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请教:时钟的驱动能力是指什么

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发表于 2008-9-1 21:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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时钟的驱动能力是指什么,驱动能力大小与走线长度等有没有什么联系?, l, G+ Z! \5 f# x, z* O; g
     还请各位指教,Thank You.
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发表于 2008-9-1 22:05 | 只看该作者
对于时钟,可能驱动能力更多的是指fanout的能力,个人理解。
- O% j* H2 B1 _- P当然跟走线长度有关系,路走远了,人也会累的

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Allen + 10 非常正确!

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发表于 2008-9-2 11:30 | 只看该作者
驱动能力一般是指IC能够输出电流的大小吧。驱动能力越强,是指电流越大,带负载的能力自然也就越强。这样clock的上升时间和下降时间就越快。个人认为和走线长度没有关系。

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发表于 2008-9-3 00:01 | 只看该作者
killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载引脚的寄生电容效应越大,从而导致上升时间和下降时间延长,这个效应不会因为芯片驱动能力强而减弱。个人理解,欢迎讨论。

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发表于 2008-9-3 19:33 | 只看该作者
这是不是芯片发热大的一个缘故之一
8 f" G/ w1 [( e4 H. W5 U现在的芯片都是百万门, ]3 X2 f8 l. d$ S7 `
每个触发器都挂上全局时钟,时钟够累的+ d4 P6 V8 u$ V8 ^( O. E
那这驱动能力的提高在那方面体现

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发表于 2008-9-4 13:26 | 只看该作者
简单说是驱动电流大小.实质上指的是驱动器的传输线的内阻,这将会影响到传输线的入射电压分配.+ `: j$ F- v) f
比如,一个驱动的内阻是50欧,电源电压是3.3V,驱动一条50欧的传输线,显然驱动电流是3.3/(50+50)=33mA,入射电压是1.65V;如果要驱动两条传输线负载,驱动电流是3.3(50+25)=44mA,入射电压却只有1.1V了.
$ |  @* U' l9 W) z5 ]
* a6 r' a4 t# `2 c" u* v7 k如果换成内阻是12.5欧的芯片,驱动四路50欧的传输线是没问题的,# W) L% u4 |/ N/ _6 R( e& {. f; ^! ?0 ]& \

6 N" b: f  w0 j2 n: G, `5 F但并不是驱动电流越大越好,当低内阻的源,驱动轻载的时候,入射电压会很高造成更大的反射和振荡2 A. I8 e, P" A8 k8 d7 A
' `/ W- H4 k/ ~; B9 L
[ 本帖最后由 yangcanhui07 于 2008-9-4 13:28 编辑 ]

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 楼主| 发表于 2008-9-9 23:13 | 只看该作者
时钟的datasheet里有1X,2X的调节。
9 B2 F/ W5 n* [7 d, W5 M, {1X的走线长度有没有最大限制?

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发表于 2008-9-12 12:12 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
2 z4 F; V4 n" I" a0 Dkillerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

' M) ~# I5 C- T2 G0 D$ D( r" x# y4 m  O严重同意  呵呵

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发表于 2008-9-12 21:29 | 只看该作者
和工作频率应该也有关系  频率越高 对驱动能力的要求越高 不知道正确否

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发表于 2008-9-18 22:09 | 只看该作者
理解成扇出电流能力比较确切

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发表于 2008-9-19 14:55 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-3 00:01 发表
6 u& F; ]& H% d; e; ?killerljj关于驱动能力是指电流大小的说法确是正解。不过我以为上升时间和下降时间作为芯片的参数之一,是在某个固定的负载条件下测得的,与芯片的驱动能力应当没有关系。在实际的电路中,时钟驱动的负载越多,则负载 ...

; R+ J& D& ^6 E6 W4 l
9 T6 r3 }5 K; A
3 |' ?3 o: k, y$ o# i# x( R那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?7 H9 ~7 ]* \4 X1 P
当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?2 Y' y: D1 t; ^4 E% ~
/ K8 {1 J- m- l/ J
[ 本帖最后由 killerljj 于 2008-9-19 14:57 编辑 ]

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发表于 2008-9-19 23:06 | 只看该作者
原帖由 killerljj 于 2008-9-19 14:55 发表
7 y6 S) P4 G4 Q4 n( ~9 `8 K, T8 s
7 G. ?' f- u# E1 H1 E3 l4 X9 R& K4 ~& w, H
# q8 R0 m4 Q' i6 K& x# P/ P0 d
那么当负载已经固定的情况下,难道上升时间与驱动能力没有关系吗?
; Y9 o+ p+ U' H- i- @: H& _当你的板子已经做出来,正在调试debug的时候不就是这种情况吗?

+ I4 E1 ^5 d1 Z3 L$ G: A9 E' T1 m/ v% ^( o  `0 m/ F
不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。
. e- F0 Q/ c, W0 d9 a  f( ^
( G7 l& u3 f0 e# _上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没有关系。
! `8 e3 B2 d. t9 M我们可以说“芯片驱动的负载越多,寄生电容越大,实际的上升时间就越长”,但是这个芯片无论驱动了多少负载,它的“驱动能力”都是一个固定的值。就好比说某个人最大饭量是一顿饭吃十个包子,即便他今天只吃了五个包子,我们仍然说他的最大饭量是十个包子。

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发表于 2008-9-21 23:01 | 只看该作者
主要是指带负载的能力!

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发表于 2008-9-23 15:19 | 只看该作者
原帖由 gyj1038 于 2008-9-19 23:06 发表
" ~  O7 O& Q1 J. H8 |3 p/ Q0 l0 T3 B
- Z$ l7 \! t; A* T3 W  i& q% S' G
( h) Z6 A' r- j9 o不知killerljj说的debug时候的情况具体是指什么?可否举例说明一二。% c+ _. M9 v. ]
$ O! u6 E( T, E5 L" j; T. y
上升时间和驱动能力都可以被认为是芯片的固有属性,当芯片被生产制造出来的时候,这两个属性便不可更改了。从使用的角度来说,它们之间没 ...

5 {( j2 G6 F+ i: G  f
8 A: c% |+ y. a* X( `# ~9 U) _; n2 w3 e3 x& P" P: C$ E. v
我是做主板的,根据我的经验:5 h4 K! p4 L% \4 z4 u' d5 [* p! \
首先,据我所知通常很多clock芯片的驱动能力是可以通过寄存器调节的,而不是固定不变的。8 `! |5 G" @! r2 R

; g% o. @7 L5 v1 h( ^其次,板子做出来一般很难做到一版ok,多多少少会有些这样或那样的问题,例如rise time与spec不符,那么你要怎么办?当然是debug了,你总不能置之不理吧?当然,咱也不能否认有这样的强人存在,不过非常少……
9 C0 s4 D9 s! L1 C3 }+ q
; W9 ]: E6 O5 {, v# \( S6 }- Q第三,板子做出来要经过很多严格的测试,EMI、 compatibility 等等,如果你在两信号质量时发现一个clock的rise time或者fall time 或者edge rate与Spec不符,那么最便宜、最方便、最简单的方法是什么?——通过调节clock芯片的寄存器来控制输出驱动能力。显然这是最灵活,最便宜的设计!
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