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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑 ) g' Z' ^! g8 O5 y& [. T5 G

" v* M. W. g) F$ m3 \说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。
9 m3 Y/ {3 F1 F" h3 z4 Y- u* N
# q9 y4 [/ I1 b4 ~" A1.芯片级的影响因素:3 U6 U8 s9 u3 X( l# C5 n4 Q
tco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。
( s* |. V) Q, ytacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。- y) ^4 z( j- R, R6 G
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。$ Z* {8 v1 n' n- L! U
3 o9 U* l/ }  U7 }% ]
2.I/O的影响因素:5 E% L4 u- A5 g6 @/ k+ g
delay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。9 o( p4 C! ^$ `

5 I; K( c+ t0 s% _( `% d3.package影响因素:
% ]5 ~" |/ A+ K  J$ e( J; m  X* QRLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。" K$ v! ~7 o$ g
# r9 I3 G8 O( i8 p, B$ z
4.PCB板走线:" B8 V% y* J' L' z  Y/ h' d
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。6 u! Y( w# g7 m4 V' j, x
4 f# O0 x2 s% ?3 E8 h
5.软件调节:
  M: {; q! ^3 Q9 X/ U# Z# rdq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;% {5 L5 Q/ ?& L
dq readQS偏移1/4tCK;...2 w% j! \! v8 X* w
+ E, G( g0 H3 _% {
希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
- a. g% h* O1 g2 w  q5 Y  C3 q* J8 `. S% s( X, T; C
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑 $ {# e# E$ g( O5 G3 m

" E3 x! O2 q) m2 k  g) X在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:
( u2 ?' S& v3 ODQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;
; D5 [6 \& E( k" g( b/ B3 y
/ L6 N3 y) {$ B' O3 M: nDQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)
9 p; X5 f: g: t9 V3 ?0 a) O1 }  p9 {* I6 L' e; a! d1 [- a* Z
DQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?
' S6 p4 ^& V4 _! E  T3 z- Q& C1 m4 U
DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?/ Q0 Q1 k3 ]5 X: w  D

% {$ {! Y1 ]/ l4 k$ }) A% I9 G* u( r芯片级pulse width的各信号如何获取?
' U; \4 {& l# P$ F# g+ v, D/ T( ~7 U9 m6 h9 _) `! D
ECHO gating8 X- {4 y* C' a1 @- W
7 H4 S8 I8 T* H3 T- F

* y, b' n- [* n/ z; M4 k4 G7 x  {  A% B; g3 F& _7 @+ {
这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
. J' ^4 [5 I( s& r: P8 f" k+ F; M: _1 p
从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 3 g$ Y: s0 x. t

9 n: I$ P9 e& y1 K* W+ o! D# D从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
9 Z  L) S" M0 F图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
: p  H: O. s( k) Y# D此处:
$ M7 {& n0 u9 x" X0 h* B6 OTCO:由寄存器本身参数特性决定;& z# G$ `/ t$ I! G: T
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;
+ W7 w( i3 X& V. J* I0 jTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。
$ U( Z( U) g- S+ [* I, M而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。' M* t3 h8 b( G6 k
对于地址网络,需要满足:
6 g2 z+ O4 }4 X' e% |max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;& f% z1 ^4 U% D4 E: {

' U2 p/ B7 S* Y1 u& Q对于数据网络,需要满足:
3 N8 m# M) F, n9 S9 Zmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。
5 o! |9 Q& ~( @! X6 V$ g" f3 [$ {
2 l3 S4 `+ e4 }6 F8 {( v上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。
0 K6 {# ]/ Y3 [' }% x5 z2 z# ]% k3 e3 }, J0 Q. Z* U
而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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