[芯片] 中国芯：七十载砥砺前行，看今朝芯耀中华

1949年10月1日，中华人民共和国成立。建国初期，在经济基础极为薄弱的情况下，一穷二白，百废待兴，面临重重困难。同年11月，巴黎统筹委员会（Coordinating Committee for Export to Communist Countries，输出管制统筹委员会）成立，主要是限制成员国向社会主义国家出口战略物资和高技术，列入禁运清单的有军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资等三大类上万种产品。1994年4月1日正式宣告解散。

1950年后，大批半导体学者从海外学成回国，加入新中国科技建设浪潮。1950年王守武从普渡大学回国到中国科学院应用物理所工作；1951年黄昆从利物浦大学回国到北京大学物理系工作；1952年，谢希德从麻省理工学院回国到上海复旦大学物理系工作；1955年成众志从RCA回国到中科院应用物理所工作；1955年高鼎三从IR公司回国到东北人民大学（现吉林大学）工作；1956年吴锡九回国到中科院工作；1957年林兰英从Sylvania公司回国到中国科学院物理研究所工作；1959年黄敞从Sylvania公司回国到北京大学物理系工作。

1956年在中国现代科学技术发展史上是具有里程碑意义的一年。党中央发出了“向科学进军”的伟大号召。根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而国内急需发展的高新技术列为四大紧急措施。在“重点发展、迎头赶上”和“以任务带学科”的方针指引下，我国半导体事业从无到有，有了长足的进展。

1956年，为了落实发展半导体规划，中国科学院物理研究所首先举办了半导体器件短期培训班，请回国的半导体专家讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。

1956年，在北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学五所大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元、中国工程院院士许居衍和原电子工业部总工程师俞忠钰等。

1956年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在中国科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，开创了中国划时代的科技进步。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。同年，仙童半导体成立。仙童半导体为整个芯片及IT产业贡献了大量人才，全美有超过200家公司和仙童有着或多或少的关系。乔布斯曾经说过，仙童半导体就像是成熟了的蒲公英，你一吹他，这种创新精神的种子就随风四处飘扬了。

1957年11月，中国科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室（中国电科13所前身）开发成功锗合金扩散晶体管。

1958年8月，为研制高技术专用109计算机，第一个半导体器件生产厂成立，命名为“109厂”，作为高技术半导体器件和集成电路研制生产中试厂。同年，德州仪器和仙童半导体各自研制发明集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到VLSI（超大规模集成电路）和ULSI（特大规模集成电路），进而到GSI（甚大规模集成电路），集成电路集成度已经超过10亿个晶体管。

1959年9月15日，天津市“601试验所”（中国电科46所前身）成功拉出中国首颗硅单晶，使中国成为继美国、苏联后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家。

1959年，清华大学首次用四氯化硅氢还原法获得了纯度高达“九个九”的高纯多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。

1960年9月6日，中国科学院半导体研究所成立，开启了中国半导体科学技术的发展之路；同年，742厂前身江南无线电器材厂成立。

1962年，天津拉制出砷化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。

1963年，中国科学院半导体研究所试制出第一个硅平面型扩散晶体管样品。

1963年，中国科学院半导体研究所激光器研究室研制成功了第一只半导体激光器（比美国晚1年）。

1964年，河北省半导体研究所（中国电科13所）研制出硅外延平面型晶体管样品。

1965年，河北省半导体研究所第五研究室研制成功第一个硅基集成电路样品GT31（相比美国晚7年）。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL（Diode-Transistor Logic，二极管-晶体管逻辑电路）型逻辑电路；1966年上海组件五厂在工厂范围内鉴定了TTL（Transistor-Transistor-Logic晶体管-晶体管逻辑电路）型电路产品。DTL型和TTL型属于小规模双极型数字集成电路，标志着中国已经有了自己的小规模集成电路。

1966年，109厂与上海光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，由上海无线电专用设备厂进行生产并向全国推广。

1966年，中国科学院半导体研究所制作出第一个硅MOS场效应晶体管样品。同年，IBM公司托马斯·沃森研究中心（Thomas Watson Research Center）的研究人员时年34岁的罗伯特·登纳德（Robert Dennard）博士提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1T/1C结构（一个晶体管加一个电容）的DRAM，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体（Fairchild）推出首个256bit DRAM；1969年先进内存系统公司（Advanced Memory System Inc.）正式推出首款1K DRAM。

1966年，南通晶体管厂成立，经过50多年的发展，成长为国际封测巨头，就是通富微电。

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1968年，上海无线电十四厂研制成功首个PMOS电路（MOS IC），拉开了我国发展MOS电路的序幕。

1968年，国防科委在四川永川县成立永川半导体研究所（解放军一四二四研究所，现中国电科24所）。这是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年，罗伯特·诺伊斯和戈登·摩尔创建了英特尔，并且随着个人电脑普及，英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘，如今经过 50年的发展，英特尔在芯片创新、技术开发、产品与平台等领域奠定了全球领先的地位，并始终引领着相关行业的技术产品创新及产业与市场的发展，开创了CPU一个又一个新的时代。

1969年，109厂与丹东精密仪器厂协作，研制成功全自动步进重复照相机，套刻精度达3微米，后由北京700厂批量生产并向全国推广。

1969年，国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，经过50年的发展，成长为国际封测巨头，就是华天科技。

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1970年，我国我国集成电路产业超过100万块（比美国晚6年），5年的时间肉0到100万块。同年，英特尔推出首款可大规模生产的1K DRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分，从此开创了DRAM时代。

1972年，解放军一四二四研究所研制成功第一颗PMOS型大规模集成电路（LSI），实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越（相比美国晚6年）。

1972年，江阴晶体管厂成立，后来成长为国际封测巨头，就是长电科技。同年7月，美国总统尼克松访华后，中美开始出现蜜月期，中国开始从美国引入技术。

1974年，我国为子发展大规模集成电路（LSI），在北京召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；随后1975年在上海、1977年在贵州连续召开全国性会议。同年三星电子正式进军半导体行业。

1975年，北京大学物理系半导体研究小组完成硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，在109厂采用硅栅NMOS技术，试制成功第一块1K DRAM（相比美国英特尔研制的C1103要晚五年）。同年中国台湾地区“工研院”向美国购买3英寸晶圆生产线，1977年即建成投产。

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1976年11月，中国科学院计算技术研究所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为中国科学院109厂（现中国科学院微电子研究所）研制的ECL型（Emitter Coupled Logic，发射极耦合逻辑）电路。同年，日本由通产省牵头，联合五大骨干公司组建“VLSI联合研发体”，投资720 亿日元（其中日本政府出资320亿日元），攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。

1976年，我国我国集成电路产业超过1000万块（比美国晚10年）。

1977年，我国集成电路年产量接近3000万块。

1978年，中国科学院半导体研究所成功研制4K DRAM，1979年9月28日在109厂成功试制，平均成品率达28%。同年韩国电子技术研究所（KIET）从美国购买3英寸晶圆生产线，次年投产。

1979年8月，我国第一个CCD器件在河北半导体研究所研制成功。同年《中美建交公报》正式生效，中美正式建交，开启中美关系新阶段。

1981年8月2日，第一条拼盘3英寸生产线在国营东光电工厂（878厂）通线运行，主要生产NMOS 4K DRAM、CMOS手表和电子钟电路。

1981年，中国科学院半导体研究所成功研制16K DRAM。7 P, ~# A  q  g8 R

1982年10月4日，为了振兴我国计算机和集成电路事业，为推动电子计算机的广泛应用，国务院成立了电子计算机与大规模集成电路领导小组，制定了我国集成电路发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。同年，河北半导体研究所推出第一块砷化镓集成电路。同年11月全球第一家Fabless公司Cypress成立。

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1983年5月15日，计算机与大规模集成电路领导小组在北京召开全国计算机与大规模集成电路规划会议。针对当时多头引进、重复布点的情况，提出“治散治乱”，集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一个点指西安，主要为航天配套。

1983年，无锡742厂从东芝引进的3英寸5微米电视机集成电路生产线通线投产，这是第一次从国外成建制引进集成电路生产线（1978年开始引进，历时5年投产），我国首次实现了集成电路工业化生产。同年三星电子正式进军存储器行业。

1985年，我国集成电路年产量约为5400万块，同年进口集成电路约2亿块。同年英特尔宣布退出DRAM市场，专注于CPU领域。

1986年5月，无锡742厂试制成功第一片64K DRAM，集成度为15万个元件，加工工艺为3微米（相比日本NEC晚6年）。同年10月韩国政府执行“VLSI共同开发技术计划”，韩国政府出资，由韩国电子通信研究所牵头，联合三星、LG、现代三大集团以及韩国六所大学，联合攻关DRAM的核心技术。随后三年内，该计划共投入1.1亿美元，政府承担57%的研发经费。

1986年8月，第一家设计公司北京集成电路设计中心（现归属华大半导体）成立，这标志着中国集成电路设计业发展的开端。

1986年，电子部在厦门召开“七五”集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集成电路技术“531”发展战略，即普及推广5微米技术，重点企业形成3微米技术生产能力，进行1-1.5微米技术科技攻关。

1987年，台积电成立，开创全球Foundry模式时代。在张忠谋的带领下，台积电在Foundry界左冲右突，尤其是最近十年，在先进制程上一直领跑业界，奠定了Foundry龙头地位，2018年其延揽了全球56%市场。

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1988年9月10日，上海市仪表局与贝尔公司合资设立上海贝岭微电子制造有限公司，这是集成电路产业史上第一家中外合资企业，建成第一条4英寸芯片生产线；

1988年10月4日，在上海元件五厂、上无七厂和上无十九厂联合搞技术引进项目的基础上，组建成中外合资公司上海飞利浦半导体公司（现积塔/上海先进）。

1989年2月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件，振兴集成电路产业”的发展战略。

1989年8月8日，在由742厂和永川研究所无锡分所组建的“无锡微电子联合公司”的基础上成立了“中国华晶电子集团公司”。

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1990年11月，清华大学研制成功具有独立自主版权，在性能指标上达到世界先进水平的1兆位（1M）汉字只读存储器（ROM）芯片，突破国外对先进科技的禁运，满足国家的战略需求。1兆位汉字只读存储器芯片就是用点阵技术描述一个汉字，再由两个芯片形成一级汉字库，这样会加快运算速度，这个成果后来推广到了无锡华晶。同年，ARM成立，开创全新的IP授权商业模式。

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1990年12月15日，中央政治局听取机械电子工业部关于集成电路908工程建设汇报，同意实施908工程。908工程意为中国发展集成电路的第八个五年计划，其主体承担企业是无锡华晶。1990年始，国家集中投资20多亿元，目标是在无锡华晶建成一条月产1.2万片、6英寸、0.8－1.2微米的芯片生产线。工程从开始立项到真正投产历时7年之久。

1984年至1990年，我国掀起第二波建厂热潮，先后共引进33条集成电路生产线。限于当时“巴统”的禁运政策，引进设备基本上都是国外已淘汰的。

1991年，我国的集成电路年产量首次超过1亿块，标志着我国进入集成电路工业化大生产阶段（比美国晚25年，比日本晚23年）。

1992年，第一条5英寸集成电路生产线在上海飞利浦半导体公司（现积塔/上海先进）建成投产。

1993年，熊猫CAD系统软件正式发布。熊猫CAD是当时的中国为了突破“巴统”的禁运而实施的项目。1989年国家倾尽全力，集合了全国科研院所、企业的117名研究人员和1名华人科学家汇集于北京集成电路设计中心，从零开始CAD软件的攻坚工作。熊猫CAD系统软件是我国第一套自主知识产权的CAD系统，打破了国外对我国CAD技术的长期封锁。

1993年，无锡华晶采用2.5微米工艺成功制造第一块256K DRAM（相比韩国晚7年）。

1994年，我国的集成电路年进口量超过50亿块，当年我国的集成电路年产量突破2亿块。

1995年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以CAD为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。

1995年1月，首钢NEC建成首条6英寸1.2微米生产线，初期生产4M DRAM。

1995年12月13日，国务院召开总理办公会议，决定启动“909”工程，投资100亿元，建设一条8 英寸、0.5微米工艺的生产线。1995年7月，原电子部提出了“设立“九五”集成电路专项的报告”，报告提出“九五”期间应继续实施集成电路专项工程，建议简称909工程。1995年11月23，电子部向国务院提交了《关于报请国务院召开会议研究设立“九五”集成电路专项的请示》。909工程是我国电子工业有史以来投资规模最大的项目，表现了当时党和国家的领导人迫切希望提高我国集成电路水平。

1996年3月29日，国家计委正式批复“909工程”立项，4月9 日，“909”工程的主体承担单位上海华虹微电子有限公司正式成立。同年11月，《Wassenaar Arrangement瓦森纳协定》开始实施，“瓦协”包含两份控制清单：一份是军民两用商品和技术清单，涵盖了先进材料、材料处理、电子器件、计算机、电信与信息安全、传感与激光、导航与航空电子仪器、船舶与海事设备、推进系统等9大类；另一份是军品清单，涵盖了各类武器弹药、设备及作战平台等共22类。中国同样在被禁运国家之列。

1997年7月31日，第一条8英寸生产线在上海开工建设。

1998年1月，华晶与上华合作生产MOS圆片合约签定，有效期四年，华晶芯片生产线开始承接上华公司来料加工业务，从此开始了我国的Foundry时代。

1998年4月，集成电路“908”工程九个产品设计开发中心项目验收授牌，分别是信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工业771研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。

1998年9月24日，上海贝岭在上海证券交易所成功上市，成为第一家登陆主板的集成电路公司。

1999年2月23日，第一条8英寸0.35微米生产线在华虹NEC建成投产；9月28日正式投产。

1999年12月，北京大学微处理器研究开发中心研制成功了国内第一套支持微处理器正向设计的开发平台，并研制成功了16位微处理器原型系统，“中国芯”的名字也因为这项成果广为流传。
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2000年6月24日，国家发布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（简称18号文），加大了对集成电路的扶持力度。

2000年2月至2001年12月，科技部依次批准在上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳等地区批准建立了七个“国家集成电路设计产业化基地”，以优化产业环境，为各地新兴的IC设计公司提供全方位的孵化服务。2008年5月批准建立济南成立设计基地。

2000年8月24日，中芯国际在上海浦东新区张江高科技园区开始正式打桩，中国集成电路产业写下新的篇章。中芯国际于2000年4月成立。

2000年10月30日，上海华虹NEC生产线项目通过国家验收，转入正式运营。

2001年2月27日，我国第一条可满足0.25微米线宽集成电路要求的８英寸硅单晶抛光片生产线在北京有色金属研究总院建成投产，标志着我国深亚微米超大规模集成电路用硅单晶抛光片的生产达到世界先进水平。设计能力为年产８英寸硅单晶抛光片6000平方英寸。

2001年3月28日，国务院第36次常务会议通过了《集成电路布图设计保护条例》，4月2日颁布，自10月1日起施行。

2001年7月29日，北京有色金属研究总院宣布，成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ（蒸气压控制直拉法）半绝缘砷化镓单晶，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握此项技术的国家，这标志着我国砷化镓晶体生长技术进入世界领先行列。

2001年9月25日，中芯国际上海FAB1举行了投产庆典，第一片8英寸、0.25微米芯片上线生产。

2001年，互联网经济泡沫破裂，全球半导体产业规模近乎腰斩，从2000亿美元下滑到1400亿美元。

2002年3月，华虹NEC开始组建代工部，转型进入晶圆代工领域，到2004年彻底退出 DRAM制造领域。

2002年9月28日，32位处理器龙芯1号（Godson-1）正式上市，内频266 MHz，采用0.18um CMOS工艺制造。基于龙芯CPU的网络安全设备可以满足国家政府部门，企业机关对于网络与信息系统安全的需求。

2003年3月11日，士兰微在上海交易所上市，成为第一家登陆主板的集成电路设计公司。

2003年6月3日，长电科技在上海交易所上市，成为第一家登陆主板的集成电路封装公司。

2003年10月，教育部、科技部批准了清华大学、北京大学、复旦大学、浙江大学、西安电子科技大学、上海交通大学、东南大学、华中科技大学 、电子科技大学等九所高校为首批国家集成电路人才培养基地的建设单位；2004年8月，教育部批准了北京航空航天大学、西安交通大学、哈尔滨工业大学、同济大学、华南理工大学和西北工业大学等六所高校为国家集成电路人才培养基地的建设单位；2009年6月教育部批准了北京工业大学、大连理工大学、天津大学、中山大学、福州大学等五所高校国家集成电路人才培养基地的建设单位。至此，国家集成电路人才培养基地的布局初步形成。

2003年12月8日，北大众志863 CPU系统芯片发布，分别采用0.25微米和0.18微米工艺流片，内部集成了32位定点微处理器、64位浮点协处理器，内有8百万晶体管，体系结构、指令系统、系统软件、支撑软件等均为自行开发，拥有完全自主知识产权。

2004年7月14日：中美关于中国集成电路增值税问题的谅解备忘录于在日内瓦签署。至此，中美在世贸组织争端解决机制下的集成电路增值税争端得到解决

2004年7月，第一条12英寸生产线在中芯国际北京厂试投产，2005年3月正式投产，初期使用0.11微米及0.10微米生产工艺制造512Mb DDR2 SDRAM。

2004年9月，首颗通信SoC芯片COMIP研发成功，采用台积电0.18mm CMOS工艺、BGA方式封装，芯片外观尺寸仅为19mm×19mm，结束了中国在通信技术领域没有中国“芯”的历史。

2004年10月18日，华为旗下的海思半导体宣告成立，前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。

2004年，中国电科13所推出第一只宽禁带氮化镓功率器件。

2005年3月23日，财政部、信息产业部、国家发改委为鼓励集成电路企业加强研究与开发，设立了集成电路产业研究与开发专项资金，制定了《集成电路产业研究与开发专项资金管理暂行办法》（简称“132号文”），132号文件成为18号文修改后的重要补充部分。

2005年11月15日，中星微正式在美国纳斯达克上市，成为第一家登陆纳斯达克的中国集成电路设计公司；11月30日珠海炬力在美国纳斯达克挂牌上市。这无疑是中国半导体产业的一个重大事件，风险投资在其后的一年多时间里对中国半导体行业空前关注和看好。

2006年2月9日，《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》发布。规划纲要确定了“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件（01专项）”和“极大规模集成电路制造技术及成套工艺（02专项）”等16个重大专项；2009年开始实施。

2006年4月21日，武汉新芯成立，2008年开始为客户提供专业的300mm晶圆代工服务，在NOR Flash和CIS领域积累了超过10年的制造经验，成为世界领先的NOR Flash提供商之一。2017年武汉新芯开始聚焦IDM战略，发布了集产品设计、晶圆制造与产品销售于一体的自主品牌，致力于开发高性价比的SPI NOR Flash产品。

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2006年6月15日，中国半导体行业协会与世界半导体理事会（WSC）签署《中国半导体行业协会加入世界半导体理事会备忘录》，成为WSC 第六个成员单位。

2006年第三季，中芯国际90纳米CMOS工艺开始量产，当年营收占比5%。

2006年，我国集成电路产业规模首次突破1000亿元，从500亿到1000亿用时2年。

2007年，我国的集成电路年进口量超过1000亿块，当年我国的集成电路年产量突破400亿块。

2008年1月，《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、苏州、宁波等国家集成电路产业园。

2008年，中芯国际北京厂退出DRAM生产，转型为逻辑代工。

2009年第4季度，中芯国际65纳米CMOS开始量产，当季营收占比2.5%。

2010年1月19日，“909”工程升级改造12英寸集成电路生产线项目正式启动。项目建设目标是建成第一条国资控股、主要面向国内市场、月产3.5万片的12英寸（90-65-45纳米）集成电路生产线，2011年4月29日开始55纳米产品试流片，2015年3月19日通过验收。

2010年，我国的集成电路年进口量超过2000亿块，当年我国的集成电路年产量约650亿块。

2011年1月28日，《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（简称“4号文”）发布。

2011年第4季度，中芯国际45纳米CMOS工艺开始风险生产；2012年第4季度开始量产，当季营收占比2.6%。

2012年5月，财政部、国税总局发布《关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展企业所得税政策的通知》［财税〔2012〕27号］。

2012年，我国集成电路产业规模首次突破2000亿元，从1000亿到2000亿用时6年。

2013年4月，昂瑞微电子推出国内首款单芯片CMOS GSM射频前端芯片，并实现销售。

2013年第4季度，中芯国际28纳米制程开发完成，推出首个包含28纳米HKMG和PolySiON的多项目晶圆流片服务，供客户进行芯片验证。

2013年，我国集成电路封装产业规模率先突破1000亿元。

2013年，我国集成电路进口额突破2000亿美元。

2014年6月24日，《国家集成电路产业发展推进纲要》正式公布，将集成电路产业发展上升为国家战略,明确了“十三五”期间国内集成电路产业发展的重点及目标，拉开了我国集成电路产业发展的新阶段。纲要设定：到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。16/14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。

2014年9月26日，国家集成电路产业投资基金（大基金）正式成立，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等产业，实施市场化运作、专业化管理。

2014年10月15日，华虹半导体以红筹方式在香港交易所主板上市。

2014年，我国的集成电路年产量首次超过1000亿块，从100亿块到1000亿块，我国用了11年时间。

2014年，我国集成电路设计产业规模突破1000亿元。我国集成电路产业规模首次突破3000亿元，从2000亿到3000亿用时2年。
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2015年6月10日，教育部、国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、国家外专局等六部委共同批复26家全国示范性微电子学院建设，支持北京大学、清华大学、中国科学院大学、复旦大学、上海交通大学、东南大学、浙江大学、电子科技大学、西安电子科技大学建设示范性微电子学院，支持北京航空航天大学、北京理工大学、北京工业大学、天津大学、大连理工大学、同济大学、南京大学、中国科技大学、合肥工业大学、福州大学、山东大学、华中科技大学、国防科学技术大学、中山大学、华南理工大学、西安交通大学、西北工业大学等17所高校筹建示范性微电子学院；2017年批复支持厦门大学、2018年批复支持南方科技大学筹建示范性微电子学院。至此我国共有28所示范性微电子学院。

2015年第三季度，中芯国际28nm工艺制程正式量产，进一步拉近了和国际领先晶圆代工厂商的距离。

2015年10月15日，长电科技完成收购星科金鹏，排名进入全球前三，稳居全球第一梯队。

2015年，我国的集成电路年进口量超过3000亿块，当年我国的集成电路年产量接近1200亿块。

2016年，晋华集成、合肥长鑫和长江存储三大本土存储公司成立；长江存储获得大基金注资。

2016年11月9日，“909”工程启动二次升级，总投资387亿元，建设华力二期12英寸集成电路新生产线，达国际主流规格和水平。12月30日开工建设，2018年10月18日开始投片。

2016年，我国晶圆制造产业规模突破1000亿元。我国集成电路产业规模首次突破4000亿元，从3000亿到4000亿用时2年。

2017年2月，昂瑞微电子发布全球首款商用量产的支持GSM/EDGE/TD-SCDMA/TD-LTE 的多模多频CMOS工艺PA。

2017年9月，华为海思发面布全球首款人工智能AI移动计算平台麒麟970，基于台积电10nm工艺。

2017年12月28日，华润微电子正式整合中航重庆，打造中国功率器件龙头企业。

2017年，我国集成电路产业规模首次突破5000亿元，从4000亿到5000亿用时1年。同年全球集成电路产业规模首次突破3000亿美元。

2018年7月16日，合肥长鑫建成第一座12英寸DRAM工厂，宣布投片试生产，开创了中国存储产业的新时代。

2018年4月11日，长江存储开始设备搬入安装调试，年底投产32层3D NAND闪存。

2018年，我国的集成电路年进口量超过4000亿块，当年我国的集成电路年产量接近1800亿块。当年进口金额首次突破20000亿，也是首次突破3000亿美元。

2018年，我国集成电路产业规模首次突破6000亿元，从5000亿到6000亿用时1年。

2019年9月2日，长江存储官宣64层3D NAND FLASH投产。早在8月26日，64层3D NAND 已在重庆智博会正式量相。

2019年9月17日，华虹无锡基地建成中国最先进的12英寸特色工艺生产线。

2019年9月20日，合肥长鑫正式宣布在DRAM取得新突破，正式量产8Gb DDR4。