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本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 3 g$ Y: s0 x. t
9 n: I$ P9 e& y1 K* W+ o! D# D从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
9 Z L) S" M0 F图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
: p H: O. s( k) Y# D此处:
$ M7 {& n0 u9 x" X0 h* B6 OTCO:由寄存器本身参数特性决定;& z# G$ `/ t$ I! G: T
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;
+ W7 w( i3 X& V. J* I0 jTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。
$ U( Z( U) g- S+ [* I, M而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。' M* t3 h8 b( G6 k
对于地址网络,需要满足:
6 g2 z+ O4 }4 X' e% |max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;& f% z1 ^4 U% D4 E: {
' U2 p/ B7 S* Y1 u& Q对于数据网络,需要满足:
3 N8 m# M) F, n9 S9 Zmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
5 o! |9 Q& ~( @! X6 V$ g" f3 [$ {
2 l3 S4 `+ e4 }6 F8 {( v上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。
0 K6 {# ]/ Y3 [' }% x5 z2 z# ]% k3 e3 }, J0 Q. Z* U
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
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