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仿真结果分析?

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发表于 2015-2-7 12:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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用IBIS模型仿真时,flash,sram异步存储器的地址、数据信号的上升沿和下降沿不单调,导致噪声裕量减小,这样影响正确的读写操作吗?考虑到并不是这些信号一改变存储器就锁存,我认为是不影响的。不知道这样想对不对?
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发表于 2015-2-7 13:16 | 只看该作者
从这个波形来看,对信号锁存没什么影响。

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发表于 2015-2-9 09:13 | 只看该作者
判断是否有问题,首先是观察判断电平是否符合芯片的设计要求,再观察时序是否满足芯片要求;这是两个主要方面。
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