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运放的spice模型能否模拟其噪声特性

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发表于 2011-6-15 16:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
如题,预算放大器的spice模型能否模拟它的噪声特性呢,比如max4212厂商提供的spice模型为* MAX4212 FAMILY MACROMODELS
, L6 ]9 P& [6 c$ x* -------------------------
7 b. i0 A8 L; U) U' ^! V5 a* FEATURES:" x! v' I' @% v: W( k, \* V
* 300MHz -3dB Bandwidth6 n! c+ H* q$ p8 u$ S' }
* 600V/uS Slew Rate
7 [1 a" j8 ?6 M: s# i/ _; d+ z7 ?4 j* 5.5mA Typical Supply Current* `* c) J7 q. G) y) C4 D4 m
* 120mA Typical Output Current
# ^4 k  {8 N* a9 M4 o' O. m7 T* Rail-to-Rail Outputs, I% J3 }, h- q6 ^/ z# J6 }
* Available in 5-Pin SOT23-5 (MAX4212)
) ^! S( k, z3 u8 |2 I. h  }*
! x% G6 O' n1 L8 v4 ]2 @# Z*
2 `( J0 e# Y5 Y: T$ F: r, [1 @* PART NUMBER    DESCRIPTION
  f# X* ^: s9 E$ x% j. J6 e* ___________    _____________________________
: C: L$ h/ D4 i) y* x* MAX4212        300MHz, Rail-to-Rail Op Amps  : d/ e6 d2 `9 f$ u; W6 h
*
6 L: U) h" c0 o*
9 k: g: N0 {( @& o5 ]! B*   ////////////// MAX4212 MACROMODEL //////////////////1 h( p, F( G' ]/ f- M* j; o4 k
*
4 i) L) j& k* Q5 z5 S, c+ o& N1 @*   ====>      REFER TO MAX4212 DATA SHEET       <====
, B" l8 Z/ Z- j2 D  b/ v- _*
! [2 x2 V) ?- k# K# Q3 Q# ]0 x( a* connections:      non-inverting input
8 ^; |( m* F& ]7 M7 E*                   |   inverting input
- u# d6 `2 L! e! F8 ^4 g+ J*                   |   |   positive power supply
% v* I0 W) A3 V( N*                   |   |   |   negative power supply' j7 r; T! v% l& e! {7 u2 F
*                   |   |   |   |   output
) N9 T% c! {% q& y*                   |   |   |   |   |
/ f4 B0 v$ z( K*                   |   |   |   |   |6 y5 A4 K  g4 W2 o2 {
*                   |   |   |   |   |, T& ~0 w  e! j8 I# P+ H9 J9 j
* OUTPUT CONNECTS:  1   2   99  50  97) J: c$ P3 l' _. ?  C  ?, W
*
$ C" o8 f, Z" \4 K  T*
: I, ?& @; [+ r' ?.SUBCKT MAX4212 1 2 99 50 97# h& ^( ^* Q) ]. R& ], Q
****************INPUT STAGE**********************. a( L* l/ d/ o+ ~) G
I1 99 4 .5e-3
# r! P* \, q! h9 H3 t- k6 f, dIBIASE 1 2 5.5ua1 U) J/ T" o$ A: r
M1   5  2 4 99 MOSFET
" t. d# k: N- w# ^5 ]; W7 Q% bR3   5 50 2828
/ k0 G# \6 B! ^( s: dM2   6  7 4 99 MOSFET3 F/ Y, F. D* ^1 b( |* p% S* e
R4   6 50 2828+ r/ _1 y$ T# R. u
CI1  1  0 2P/ {" e2 T3 {" f7 j4 o6 x
CI2  2  0 2P7 o" J# e2 a  m4 m1 I
*DP1  1 99 DA
9 K' H: y4 F9 i5 l3 k/ K*DP2 50  1 DA
9 }6 h' |% i" }*DP3  2 99 DB. J/ ^' W! ~5 D* {- K
*DP4 50  2 DB: ^& L1 J: x) E
************************# @& `7 n" d- H# `) q* E9 _/ H& N
************ GAIN, 1ST POLE, SLEW STAGE************
8 S. [+ u# Z% T: {; ~EH 99 98 99 50 0.55 Y; h. o* F, ]4 i# _
G0  98  9 5 6 7.87e-3
. N5 a, w6 J( E/ aVB 9 10 0V : G# C+ e: T4 {5 G# p
R0  98  9 127E3
# J" e- j: w. g, vC3 10 98 1.488e-11
$ R( }: F3 A/ x2 t, f% M*C3 10 98 1.166e-11
. G5 P; m. V2 K*** ***********! U, k& k- \0 L# R7 m7 H
D1 9 111 DP# o5 K( `8 \7 d: A0 e! d
D2 112 9 DP
0 i4 l, X! K) I* z3 V6 iV11 99 111 50MV# `9 k2 W- l1 p1 d
V12 112 50 50MV
# V, ?. e1 a/ G+ u************
) b* ~) D! d' e. w3 N* c" |9 qI2 99 50 5.1mA
+ d$ `- h1 w' T$ b+ nVOS 7 1 0v" n- F. I9 t! ~, y
******** POLE STAGE **********
' S- F6 N+ v! q; T- b  pG3 98 15 10 98 1E-3% C/ `/ x& Q. K. s. y) `; i
R12 98 15 1E3$ `( k0 @0 O& ~
***************************" \5 h+ U7 a9 f+ a! P& X
*********** change for second pole. K. F$ T8 E, e8 g  x
C5 98 15 .48p( o( Y8 Y/ v3 n" O& j
*  
$ ?4 @( I/ d& |6 S5 y*************OUTPUT STAGE****************8 J  B, E: v+ F# A9 S6 y
F5 99 38 VA8 1
3 A" F# b9 d6 |6 s7 U9 iD9 40 38 DX  t7 X; r/ P& Q4 d& U, L
D10 38 99 DX% V) m$ O+ {: B* K( D! }, r, d- q
VA7 99 40 0
! {8 l5 e0 Q/ ^, p' B) H5 ^4 PG12 98 32 15 98 1E-30 h' s$ @9 m5 v# w5 ~/ t% _. b
*          ^ INSERT NODE FROM LAST STAGE HERE
! z% x' x( F! c- G# u" eR15 98 32 1E3* O0 e) b- Y* p
*D3 32 36 Dx0 ~( o, {$ U8 h3 N) [
*D4 37 32 Dx+ c! x  h. P8 _. H5 J2 |
*V5 34 37  .3V
5 _3 Z4 ]; s6 k' }! J# q*V4 36 34  -.3V8 h; w3 W/ }' y6 c, g( K4 l( n
*** V5,V4 SET ISC
" i' Y: r+ U/ w+ U$ L- a( MR16 34 97 7.55) z! t; S  ?( A/ s: S
E1 99 33 99 32 1! u" m  l+ A" Z. C/ u! j
VA8 33 34 0V
% ~  |! ^" U1 H  T: X5 _5 K2 z******************************************) ~  _3 G. ^' p; O
.MODEL DA D(IS=100E-14 RS=.5K)7 K7 W# ^9 n/ K% s0 E
.MODEL DB D(IS=100E-14 RS=.5K)6 K5 k1 d9 y/ e
.MODEL DX D(IS=100E-14)2 S5 e% c# o3 e2 p2 Y* {' m
.MODEL Dp D(N=0.05)# g7 Q" A: X, [6 R
.MODEL MOSFET PMOS(VTO=0 KP=1.8E-3)9 j& E! \! C, C5 O! r
*VTO ESTABLISHES INPUT VOLT. RANGE  , was -1.7& Y2 o# m. F6 |  x+ {
**+ K! k+ T! g) @: q$ u) j* _
.ENDS; N0 \* F; c$ p# u$ i- [0 F2 K
              
/ F  u* g$ b, {: R4 ]* w. A用cadence中提供的ac 分析中的noise分析对含有max4213的电路进行噪声分析时,仿真的噪声曲线包含了该芯片的噪声么8 ~1 P5 ?) w; f  \& q& Y2 |  O
小弟初学模拟电路,请各位大侠指教啊。多谢
5 o3 k5 H  ]  w/ Q
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