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楼主: EDA365QA
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2017年7月23日公益PCB评审报告节选

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发表于 2017-7-27 12:15 | 只看该作者
pcb 发表于 2017-7-24 14:49; \' [& `* m/ s; A$ z* h
DDR3没有这个要求
5 h/ S7 l8 U! p3 c' A
对,我也看到DDR3没要求DQS和clk有相关联的- c3 ?4 y6 Z/ a0 y6 A7 {  B

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发表于 2017-9-6 11:46 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41" o/ \& l* i" @
4.  DDR下拉都应在末端.
, @5 `1 W$ G) R
是指的vtt的电阻吧,这个端接电阻放在哪里应该看走的拓扑吧,如果是fly_by,就需要放在末端颗粒,现在看这个图走的是T型拓扑,是不是放在中间的T点位置?
; Q8 Q* G6 l2 _; Z, ^  P3 Z" |' G

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发表于 2017-9-6 15:05 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41$ h: w* Q+ A& W2 o' R1 T
5.  时钟与DQS差太大了.

1 {. }& g0 R1 q- h看图片,地址、控制、时钟线走的是T型拓扑,而数据线走的是点对点的,那么时钟和每组数据线的dqs该怎样控制,datasheet里应该有写等长控制要求,这种的应该是到每片颗粒的时钟线长度比到该颗粒的dqs长一定的数值是吧。+ \8 K+ g/ \: V6 Z

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发表于 2017-11-9 09:08 | 只看该作者
这个家伙很懒,从来不写个人签名。
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