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SystemSI-Parallel bus analysis(DDRx)仿真模型on die上的参数问题

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发表于 2012-2-17 11:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 shg_zhou 于 2012-2-17 12:23 编辑 9 ?1 |2 ~7 {; m6 W; {2 f
# F# k4 K, L  x* K! f
On die上寄生参数的模型从何而来,其具体的Top是怎样的?$ o; Q) j) b* Y0 G; e, `, e+ l
6 s, z. k; D0 S( W( a
如下图: Short resistor ; PDS resistor ; PDS capacitor等;
8 {. f  G) B) p# W. u9 }

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发表于 2012-2-17 12:02 | 只看该作者
The PDS RC values are just between the power and ground terminals of the IOCells (drivers/receivers). The “short” resistor is the resistance of the signal paths through the die, which is essentially the RDL (re-distribution layer) parasitics for each signal. User can get these parameters from the chip design team.
: i' t; \5 q/ w8 S+ R

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发表于 2012-2-18 11:52 | 只看该作者
研究中感兴趣的项目啊!
  r# T2 W- q$ ]6 A; _0 J' l* \& S) L谢谢Sigrity工具

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发表于 2012-11-27 22:14 | 只看该作者
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发表于 2013-10-28 19:37 | 只看该作者
直接看IBIS model里面每个pin脚对应的rlc
$ ~4 O( I" Y! J  u1 z6 O手动添加。8 W$ B! E1 V# E) i
新年伊始,稳中求胜
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