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电源完整性之阻抗问题

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发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
5E币
请问各位大神,在做电源完整性是,别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
1 L4 ]/ n$ h) a0 d我把文件导入了ansoft designer,想问一下,如何看它的电源阻抗?: y7 A# }2 X9 ]0 c* D9 W
是看两个port之间即Z21还是Z11。
" D$ A4 [; j0 `5 F8 X谢谢各位!
. D; E7 T7 f# p+ A) e* o- `8 D  z+ D% e$ G7 B' \* B2 I

最佳答案

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PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。 两个或者两个以上端口,有两种处理方式: 1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN 2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN
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发表于 2015-7-13 16:10 | 只看该作者
PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
! e$ e8 e, t8 _. o/ ~) C8 l9 Q1 U两个或者两个以上端口,有两种处理方式:
( y. ?  c3 y$ }" v2 Q  F1.电压源处加VRM,简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
; v# G' S/ X; }7 V* t1 O2.加归一化的端口,这是模拟系统不上电状态PDN
" r' i$ x( C6 ]9 O  i  H- l
5 Y- G# G, C1 x* W1 f4 `9 E/ U

点评

我尝试了这两种方法: 1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地 2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0. 得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?  详情 回复 发表于 2015-7-16 09:05
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发表于 2015-7-13 16:42 | 只看该作者
Z11

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请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理? 谢谢!  详情 回复 发表于 2015-7-15 13:05

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发表于 2015-7-13 23:42 | 只看该作者
从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可

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Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗,也就是自身的自阻抗。 在port1上加去耦电容是可以的,Z11会减小。这是没有问题的。 那我在另一个端口(如port2)加一个接地电容,但Z11却不变。 我觉得根据输入阻抗  详情 回复 发表于 2015-7-14 11:11

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发表于 2015-7-14 08:39 | 只看该作者
回去看看理论吧

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能推荐一下资料吗? 这些对于你们来说确实简单了些!  详情 回复 发表于 2015-7-14 11:12

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世界上有2种笨鸟,一种是自己刻苦修炼,笨鸟先飞;一种是趴在窝里下个蛋,让下一代先飞

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 楼主| 发表于 2015-7-14 11:11 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-7-13 23:427 Q2 n' w- u% o  _4 x& N+ d' d
从一个port看过去就可以啦,所以看Z11即可

) S: x, c0 X: a6 z7 u8 q& s* LZ11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗,也就是自身的自阻抗。
, V/ f0 Y4 g. O8 l  z& j在port1上加去耦电容是可以的,Z11会减小。这是没有问题的。$ B4 y6 c. W6 ~" ?- g) Q' o5 q
那我在另一个端口(如port2)加一个接地电容,但Z11却不变。
$ _* N5 H' Q" r' u/ f$ \  u( K% b我觉得根据输入阻抗计算公式,在第二种情况下,z11应该是有所变化的?
" z& z/ V9 d6 T' A2 b能劳驾解释一下吗?但实际却不是。
/ V- X# }* k6 X' `2 E+ I

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 楼主| 发表于 2015-7-14 11:12 | 只看该作者
qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
2 ^( g) @: X& J; T5 r& r回去看看理论吧

* e, N4 W* B" }# o& p% p能推荐一下资料吗?* l0 A$ o/ z: D
这些对于你们来说确实简单了些!( b8 }. o7 j, F  j$ O

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written by Madhavan Swaminathan A.Ege Engin  详情 回复 发表于 2015-7-14 13:35

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发表于 2015-7-14 13:35 | 只看该作者
ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
! g- R9 r9 X; `/ A. y能推荐一下资料吗?1 Y; k' |' f  [; q
这些对于你们来说确实简单了些!

8 h8 r; a4 `+ ^  o<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
$ I, L" ~# v2 |2 dwritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin( f7 J1 s1 n* J  L( W

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 楼主| 发表于 2015-7-15 13:05 | 只看该作者

. O" ?1 O$ i+ T' C) B0 L" U7 G: u: ^+ Y1 W5 F9 m
请问为什么是Z11,默认的PDN至少有两个端口,在对SNP格式的文件进行仿真时,对另外一个端口怎么处理?. G6 p. S- X$ [. g2 y' l
谢谢!
. b+ }2 F* x8 [9 @) y2 m. Q3 q

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 楼主| 发表于 2015-7-16 09:05 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-13 16:10# I' n' L) E9 a. Y  |
PDN可以只有一个端口,单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。, G( G4 U+ O9 I, R
两个或者两个以上端口,有两 ...
" t, r, L% U4 ?3 |3 w
我尝试了这两种方法:
' i- A+ a9 i: G6 k1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地
5 S' y7 {( K* Q; S" C2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.) X% v! n' g9 o# B8 b% I3 B
得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗?' P7 V- V. o! K; r; J1 l' _% U
" N5 s! s! r. f- f# w9 G2 X5 W8 Q

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归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0. 0ohms怎么归一? 归一是要用Z/Zref的... 结果是不会完全一样的,在1MHz以上的结果是基本一致的。 有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条  详情 回复 发表于 2015-7-16 09:31

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ares0260 发表于 2015-7-16 09:059 K: L! u- f: W
我尝试了这两种方法:$ n8 _7 U; u1 M) b( G0 c
1)只用一个端口PORT1,另外的VRM端接地  u+ W- E! `) L4 Q
2)用两个端口PORT1和port2,另外的VRM ...

2 n" w8 f0 ?' {( S归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0.( b" _- }' f8 T6 I0 M( e
0ohms怎么归一?  ) p* L  A! |; r, y

1 ~3 r( |  E# ]8 D5 i" _归一是要用Z/Zref的...; d. J% Q; z. {9 Q! X1 ~
结果是不会完全一样的,在1MHz以上的结果是基本一致的。
% K* u' N/ K) o9 u- Z有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线,值很小。" }' a. H. a$ i
无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值,这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
3 T; O) L* M4 @& f记住以对数(log scale)的方式查看Z11。3 J  x! V$ m: g; }& e

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Hi Conusins, 请教您一个问题。 枣做电源完整性的时候,会生成一个SNP文件。 放到ansoft designer中去,做它的时域瞬态响应分析。 因为以前没有接触过PI,真的不知该如何下手。 望您能指点一二。 一般情况下  详情 回复 发表于 2015-7-22 16:08
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 楼主| 发表于 2015-7-22 16:08 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-7-16 09:31* ?/ D8 S+ b5 h7 V5 e
归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下,不能设为0.
* k: m5 l4 f9 @& r/ ^0ohms怎么归一?  

6 J( Y( S0 W1 v! H) _3 BHi Conusins,/ s( j! v9 ]! o" X
请教您一个问题。
0 q* G2 P% j* Y枣做电源完整性的时候,会生成一个SNP文件。
( `' `; _  Y1 U2 o0 J放到ansoft designer中去,做它的时域瞬态响应分析。% ~* y  S0 Y  R0 i( H
因为以前没有接触过PI,真的不知该如何下手。
/ Z2 n8 s$ a" E) r8 ~7 Z! n2 k望您能指点一二。
9 u/ J+ I2 l& d( }1 {) L一般情况下,会给它一个阶跃信号(0 to 1.2v)测得芯片输入端的电压即可。
  Z/ s' x5 Y9 ~但是参考的图中却没有看到对应的芯片(dut),这样对吗?: i/ J9 s: X; S$ T

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发表于 2015-7-22 17:23 | 只看该作者
你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。0 X! G! C1 w# A. k5 O0 S
这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号,就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话,你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。, ~8 Z9 c3 w( U5 p4 J( W' g
  i+ u+ Q' v, E9 j% \7 a' J2 d

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能劳驾你给一个电路模型参考一下吗?或者一个小例子。 拜谢!!!  详情 回复 发表于 2015-7-23 11:35

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 楼主| 发表于 2015-7-23 11:35 | 只看该作者
本帖最后由 ares0260 于 2015-7-23 11:45 编辑
! y" z  @9 x* z! v" A" U
cousins 发表于 2015-7-22 17:23# ?& t% p; q" u0 ]/ q+ w; x. D
你要给的不是阶跃信号,是带交流分量的直流,交流分量为纹波。
0 h5 }7 k* G% u8 \! }2 |. y这个架构是对的,如果要仿真芯片接受的信号 ...
如何体现纹波的频率呢?; W# o$ k6 G  N, r
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗?或者一个小例子。5 Y, n# ?8 j+ p* z6 K
拜谢!!!
" \; U& o. X9 S: c" R# S" P6 O+ u下图是从别人哪里看到的结果,纹波应该是0.04V,可是我总是做不出来。
1 \" |) A! V2 I6 V- u可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了,你帮忙看看。% o4 ?( R; m1 v: E" z4 ]
非常感谢!!!* v! x- U# U! `, Z& ]! o

6 R# M. ?: P. o2 _
  a! `- w. ~, a$ g
) m. Q4 d! @9 R1 \: T0 A

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发表于 2015-7-23 11:44 | 只看该作者
提取平面的s参数即可。

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提取对应的S参数,也做了阻抗平面分析了。 但是要做对应的电源瞬态响应的分析。 所以不知道怎么建立这个电路模型!  详情 回复 发表于 2015-7-23 11:51
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