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DDR3端接问题

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发表于 2014-6-16 13:28 | 只看该作者回帖奖励

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请教下给我大虾，DDR3端接问题。

自己发现在INTEL 给的DATASHEET上的使用DDR3 SDRAM颗粒时候都会要求使用端接电阻。就是用0.75V上啦的。平时在做Intel cpu时候使用就都加了端接。
最近自己看到有的显卡，或者ARM原理图上使用DDR3 SDRAM时候没有加端接电阻。

请大家赐教，这有什么区别

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发表于 2014-6-24 15:18 | 只看该作者

数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主要的原因还是考虑到阻抗匹配的问题，防止信号的反射，振铃。

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发表于 2014-6-16 15:15 | 只看该作者

数据线没有，但是地址、控制线应该有吧。除非内部已经做了。

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发表于 2014-6-16 21:05 | 只看该作者

驱动能力够就不需要，不一样的设计。

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楼主| 发表于 2014-6-16 21:20 | 只看该作者

afande 发表于 2014-6-16 21:053 c! U* k. E9 P" F- ^
驱动能力够就不需要，不一样的设计。

thanks very much

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发表于 2014-6-26 20:07 | 只看该作者

wangyiqun823 发表于 2014-6-24 15:18
* l' w* c& ?* i, r$ ~) Z% Q数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主 ...

说的很对！对于双向的数据信号，发明的ODT技术，节省了很多上拉电阻和PCB面积！

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发表于 2014-10-21 11:14 | 只看该作者

ODT，从DDR2

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