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电流监测电路工作原理 求指教

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发表于 2015-3-25 15:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电流监测电路的工作原理是如何实现的,求大侠指教,在线坐等回复4 K4 ~0 c( ~' i1 m' [

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发表于 2015-3-25 15:28 | 只看该作者
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V
7 |/ P6 D! J; \0 u$ \, `再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。

点评

我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:45
If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
In the day of grief,be mild!
Merry days will come, believe.
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发表于 2015-3-25 15:38 | 只看该作者
典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。

点评

图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大  详情 回复 发表于 2015-3-26 08:44

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:44 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-25 15:38% d3 f* o6 G* y4 X; }& ]4 r) B' U
典型的高位电流检测,而且你的图纸有问题,IN+是接R,IN-接S,R701也过大,一般都是0.4R以下,看电流。
# s- c8 @- R  h5 H* _5 o) d+ k8 t
图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这个电阻也不算大( j7 t# q/ t, k7 l* M

点评

没有问题? 先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流? 再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过  详情 回复 发表于 2015-3-26 10:29

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 楼主| 发表于 2015-3-26 08:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-25 15:28# c* d! W- r2 i/ E* T  z% [
图2,通过R701两端压差可以计算电流4.7*I=△V' |. z3 K" H$ e" d6 X
再仔细对照下图1中那个芯片资料,应该就有你要的答案了。

7 H/ B* ]# ?, l5 [5 A  D% S我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?1 k" d4 f# b# f4 o, H% F2 p7 D3 W0 O

点评

IN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短  详情 回复 发表于 2015-3-26 09:12

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发表于 2015-3-26 09:12 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:45/ U5 j* P/ x( p. L
我看芯片的规格书上只有IN-端口有电阻,IN+端口没有电阻,有点搞不懂他这个IN+端口加电阻是什么意思?
# {6 C- _3 F  F; J
IN+端口原理图上面的电阻可有可无,那是因为芯片内部是比较器(比较器特点:虚短虚断)。IN+端口加电阻可能是吸收毛刺作用吧(这个我猜的)IOUT = VSENSE/RIN这个公式就可以算出电流了。这个电流的计算也是利用虚短虚断特点计算的。
2 `6 [. D( q/ e9 g' b: b6 X兄弟8 ~& z/ U) l7 I8 P5 r2 c& s
芯片内部的逻辑结构图也是比较重要的一部分,需要仔细研究下
( M7 k, z$ m3 n3 `/ i5 k' R" M, ?( o8 C1 p6 P5 e
" a8 V' O! M7 j" Y! }
写了这么多希望对你有帮助
' Y( p3 j4 }9 H! a) n: c
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发表于 2015-3-26 10:29 | 只看该作者
fly_pigeon 发表于 2015-3-26 08:44; J- ], ~1 a* H( D" E. s4 a+ H/ `4 r4 Q
图纸应该没有问题,这个是人家已经设计好的,成品模块我都测试了,我们要检测的电流是1uA-150mA,所以这 ...

$ F: p$ h( g5 b# w7 e没有问题?: Z1 K" f4 d$ ?# j2 h  C& \
先看电流,1uA-150mA对应4.7R的压降就在4.7uV-0.705V的压降,你在大电流的压降那么大,能正确反映被测IC的电流?
9 N. z$ y. D, j% [再看高位电流检测,我看了规格书,我之前说的IN+/IN-的接法是错的,你这个IC确实要反过来接。而且这个输入失调电压就是10uV,你还能测试4.7uV?' M. }- g% E3 S# S$ q

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发表于 2015-3-26 12:43 | 只看该作者
原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相等。那么R1*Icheck=R2*I2(Icheck为检测电流,I2为流过R2电流)。又mos栅极及运放输入端阻抗极大,故流过R2的电流与R3的电流一致所以mos管源级电压为Vout=R1*Icheck*R3/ R2。   按规格描述电路基本正确,具体参数在算算,呵呵。后面那级二阶低通滤波?滤啥子啊?& n+ C! M( E, @* _1 `$ b" a

currentcheck.JPG (38.32 KB, 下载次数: 0)

简易图

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我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~  详情 回复 发表于 2015-3-26 13:46

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发表于 2015-3-26 13:46 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 12:43) v2 O$ ~8 I& d; [: B
原理很简单的,简单画了个图。原理如下:MOS管U2引入负反馈,满足虚短条件,即运放正反相输入端的电压值相 ...

8 `0 U1 h# h# B( }9 b$ U; @我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~$ _/ Y& p/ X+ s& o
$ n$ ^5 y% G- e( x( L/ m

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PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS  详情 回复 发表于 2015-3-26 16:45
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发表于 2015-3-26 16:45 | 只看该作者
zlpkcnm 发表于 2015-3-26 13:46
) }+ Q' B8 h) {# m我觉得阁下这个地方的图上面不应该用NMOS~~~

$ X1 B( a8 \4 ?9 S/ E- l7 UPMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片正相、反相接法相反的,当然楼主的芯片确实应该用PMOS
* v7 ?( k) E+ Z% T% v+ z

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恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可  详情 回复 发表于 2015-3-26 17:03

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发表于 2015-3-26 17:03 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-26 16:45, \% O7 K/ `: P* [, o
PMOS我的那个电路不能导通mos吧,反过来想,运放输出端要高于电源电压,不能做到。我的这个是跟楼主芯片 ...
! E- X) f3 t. I$ i$ H
恩,没错。所以该PMOS,运放正负端交换即可
' x3 L: k; e$ j4 u- w/ q0 _' I9 B
If by life,you were deceived.
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