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主芯片推荐的过孔为：内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线，差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)
! l, z( y r# d" ?7 J* r2 G采用T型的拓扑结构，在支点处接50欧姆的上拉电阻6 S- a! D% c: p
保证分支线最短，至少小于主干线的1/2长度
/ N' ]! k# E) c* t$ S$ P8 y/ A* p! yCLKP与CLKN要严格等长，偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil
% s' @9 y' l" W% g+ S& [" }2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号)，DQSP与DQSN为差分等长线，
3 \% y; M8 }' K) _3 z) M V严格等长控制在50mil之内，以CLK为参考，允许的走线偏差范围在500mil.
$ U3 T5 h' O4 t: C% d6 g: t# LDQS差分阻抗要控制在100欧姆
$ g/ b1 R4 D% v2 B3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
. @* \+ T9 Y) E/ Z- l% P0 y3 ]! k+ T DQ(8:15)走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.4 G! m! N4 p2 i( [
DQ16:23)走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.& @" \+ h! @$ Q2 ^3 c* v0 }
DQ(24:31)走线以DQS3为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
8 p4 `% z' O( I: a4 DM0走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.; S3 t& T2 ^& @/ N% } X+ j
DM1走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.$ h- g* _2 a( K$ w' Q
DM2走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
5 L+ O# b- }0 b0 D2 ~. \7 l/ \( Y5 ADDR(0：14)以CLK为标准，允许的走线偏差范围在100mil.
: T# y6 l$ Y( P- J6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准，允许的走线偏 ' ` f( H' x- a4 N
差范围在100mil.6 y' K! J% z- B2 O
阻抗控制50欧姆，单端串联接33R
* x. H1 s8 M+ c% C4 t请问各位大神，是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗，还有DDR3仿真用的是什么软件？
( X4 _( I% A s0 J. @" D, H$ b; @7 R) V; M
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发表于 2016-5-24 14:19
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x谢谢分享- }2 t; o: q1 j, m4 p p
