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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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16#
发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了4 K& Q& M9 z: Y$ e

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18#
发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

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发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

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21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:) z" q: E$ S1 g2 Q  M( C( b
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号2 y6 x- h8 [7 l# k" O, y1 d% \. h
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;
, @% u/ f2 a( V产生原因可能有:* R, y8 O5 m' W  K; y
3 Q# T% D% ~& Q, u7 Y$ J# _" \5 n
1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
' y# U8 Q. h6 T5 p' g- k和负载大小,走线长度相关;
; u$ X/ g, Y$ u& d# K5 k5 G( c1 J; O
dq_full             Full-Strength IO Driver
' G' k9 w0 P5 V0 ]* ]dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver7 j6 X# F! q  E3 W. }
  X. o$ d) ?& E! S* P: X! q& [
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号1 r6 w. Z$ S! P- [
如果存在多负载也需要端接;; s7 @9 I6 C* v, `$ n
; X; O4 u8 i: q1 S9 b  `
3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;7 D0 ]5 q/ n  ^# D
; @0 K/ R" i) o! O& ^& c
4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;
& Y5 O9 O2 d% C3 t! r
, j2 I% e: _8 V  }. r解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

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发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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