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楼主: sunuy
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[Ansys仿真] 关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

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发表于 2012-5-4 08:37 | 只看该作者
yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
3 u6 P# T2 J& M& @* k) n就一张图片,说不清楚啊,看情况貌似是目标阻抗没设置好啊
, B9 }7 a, e) W3 M6 _. p

. J+ X" _1 q0 l. n2 Z请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
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发表于 2012-5-4 09:02 | 只看该作者
beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37
" X/ ^: b; w" q8 F* _* p请教一下yuxuan51,关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?
- n" B4 B7 |! v( d' \, j2 E
那个只是个示例,最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

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发表于 2012-5-8 10:26 | 只看该作者
也请教一下yuxuan51版主~~" e; J" i3 e$ H! e/ R! v
最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据,能不能教大家算一下?! g9 i, S7 `3 i' J0 d6 g0 C
DDR3 DRAM datasheet 中
/ y+ m; Y& r1 K5 m6 h0 q& V& c           Parameter                                            Symbol                       Max) }9 h9 O' Q) k5 A" E, V9 C& h
Operating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
2 R' o8 b. H7 Y0 c. ^* R0 \. m0 t. VOperating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
+ H$ `# ^$ w) R% {( d! R7 hPrecharge power-down standby current               IDD2                        35MA
, Y9 G+ ]0 o+ T7 ~& k& _( {Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA
3 F/ r9 W4 }8 _Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
* p  b+ v- n. vPrecharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA. S& Z0 n# F; k9 f0 Q
Active power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
0 X4 i+ w+ C; M3 nActive standby current                                       IDD3N                      55MA
  ^# a  O( e$ n2 iOperating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA) n' X; V% G7 F: t/ \
Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
9 e2 ?2 D% b2 q1 yBurst refresh current                                          IDD5B                       250MA( y+ G( N+ L" J3 q& [( S
All bank interleave read current                            IDD7                        210MA# d# N5 U  ?/ v3 N2 t/ c  T+ ^
最大电流按250mA * 0.5 算??4 H1 y: Z- ^; X4 D, Y, d& k
另外,一条板子需要8个DRAM颗粒,这样的话是不是电流还要乘以8?
' G3 J4 R3 B% T1 {' b* e先谢谢~

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发表于 2012-5-8 11:27 | 只看该作者
本帖最后由 yuxuan51 于 2012-5-8 11:28 编辑 3 N/ B2 c$ Z% C2 b8 @
picibi 发表于 2012-5-8 10:26   K3 d, V& C. z9 X4 N" d" [3 n
也请教一下yuxuan51版主~~
% Z/ }% q% H* K8 [4 t" O/ N最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么?貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...
$ U- d$ q, L1 B$ ~
9 J) |: f. C: s; `- B
首先说明下,这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的,比方说一颗DDR2片子,它有好几个电源供电脚,每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电,这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明,所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
! o% S8 N( t/ C* P$ V6 m; a; e! X/ S' c8 w
下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法,我一般都用这个来计算,要是有异议的地方大家可以提出来
0 {( |& c. z) ^1 X5 S, U" g8 C; d' }' L0 G/ Y, E; e
首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型7 b1 X/ M. r7 ~- J- z) R
2 b, ]1 `7 j# b5 A
然后找一个要计算电流峰值的电源管脚,知道它所负责供电的那些buffer,打个比方,我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电,然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up,power clamp节点连接一个DC源,并在他们之间串联一个电流表,如下图,给所有的buffer同一个激励,为了找到buffer翻转时的最大电流7 m0 j& O( k! o2 e! K* s" F* U! s( `
  W( N$ F, V$ C8 W, j

+ r( k# A5 V% x- R: w1 c ! E# a) y7 {5 ^5 j4 T) ^

6 W( X& B3 r( P7 H/ n  Y
. W7 N- W* `& r% t% ]- Z
% D" d) ]# D3 D2 D然后执行仿真,得到结果后查看电流曲线,可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值,下图+ g/ L% S1 A; v* V7 N- W  j- k

* q8 Y1 Y  m/ G% K4 p5 b3 R/ ?8 _% \! A5 x  i+ h* k
# M. Z3 H) N* F- X
* N% L- f8 l5 E0 y
' B1 x' O7 g8 {
/ i) U& @4 o' l4 A; h
6 R" }! [% M! F# l- z  Y
当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性,不然也就没有参考意义了
" @% i- A: q* z3 Z+ Z
# O. K& ]! g' x. A

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20#
发表于 2016-3-29 17:13 | 只看该作者
ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了?
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