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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
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本文大纲
, A" Q4 \& S4 k0 n2 m3 E: J0 u' _本文章分三部分:
0 f* a( b$ _3 G# o# ]$ y4 A(一)wave port与lumped port的理解
) z/ S: O! t* g$ C9 H3 h& [8 J(二)两种port的仿真操作用法
: E- O8 I. [% L- ?(三)S参数归一化的问题
! ]) `& V3 Y$ o, a) g/ O: ~( i& P说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器' M) m& n5 x) {0 k0 ?' O
# x4 k: d& @1 F l& \6 v; l简单介绍下HFSS: h4 ?) G: L* @
ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:3 Y$ m9 H& K# s* H- _
① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题# X- {8 I$ U. v) U
② 端口特征阻抗和传输常数
/ o9 Q8 c$ ~. |, b$ x( B* f③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数
/ r0 G8 y! Y; ?④ 结构的本征模或谐振解。
6 m- P! ^* f8 }. ~! @而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.
5 N' n' V/ X/ u* h$ rANSYS workbench
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2两种port的仿真操作用法8 {" M- M7 h: _2 V
1.微带线下wave port7 l+ I# V: s: J8 h' O* y1 f
如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。
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图53 I c3 K; _0 f
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。. h( B* i. E ]; x9 ^
& P6 d4 j# l, n. S图6# c: a1 H2 e7 _3 T& ~: w
2.微带线下lumped port
% `" Q! n# o3 b d5 w1 p如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错
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图7
6 G9 F/ w" T3 ?- \然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示3 Y; N5 ]1 R: ~0 ]4 P
' `1 b7 g( K" {! a9 y5 {8 Q0 S$ u图8! [5 P( p; k# d' m- J; Y! }6 c
3.带状线下wave port/ g8 ~. }: T8 J" u# Z2 z5 k1 q
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
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% K( l& Z+ k( G( _& a2 v W图9% Q% t; ?+ p: Q, V5 k
然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
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图10
" s) @1 P/ _0 h5 z4.带状线下lumped port3 A# e$ ]7 I; y' Z% L, U3 w2 h, D
带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
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图116 Y! L# X- W! w Z% ~: d" m. g
接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。 |5 q3 `& T" z* ]4 F( O) d+ v
3 W+ X' z8 g5 U: A- m3 O, |* x7 `图12
b9 R( S3 m% z& f4 F选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
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# h0 n$ J$ `# A. C2 N. k! m图13; f! _0 k: f1 m, ?( P# ] h0 z* E
未完待续.....
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