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其实你可以打开一个ibis模型+ X4 a- R& \0 T' H1 T
查看一个IO buffer的[Ramp]波形. ^; E- t; X& b) M( d
你会发现有三个波形，对应这里的Typ、min、max
7 X! M: _$ @6 W. C5 e4 L它的dV值是不同的，因为三根曲线的幅值就不同
6 r; a x8 c# @8 r4 x& n; U$ E( W所以它的20%～80%电压就不同
m% J: C' K- n当然三根曲线的斜率也不同1 U8 N; X3 Y' X x* I
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
谢谢这位兄弟，我对这个参数是这样理解，不知对不对
. {/ p" f, `$ k$ u) `/ o) i从[Ramp]参数可以得到四个信息：tr（20%-80%）；压摆率；输出电压稳态值；buffer的输出阻抗信息。. r. }- H# u1 q' e" R
buffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压，因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同，因此稳态值也不同，从而dV=（20%-80%）*稳态值也不同。/ G) e7 P- ~" N. r4 ^- ~
这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
; h+ h# q4 k$ E2 I- U
. N: T. U7 h5 o6 Q下面是IBIS spec中[Ramp]的说明，0 X# u: I4 r ]) n/ m- c
% H. a" c6 N* k1 u8 I4 f4 jKeyword: [Ramp]/ q, |, c! h1 ?
======================================================= f+ N8 N6 _' N4 `5 Z6 y
| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
9 q2 J. Z9 B, V8 m) c4 `% E| model types
+ W2 x3 K( H' Y l| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate$ S9 k# H- A' e4 V, z6 G
| does not include packaging but does include the effects of the
' K4 Z* O- N7 s| C_comp or C_comp_* parameters. J+ h+ N( c+ k: R. y+ z
| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load8 k" L; `. S5 z( U$ N5 O
| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the
" l9 S* f! x! ]+ m6 L4 h9 P& u| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp/ K& H. K4 V: ^. p% _8 G7 ?
| rate is defined as:0 r4 T" n: z7 X/ p9 u
|
$ ^- [. M. g! `2 e% G| dV 20% to 80% voltage swing
+ V6 T! Q7 b3 o3 }5 X| -- = ----------------------------------------' a+ H; @& z4 d' h# Q# T; N
| dt Time it takes to swing the above voltage |
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发表于 2009-7-7 08:48
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