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发表于 2010-8-23 18:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 wkb1987 于 2010-8-23 18:22 编辑 3 d( p, d) \  E( K! C

, T% s+ ~! J; t5 t9 S6 O# v' ?1 j    在提取拓扑结构,生成波形后,遇到如下问题。希望高手们指点下,呵。
$ B7 K. E: Y& [3 R    1.如果芯片的datasheet的低电平最低为-500mv,则overshootlow是否可以超过-500mv,超过500mv是否会引起芯片的逻辑混乱?若不能,是typical模式下不能,还是fast模式下?$ o! s, \0 P0 k6 C1 ?
    2.对于NoiseMargin的取值,一般多大就满足要求?还是得满足与Vil,Vih之间的比例关系?5 x4 ^6 r1 O. z8 s6 N5 P& L
    谢谢大家!
9 q7 f: X# O6 E$ p8 V7 @
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发表于 2010-8-24 07:58 | 只看该作者
1.overshoot过大对逻辑不会产生什么问题,但是会影响IC的可靠度,尤其长期在这种状态使用。所以一般datasheet都会注明如此字样:Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.& A- w/ I+ G6 b. s0 L- N* X
所以这种情况还是应该采取termination减小overshoot以达到要求。
: y& C2 n2 q+ K, s" M. ?& q( y2.原则上noise margin大于0就可以了,当然根据IC具体要求或者自己的需要,可以设定一个最小的正值以保证足够的margin。

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 楼主| 发表于 2010-8-24 11:29 | 只看该作者
那我明白了,呵,太谢谢您了,这么早就帮我把问题解决了,呵!
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