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分感性和容性
K* T2 V; p- Z0 u" H6 s& @4 ?Cm/Cg+Cm
1 U* f% S7 t5 u: s1 cLm/Lg
1 _1 Z. f$ J) ^) }Cm,Lm 为互容互感
2 |* a4 |, |. ILg,Cg为自感自容9 z8 i$ v/ ?# E' _2 H# r6 _
# s/ u4 T, ]1 i6 b- {! h, lLm=v*dt/di
1 K* l. o7 X0 o; n+ x( {1 e x$ V# HCm=i*dt/dv; u2 Z. v; V& w& [
~. O( ~2 D" v- V+ N
你这里给出的条件不充分,还要介质厚度。
- X3 K6 m' X0 v7 L9 l7 UX与介质厚度决定Lg,Cg! ?6 j. g% j( ~0 W
Y决定Lm,Cm* K0 P$ d% l# {+ q3 Y
其中Lm=miu*线积分(dL1*dL2/R)/4*pi
' Q. Y& c' [( Y) B7 KR为磁回路半径,这里近似为介质厚度。L1,L2为两个回路的长度。
8 ]. Q/ w- X/ U3 f/ S! XCm的话,很好求,Cm=effective epsilon*A/d
3 G4 E! g& s; jA为耦合面积,d为距离。
; }) m& t0 B8 U5 U还有,端口不同,体现出来的奇偶模特性不同,因此Lm,Cm将对不同端口,不同形式电压造成不同的耦合影响。0 C$ y J I l3 b8 E9 u" o- F5 g" i* \
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