这里的IN和out只是表示方向么?还是有其他的意识??
* ^! h" d( F9 f% ]5 ~5 i
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发表于 2015-3-10 15:18 | 只看该作者
这个问题还真是文化的问题,如下是我个人的理解:
3 l% O7 Z5 W" |- ]6 {+ x, ^) ^* R( B7 f+ D) e; p
我理解的的break一般是指BGA封装下面不能按正常线宽出线的地方,至于你说的break in/out,/ X( s! w5 j) I- }3 y
5 w1 f" i4 H% A+ O
应该和你的设计领域有关,DDR3的数据线是双向的,如果从Controler--->>DRAM,如果都是BGA
( G8 _, X7 l* @+ e, e
5 r% @) t: ]$ o6 ]" ^9 s的封装,在Controler下面应该是break out,再进入DRAM的BGA封装下面的时候,就应该是break in了,3 d8 M/ p: F% a3 J6 a
* l3 V. u  x( k# R9 G* I
你会去看下你的design guide是不是这样理解。
  L' d$ @" u) ?" A' S
+ f) R6 E& _8 W/ u8 H9 N& a' G2 i有时候国外很多做硬件的老外都是老印,老墨,华人,稍微理解下他们的文化,再理解起来会容易些。

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发表于 2015-3-10 16:15 | 只看该作者
对于这种英文有歧义的地方,可以直接咨询FAE。因为有些术语是部分芯片公司的习惯用法。

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 楼主| 发表于 2015-3-10 16:21 | 只看该作者
多谢2位版主。。

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发表于 2015-3-16 15:18 | 只看该作者
谢谢,学习下

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发表于 2016-3-15 16:59 来自手机 | 只看该作者
这个问题一直模糊着我
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