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新手请问一下:使用DDR仿真中发现的问题:/ N' p( I$ H: V
使用PowerSI 提取了S参数,我提取了电源和DDR DQ进行仿真,发现如果仿真bit的运行时间小与100ns左右没有什么问题,但是当大于100ns后发现controller与DDR处的电源异常上升或者下降。所以就出现仿真出来的DQ向下或者向上移动的状况,如果仿真bit多的话,就看到了一条带尖峰的直线,这个尖峰能达到1e300的电压值。情况是无论仿真使用idea电源还是VRM都有这个问题,只有我把VRM和他的连接删除,然后仿真才是正常的。2 |8 h' D0 c0 _, n% C) w
附图分别为* G0 u) {7 k+ [ T! h
8 K; @; @) u+ c) j/ M) S( y" v% a9 R想问一下这个电源S参数提取有什么问题么?大概是什么问题导致的。
# ~8 ?5 t7 q3 S, I. |8 o3 g: l9 N: Z8 f
谢谢!
9 `2 N2 v# h$ l$ q# ] |
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DDRDQpower.PNG
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DQ信号异常上升,VRM电源正常,PCB处VRM(噪声小的灰金色)DDR与controller(棕色和橙色重叠)处电源
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DQ.PNG
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DQ信号异常下降
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捕获.PNG
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仿真时间长,尖峰把开始正常仿真结果冲掉了
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