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你去华强北买电脑时 是否有人跟你说这是 用22nm,28nm 做的CPU, 老牛逼了。! F5 h7 B$ X( q2 h; |6 Y
你看资讯时,是否有被动接收到 A、B、C 公司已经量产 xx、yy nm的芯片了,老牛逼了。
1 _3 V# P1 W% Q3 S. Cnm , 中文 纳米,晶圆制造行业的基础单位。
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先看看行业的相关概念4 h& Y# g& e, u y$ z
什么OEM, ODM IDM, FABLESS,FOUDNRY 等,刚入会的人总觉得ODM 好牛比,其实每个行业都牛逼,关键是你把它做好来。; b" ~( \- I$ k3 H) O9 n
$ l1 L) d& v7 a. MIDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星这种拥有自己的晶圆厂,集芯片设计、制造、封装、测试、投向消费者市场五个环节的厂商,一般还拥有下游整机生产。
5 N% w* u- K# r- q, z就是全部都自己做,啥都操碎了心,就像老妈。
5 z3 ?# f, `: n. ]! qFabless(无厂半导体公司)指有能力设计芯片架构,但本身无厂,需要找代工厂代为生产的厂商,知名的有ARM、NVIDIA、高通、苹果和华为。
\4 J+ r/ G0 [) K4 I6 [/ w就是做自己的idea, 让别人也做自己的idea,在很多少男心中,这是多么高达上的行业。
5 j, {$ R0 _9 O5 ]) {2 O2 WFoundry(代工厂)指台积电和GlobalFoundries ,拥有工艺技术代工生产别家设计的芯片的厂商。我们常见到三星,台积电、中芯国际。
5 l9 R; B; Q! g% C% f+ R; A! C. u" N就是干活的,把好的想法做出来的人,其实这才是最高达上的行业,高端制造业,没有这个行业,什么也做不了。肌肉型的男人才是最受女人欢喜的。$ A: {) l |1 b" p) F( {
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制程2 ^; c2 X# ]6 Y6 Z; h8 D
在描述手机芯片性能的时候,消费者常听到的就是22nm、14nm、10nm这些数值,这是什么呢?
# i5 O H& T+ l% h3 d* W- G$ K 深圳你去华强北买电脑,人家会告诉你,这个电脑好牛逼哦,采用22nm的技术做的CPU,好高级的。擦,我一农村来的,22nm?这么猛,卖了。 ]- y. |" T) h
乘此机会向各位蒙娃科普下。。。
% y# K8 x4 d, ?. S这是芯片市场上,一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升,带来的都是性能的增强和功耗的降低,而每一款旗舰手机的发布,$ ~* A# d: ], I: }, n
常常与芯片性能的突破离不开关系。; ]4 c7 P; n [3 ~
骁龙835用上了更先进的10nm制程, 在集成了超过30亿个晶体管的情况下,体积比骁龙820还要小了35%,整体功耗降低了40%,性能却大涨27%。8 A8 ~+ S# _2 E0 P
深入来说,这几十纳米怎么计算出来的?我们从芯片的组成单位晶体管说起。$ p5 w) o! V+ E& h* U
得益于摩尔定律的预测,走到今天,比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上,用的是台积电16nm的制造工艺,集成了大约33亿个晶体管。; M* P( q$ f- V/ @3 R5 O4 s
而一个晶体管结构大致如下:6 w$ p4 ?+ N. _' v- P$ ^& Z
6 h- n" w. m+ m# Q1 L; D* e图中的晶体管结构中,电流从Source(源极)流入Drain(漏级),Gate(栅极)相当于闸门,主要负责控制两端源极和漏级的通断。8 V* f$ k6 d& x
电流会损耗,而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗,表现出来就是手机常见的发热和功耗,宽度越窄,功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长),就是XX nm工艺中的数值。
$ m& R5 G8 M1 r7 c到这里才真正值得了啥是nm 了。
' u$ r+ G" N) K6 P( n4 F" `对于芯片制造商而言,主要就要不断升级技术,力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近20nm时,栅极对电流控制能力急剧下降,会出现“电流泄露”问题。
* }0 \- r4 \" a+ u为了在CPU上集成更多的晶体管,二氧化硅绝缘层会变得更薄,容易导致电流泄漏。* c% V1 u, ]: l- ]
一方面,电流泄露将直接增加芯片的功耗,为晶体管带来额外的发热量;另一方面,电流泄露导致电路错误,信号模糊。为了解决信号模糊问题,芯片又不得不提高核心电压,
, r6 D: x5 N: q$ p0 T; ^: X功耗增加,陷入死循环。+ l7 V: L, `+ J# M- I5 {, e
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谁能制造,谁领风骚。
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