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DDR3的终端电阻周边的电容问题

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发表于 2016-1-15 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设计,还是说有什么特别的作用呢,希望大家给帮忙看看,谢谢大家了
3 Q# X& k. n) H) G/ |( a% }

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 楼主| 发表于 2016-1-15 13:51 | 只看该作者
自己先顶一个

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发表于 2016-1-15 14:56 | 只看该作者
帮顶,也刚开始用DDR3

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 楼主| 发表于 2016-1-15 15:03 | 只看该作者
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢

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发表于 2016-1-15 15:47 | 只看该作者
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。
" [% |+ {; D- B/ O' y6 Y所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。

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嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解  详情 回复 发表于 2016-1-15 16:04
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 楼主| 发表于 2016-1-15 16:04 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47
: {1 P' {: j9 _0 J# ~+ H( MGND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。
& A5 Y/ l  L) a) ?. ~' P所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...

  \9 t7 h, v0 b2 c* h嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解+ k  V9 y9 ?( t, j+ ^1 q

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这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用  详情 回复 发表于 2016-1-15 22:53

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发表于 2016-1-15 22:53 | 只看该作者
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04
' \- B" T6 B) t  S7 U& S嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知 ...

" H: c/ p" w! w! n& @1 b' T( G这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

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好的,谢谢了  详情 回复 发表于 2016-1-16 20:54

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 楼主| 发表于 2016-1-16 20:54 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:53
3 L3 @* L. I  j2 f" m- ?' N- m' f9 z$ w这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用
8 r  `9 k( m" M* R5 z
好的,谢谢了) s# d4 u$ t- {: w7 i- ], D" x

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发表于 2016-1-20 17:29 | 只看该作者
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

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待我问问这么设计的人  详情 回复 发表于 2016-1-23 15:11

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 楼主| 发表于 2016-1-23 15:11 | 只看该作者
esyintao 发表于 2016-1-20 17:290 o# I. T9 X* u, k4 E. [/ b2 p
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

% E) x! q% H4 c9 p8 t+ z待我问问这么设计的人
- C: q" s0 ^7 A9 ]0 `! ?5 Q% a

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发表于 2016-2-1 09:41 | 只看该作者
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