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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。9 ]/ k7 H. v: T
   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
" Q& j" D9 F4 ^

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 ! ?" C/ o. y) [
% _1 ?+ {6 H7 d. }1 M: i! S
ACLR肯定是受输出功率影响啊1 R& g9 ?# N/ c. t5 J9 r( ^' W7 L: X
2 s/ `( L2 _, f( n* t$ h8 n7 B" }0 P

! O& h( }( p9 N7 j; h1 v3 R, h8 `0 K

4 x, M# S; ~) s; P5 n$ D
6 V3 w) ]7 P: s& F7 w8 K- A
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
' z  p# e: }0 {) |+ ?+ T
1 V# f$ s5 s5 ^* i4 y4 `7 {

( V0 ^3 R3 n  }1 x
6 V7 r9 M8 P/ K! h
, E; Z7 R6 |- W/ ^& Y! x

" J* S8 P  G5 g
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
9 S  E  B. C) a- n/ o1 u9 t. X
  E- l2 G. l) l
) X" i. J' a$ Y8 r

( k. s' N/ \( G: Q! i2 m
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
' p; c/ P3 t: |
& [5 F1 G* Q* P( K  c& B- S9 a  }8 i" H; `6 A) A2 N
) }1 _1 B/ i: v/ l6 Y! j

9 x* ^' O7 u2 F9 t
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
1 @* S' H+ Y7 w- e3 y8 b
8 z) X% t: P# [3 O5 k8 d0 {( t
3 N; M1 Z0 E0 x9 ]4 P: M
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
( w8 q' {- A( q, p
0 v- q& q3 k5 D; `9 J5 B% V! G7 v2 X! T
  y0 H3 R: ]" Y% L# _. @8 V4 G# B

* L7 M, P, V! G! e  w! N
+ g. D: i  [* e  x' r& Q+ f$ V  D, s& b! {$ K1 h$ j/ k
& m8 C, p/ R- Z: u8 ~& W1 l

' b( v" F- c0 F8 Y* Z- O3 x
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
( k* t% g0 e: P# Q8 U

+ B% S, \1 ?3 K- r6 Q9 A" K1 ?/ M& ^: F3 G$ [

% a: k! i  o; p0 W2 f
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流

2 h1 W. g  g9 u

4 F' H7 r' z" D; Q) J" R; L
7 D: s8 \+ y- K6 e, d
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)- x8 K. Y% n; h) ?# X$ u

, Z) D4 j6 E; ]2 T4 N* Z
3 ?; G% Y7 W! B) N, E
+ J' i6 _; h+ U2 i: Y. V" s
而WCDMA的方块图如下

  g  }( _' b: K& _/ n
/ ~7 U: A2 b- z  d. l3 \

/ N$ i( g/ U: _' m" @0 F# V
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :
6 z* \. y: O" {$ |$ [

9 S7 j2 e3 d& l7 Y2 p; B6 V
6 ?& ~+ @9 ~% y6 i1 p( a4 r# g# h

$ i7 c0 @- U; e* f$ r1 `$ U- I
: m+ e6 e; y8 A! f; q7 v$ v  y
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化
( y7 a! E/ ?; j' |' {3 j. p
  f' U1 A9 f8 A& F3 g7 @# F
8 }, w( S. y  P- b6 ]4 o

/ u) R' E) i: p& C, ~* E4 m; z2 j: p0 D: l0 D6 f
- N7 B1 u! _8 L0 _  v

7 B, W) \0 l* n+ ~
3 R8 e0 L7 M: @; z2 J; H8 c# s1 b
4.      
, D* B  x3 T5 C( G+ e7 d# P8 g' ^  T
, \7 V# ]; \- P% B
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc
4 F2 M: C% x) y8 N5 ?; f1 F8 M' l  f0 `

1 d  ~' ]& M4 H, P! }7 B# f
  X7 N+ s2 g* i! ]' g7 e4 l$ ~1 W
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)

0 T* g7 U3 U# y) N+ s
  I& I6 A, b# {  G2 W

; d3 d* K- Q2 t# H# N5 p/ p( X; ]
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。

/ Z  J: A/ S) ]5 U3 ]! s

% T5 E# f' M2 z6 `& a0 x/ z3 u
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。
1 i! S; G, W) f+ R
; Y" B# j; \" X3 L" x
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。

! m% g( H) Z7 `/ t

$ z/ Q4 o* M$ D6 i: K5 F; b
( f3 Z3 H+ k$ B; P( E+ B. |/ n
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好

5 l, V8 y% t$ s
2 Y& x# i- f6 i- ?+ r. a
/ `8 K- s+ P9 s: ~' |
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。2 b0 @$ [+ a) _9 @( r. S- e
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
5 I; A+ u- d+ t- ^, x1 ]# s' K

+ `3 `7 s2 Q, w1 L, K/ M
$ @$ W' @5 t' k; A# i# z7 F
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,
* k2 t+ a8 N2 j. @5 Y8 R. Y
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。: w: k0 x; Q, n$ {- f8 Z/ _& ^
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
# [& o! J! t9 e& q
# n6 T, N/ C! \! a8 a& ~& o  c- N

4 l0 G9 N0 T9 G  T0 _0 M7 k& H2 T& P
4 }3 R! |1 R4 h" m# [

! A" T. D( s- |* T6 V
1 u7 E! e+ R! ]: Y5 {% a4 B% n
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :
/ \8 I: r0 p! d- [
; e0 `* Z/ w3 D8 Y; f- t# q
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

* E, D0 |: d! w0 B

! U9 B: t6 E5 |7 j& u, P! _; ]
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
5 F+ e" c7 H! z

) A4 E* k( K) U6 M0 Y
# R9 d+ A7 C1 v0 M4 r& C* x
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

" B" Z7 m! i: t
0 s  E: G, N# A+ o

4 }. z% `2 h1 |1 s4 ?3 U% V1 n6 C
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :

+ Y6 t" ^) F: X( T8 u
' V; M3 K" L( g& T
1 g$ E, r5 M! V/ o) e$ ^/ \
9 D5 R/ b. _; p

, g0 h) p! `" f
: b" S4 r0 I$ E8 o
而当电压极低时,其Cgd会变大。
& ?) }, j2 L0 D  p% ^
                        

# u& F+ N# \  Z1 S1 _- |' z
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,# |& A; @+ H+ U9 ^; j, I$ k
因此部分输入讯号,
$ h  ]  {8 I6 S8 P+ E. _$ F会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
3 H* }/ c9 r$ p- |4 |8 g简单讲  低压会让PA线性度变差: @1 p+ c. p. L
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小
0 y- W  Q: I. _# c4 _* o那么ACLR就会差, e1 U; |7 J' o+ X0 N* n0 A
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要$ Y8 E7 ]. c5 \' I- \
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
2 K# \7 x2 |) J* C& M0 `/ l那PA输出端的ACLR   只会更差+ r% E. b' h4 k% }
4 O/ _  \( d7 H; b! A

2 @2 u+ z4 ?7 n) _) ^9 I$ m) n
+ o8 }: K5 {& v$ [1 P3 t
; Q$ K! w& z- ~  f( ?( Q% Y: b
. F* e. t2 y! A- C" k0 ~

( R* J& {0 [& G1 _$ ?( L
7 c. j3 O& S( C& ]3 u# f- c, g  p' ]

- _0 e2 B% a9 s- E- Q/ t+ ^9 Y4 |! g$ s' K8 v

3 [( a7 T+ }& v  u1 T
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
  V8 @7 i, \# R6 s( `
; F9 O/ v, C$ g. L
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
( x" B! d  P) t+ n) l2 O7 h9 A- J
7 F+ m. s0 S# ]. w8 q$ B! f
8 u. n' S, O. w! C3 e! b
1 `* E! I  A( {6 g! }# d; K
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下: R  u$ e/ t1 W* f) N, V. E, R4 p& x

. C  b9 ~0 c5 K* i
1 ^1 y/ \9 D& U3 F8 E1 B$ f7 N8 o/ W( E
, q1 C7 P* ?, L) l+ [

, V9 i" `9 F* p( X9 R! G5 S: @3 c$ o! Z) ?9 Q; O1 C2 L

3 `2 i  T1 |) i. q6 j/ C; k& I& j5 A3 R0 _( H( x
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
) Z" {; `' S3 p0 w0 m5 B1 z8 b; {0 o

% |0 @4 I7 C" ~7 i8 c0 _: J
% G" A% M# g. I) b' P; ^4 b, B
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

( A( J% C1 n7 U1 }/ r/ ^

+ w6 b/ m3 A% M" S- L" j

# Y$ q# N* J. [2 M$ U; H* v7 M6 ]4 D
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR

8 Y  F; I( W  @& \5 |; J- U/ h

. K, x0 M+ i  n: P7 e* s
$ S2 F0 [1 q/ S
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
& q& E4 L: X! F8 s7 Q; b
; G5 |% q4 \' t8 {
& w' Q  D. |5 B5 i0 m' r7 U
我们作以下6个实验
) x+ O" \" p. }1 O( w
9 l$ D+ L1 \& x; L0 Y2 b9 e
+ p$ A: V9 g  k/ G
% ]1 v: O% K/ a1 |* E5 p; y+ ^
6 {: R) ~; \- H) }

# E8 h0 y- J( |; U( _4 J+ }% y  z/ h" w

2 P' t1 n' `+ e$ Q
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大

6 W! u$ h% N2 }2 L+ k/ _1 V
7 z) ?% k9 |4 z

: ^# _" C3 ^  y- h7 `$ q6 S
4 |$ S8 R( g# [5 U/ \0 ?* I4 ?4 L- X' O3 V2 h

! P/ l6 W% [( V& L8 \4 F
* B7 E* }+ n; Q' z2 u$ A# z- [5 e- O0 Z2 x9 w# k4 o

9 W/ q  A. I# a5 `+ i7 s2 F, n
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用( u( k* P. c# e  M6 b/ t( A6 J
5 ~, ^( `/ v2 x2 c

+ }7 @+ S3 T5 i) Z% _* P
( g1 r4 ^' l& u; a6 D/ _

7 q  k% I& N+ D3 H! Z2 X" M
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
& A. k, w. y8 a" g" n
/ l  J. h" X: C: M6 h% }+ {7 Q
  q# S- W/ o- }: ^# ?+ @* p

1 B& k3 g& E) p9 j- q6 w. y
. k" P% \5 H& V$ K! \8 ?  ^

: ]* j# X/ O. L! ?
  o$ }, x" }) M# ]7 E1 e$ n) ^
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
  q! }1 r  {4 y
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

7 r; G0 [( J5 {9 S% q1 `9 g8 q# T
: L# k( ?. _# a# D5 Z) M9 d5 J7 b6 B" l1 P" n
其他详细原理   可参照  
9 d, M, f+ o) S5 j EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... 3 L4 l0 F$ O1 Y$ N- y- w
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  + ?; C- E- Y* y7 v- w/ }( Z
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
8 i: q% L) B0 r* Q( _4 S8 l, K  ^3 H/ l射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
8 T% V# P- ?4 h8 X5 E# g8 j4 ?0 b& N' j5 G* K6 g% q% D0 n
  在此就不赘述

3 Y, f- C7 n# p% e* s& G7 h+ [* i9 W! |  m2 P  ?$ t
1 |; C- k" O1 o, }0 ]

2 i! @: d3 F  _$ B1 ^

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32
4 l/ v( X+ o; c- b0 o' _ACLR肯定是受输出功率影响啊

3 p. f5 p+ Y9 S- K谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!
7 N" }. \' d6 c/ G& M5 ]' F6 |. }

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
! \7 Y9 Y  T# q1 N/ A1 @* I) g, H) d# R
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1 b$ O: s/ A0 w
2 f! B: C. r/ S# ?: G) ?
- A4 ]$ N$ h4 U0 L' _- e5 K' m/ C5 G7 t, s# T1 l1 s

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