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请教:时钟的驱动能力是指什么

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发表于 2008-9-1 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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时钟的驱动能力是指什么,驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系?
4 C5 x; I: \- X5 _# p     还请各位指教,Thank You.
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发表于 2008-9-1 22:05 | 只看该作者
对于时钟,可能驱动能力更多的是指fanout的能力,个人理解。
5 N: I2 k: T4 q6 ?; e/ n+ ?" a当然跟走线长度有关系,路走远了,人也会累的

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Allen + 10 非常正确!

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发表于 2008-9-2 11:30 | 只看该作者
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强,是指电流越大,带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

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发表于 2008-9-3 00:01 | 只看该作者
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载引脚的寄生电容效应越大,从而导致上升时间和下降时间延长,这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解,欢迎讨论。

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发表于 2008-9-3 19:33 | 只看该作者
这是不是芯片发热大的一个缘故之一0 T8 X2 d& ^3 G% g
现在的芯片都是百万门
9 e0 \- z3 h3 w2 A- _* s0 k* x) a- |每个触发器都挂上全局时钟,时钟够累的4 \' m9 a, ~+ k
那这驱动能力的提高在那方面体现

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发表于 2008-9-4 13:26 | 只看该作者
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.0 m3 k& @' e( C7 Y9 M+ X4 G
比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.+ k& t: V* V( A( L+ m

) q/ r4 N% ~- R) N0 k, ]" K3 r如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,
' v5 m0 M# n% G2 C" k' _* u
* J. S( c8 o( \$ J' W6 X但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡% j! l! {  Z2 t
( t( U# g# _, m7 ?
[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

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 楼主| 发表于 2008-9-9 23:13 | 只看该作者
时钟的datasheet里有1X,2X的调节。
/ V& n: C5 Z! R! @1X的走线长度有没有最大限制?

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发表于 2008-9-12 12:12 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表 $ E* s3 t5 @5 I% a
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

" m) [3 b7 ~. f严重同意  呵呵

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发表于 2008-9-12 21:29 | 只看该作者
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

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发表于 2008-9-18 22:09 | 只看该作者
理解成扇出电流能力比较确切

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发表于 2008-9-19 14:55 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
: Q+ U# J5 ^9 ~) G0 Tkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

$ R4 u, k1 B" I5 w
: J1 a9 o+ P& j- S/ N5 t: T
# H# P/ d$ F+ A3 K' Z那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?: J: e+ s! |5 G' q2 q& p# D
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?
( t: U! {4 u! F$ s: w6 g3 @7 a
  f. V- W! Q- b% j$ w[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

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发表于 2008-9-19 23:06 | 只看该作者
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表
, X$ v$ U* K7 w+ ^4 U" T" y, n) f; w, e

6 U* p6 a* |5 q+ X6 D( q
; C2 |2 p6 K5 u# A- f. n+ |那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?% ^+ i! X% j& v
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?
8 o: R" X" w% a1 G. u) H
0 q( Q& e: q/ k# h1 U- f* j
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
+ n6 ~# ?, |* v; @& @3 Z* N' A# f" L8 ]
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没有关系。! V3 v2 r0 \2 o
我们可以说“芯片驱动的负载越多,寄生电容越大,实际的上升时间就越长”,但是这个芯片无论驱动了多少负载,它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子,即便他今天只吃了五个包子,我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

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发表于 2008-9-21 23:01 | 只看该作者
主要是指带负载的能力!

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发表于 2008-9-23 15:19 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
$ `' G* w& V# t0 f' m8 J8 L
' N! V$ [8 t: `/ a8 C7 X3 k: |. b4 D1 \$ S
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
; T9 w6 w3 i( }7 _- ?, O8 ^' k: U1 \9 e, E! h, _5 a( X& {% f9 Y6 D
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没 ...

2 u6 X/ w& ], L  \+ f8 D% k' ~) a0 T+ C+ \2 Q, t/ ~" D

% D& ~7 P; b, _1 P5 X: U5 a我是做主板的,根据我的经验:
% b& y: q7 x6 F7 x首先,据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的,而不是固定不变的。
6 f, E: v8 L2 D( t9 c1 |) r6 ]) X
, C$ c: W  T+ F1 z其次,板子做出来一般很难做到一版ok,多多少少会有些这样或那样的问题,例如rise time与spec不符,那么你要怎么办?当然是debug了,你总不能置之不理吧?当然,咱也不能否认有这样的强人存在,不过非常少……
3 K/ [9 z0 v6 ^3 m4 {/ _9 |3 b( U" ^7 k2 l, @6 b7 t6 w& C! m
第三,板子做出来要经过很多严格的测试,EMI、 compatibility 等等,如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符,那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么?——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活,最便宜的设计!
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