请教DC-DC同步升压与异步升压两种方式的区别。

ALIDA · 发表于 2013-9-5 13:34

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如题

zhanglaoye · 发表于 2013-9-6 07:57

kevin890505 发表于 2013-9-5 21:52& C( R0 L5 N$ K$ w+ b" \" S
最显著的：
$ F7 s3 z; p$ I% T5 f/ u7 C非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率 ...

这个只是大概算法，实际上还有MOSFET栅极输入电容驱动损耗，Qrr造成的关断时的损耗，特别后者。

kevin890505 · 发表于 2013-9-5 21:52

本帖最后由 kevin890505 于 2013-9-6 13:00 编辑

最显著的：
非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率P=0.5*5=2.5W，非常恐怖；
而同步的在须流上，耗散的功率取决于MOS的Rds，而一般来说DCDC用NMOS，Rds大约在50mOhm以内，此时，P=I(2)R=25*0.05=0.75W,优势可见一般。

不够严谨，补充下：
1，5V-1V/1A，占空比大约20% 那么P=（Iout 根号（1-D））平方*Rdson 大约为0.01W，如果是二极管，P=(1 - D)Iout*0.5V 大约0.4W
大概计算下，前者效果可以近90%，后者只有70%，这种情况下，MOS的Rds主导
2，如果变为5V-4.5V/1A，很明显，由于占空比高达90%，上两公式算下来都差不多，这时候，开关损耗的比例就自然会占主要因素了。

zhanglaoye · 发表于 2013-9-5 16:33

恕我孤陋寡闻，没听说DC-DC同步升压与异步升压，只有做过BOOST同步整流电路，它的特点是把升压二极管换成场管，降低损耗

cvntao · 发表于 2013-9-5 20:24

非同步芯片在肖特基二极管上的损耗很大，效率远低于同步整流芯片。通常在大压差的应用条件下，同步芯片从性能到发热度来看都优于非同步整流芯片

kevin890505 · 发表于 2013-9-6 08:13

zhanglaoye 发表于 2013-9-6 07:57
/ K5 t/ z8 f d, b这个只是大概算法，实际上还有MOSFET栅极输入电容驱动损耗，Qrr造成的关断时的损耗，特别后者。

所以说是最显著的嘛

zhanglaoye · 发表于 2013-9-6 08:52

kevin890505 发表于 2013-9-6 08:13" L$ j6 H9 Y0 S5 l
所以说是最显著的嘛

对的，我也只是抱着提醒初学者的目的，这两个参数不注意有可能做出来的效率改善不大。

rogetxu · 发表于 2013-9-6 11:34

本帖最后由 rogetxu 于 2013-9-6 12:40 编辑

也不能一概而论。和输出电压相关。在低电压输出明显。在高压时很不明显。MOS的Qg等影响加大。
在boost里，用同步就很少

bingshuihuo · 发表于 2014-10-21 11:04

kevin890505 发表于 2013-9-5 21:52
1 Z1 Z* {$ e* }% x8 P z最显著的：
+ V, K5 L" S4 X, n& Y非同步二极管须流，二极管耗散的功率P=Vfow*I，Vfow压降基本固定，假设电流5A，那么浪费的功率 ...

Iout 根号（1-D) 中的1-D表示什么啊我看不懂，麻烦你详解一下！！！！谢谢！！！

bingshuihuo · 发表于 2014-10-21 15:42

明白了我想想也应该是，谢谢！！！！

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