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不知各位有没有注意过SIwave中走线的阻抗问题，软件中似乎只分为Microstrip、Stripline两类，因此计算线的阻抗也是按照这两类的模型去计算，没有考虑到实际上走线与旁边Ground的距离也会影响阻抗大小。 现以实际板子参数举例： 图1中红色走线线宽W=16mil，线长63mil，线与同层ground的距离G=14mil，线与下层参考地距离H=37.5mil，线的厚度T=1.4mil，介质介电常数Er=4.4，tanD=0.02。 在SIwave中计算出来线的阻抗是97.8464，如图1所示； 用ADS Linecalc的MLIN（微带线）模型计算出来的阻抗是97.6796，如图2所示； 用ADS Linecalc的CPWG模型计算出来的阻抗是75.7245，如图3所示； 实际板子需要的走线阻抗是75欧姆，这与用CPWG模型计算出来的一致。 SIwave中计算出来线的阻抗与用ADS Linecalc的MLIN（微带线）模型计算出来的阻抗是一样的，这说明SIwave中也是根据微带线模型计算阻抗的，但走线与同层Ground的距离小于走线宽度时就不能用微带线模型计算了 那么问题来了，是否可以判断SIwave中计算出来的阻抗是错的，没有参考意义？如果是这样的话，当我要提取一段线的S参数时，阻抗计算错误会不会影响到S参数的准确性？ & Y, J# {: V" ~% O3 E4 f: l$ @
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发表于 2017-9-2 16:15
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