2017年7月23日公益PCB评审报告节选

jacekysun · 发表于 2017-7-27 12:15

pcb 发表于 2017-7-24 14:49
8 M% ` o/ w6 v* w5 lDDR3没有这个要求

对，我也看到DDR3没要求DQS和clk有相关联的

eda1057933793 · 发表于 2017-9-6 11:46

EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41
6 c# k8 L/ B+ F1 W8 `4. DDR下拉都应在末端.

是指的vtt的电阻吧，这个端接电阻放在哪里应该看走的拓扑吧，如果是fly_by，就需要放在末端颗粒，现在看这个图走的是T型拓扑，是不是放在中间的T点位置？

eda1057933793 · 发表于 2017-9-6 15:05

EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41, U- G: e9 d: M$ d5 a
5. 时钟与DQS差太大了.

看图片，地址、控制、时钟线走的是T型拓扑，而数据线走的是点对点的，那么时钟和每组数据线的dqs该怎样控制，datasheet里应该有写等长控制要求，这种的应该是到每片颗粒的时钟线长度比到该颗粒的dqs长一定的数值是吧。

fengyu6117 · 发表于 2017-11-9 09:08

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